开关电源 MOS管温升不应该超过多少，30W开关电源用多大的MOS管

来源：整理时间：2024-03-06 06:29:01 编辑：亚灵电子网手机版

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1，30W开关电源用多大的MOS管
2，对于功率变换器上面的MOS管温度不能超过多少
3，如何解决开关电源MOS管和变压器温升过高问题
4，开关电源的变压器在工作时温度一般不能超过多少度
5，请问一下做开关电源选择MOS管的时候主要考虑哪些参数谢谢
6，开关电源元件温升测试标准
7，开关电源MOS管G极的稳压管是多少伏
8，开关电源MOS管的问题
9，如何解决开关电源MOS管和变压器温升过高问题
10，开关电源中选用mos管时要注意哪些参数

1，30W开关电源用多大的MOS管

一般10a以下，600v以上可以满足要求。

额

30W开关电源用多大的MOS管

2，对于功率变换器上面的MOS管温度不能超过多少

利用温度量测点的Tjc反推回去的温度不超过标称额定值的80%为标准了解更多

对于功率变换器上面的MOS管温度不能超过多少

3，如何解决开关电源MOS管和变压器温升过高问题

变压器升温过高发烫,4个考量,1.是铁损2.是铜损3.绕线工艺也会提高温度4.变压器太小 MOS管温度过高,1.更改规格2.更改散热片设计提高散热面积3.并联分流主要是看你想做高效的电源输出还是低成本的电源输出,两者在成本上超过30%价差以上的

建议你换个大点的MOS管，加散热片

如何解决开关电源MOS管和变压器温升过高问题

4，开关电源的变压器在工作时温度一般不能超过多少度

建议你查一下开关电源设计时磁性元件的绝缘等级，不同的绝缘等级允许的温升都不一样，这与你的选材和散热条件是有关的，强制风冷和自然冷却的差别很大，一般我们设计电源时采用E级绝缘，但是温升要控制在45到50之间，所以你的变压器的温度还和当时的环境温度有很大的关系。

5，请问一下做开关电源选择MOS管的时候主要考虑哪些参数谢谢

能承受的最大关断电压（留一定阈值），关断与开通损耗，能承受的最大温升（考虑整体散热）。 1，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。 2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。不知道是否回答你的问题，你可以去看一下开关电源相关资料就知道啦！

6，开关电源元件温升测试标准

首先为无恒温恒溼机，需看你的工作温度参数如何订定了!如是最高为50度C，那接下来要看你测试环境温度，如你在室内室温25度C，那相减之下温升为25度C，那当你於是温下测得满载稳定之温度必须再加上此温差，如变压器测得70度，那需再加25度就等於95度。那如是恒温环境(50度C)，就是测得几度那就是几度。另外，元件温度的标准，在供应商的参数表有订定，但以下提供我的经验。半导体最高125度C电阻最高150度C电容最高105度C电感最高155度C(但一般无法那麼高，一般为130度C)以上为主要元件温升标准，一般还会再减个20度C的安全值(电解电容除外)希望对你有帮助!

7，开关电源MOS管G极的稳压管是多少伏

你这个问题没有给定具体的mos管的型号等相关参数，因此无法给出保护栅级的稳压管为多少V。选着合适的保护栅级的稳压管，理论上最大值要小于mos管的栅源击穿电压V（br）gs；在实际工作中要看该mos管栅电压工作范围，稳压管等于或略小于其栅工作电压最大值即可。总之，要根据mos管型号去找其规格书，根据规格书要求来定，不是随便给出的。

保护g极的稳压管一般是15——18v，如果确定驱动电压不会超过mos管g极的极限电压，不用稳压管保护也是可以的。

8，开关电源MOS管的问题

MOS管驱动上有个台阶是因为MOS管内的结电容引起的。这个就是所谓的开通损耗。这个问题都是MOS管本身的问题。要想驱动波形没有台阶，几乎是不可能的。求采纳为满意回答。

mos管是一个通过改变电压来控制电流的器件，有时候也被称为绝缘栅场效应管。近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率mos管作为开关管，之所以采用mos管是基于以下几方面的优势：1.输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。使用mos管做开关管，其输入阻抗高达100mω，这对激励信号不会产生压降，只要有一点电压就可驱动。2.开关速度快。开关速度在10~100ns，工作频率高达100khz以上。普通三极管由于载流子的存储效应，其开关总会存在滞后现象，进而影响开关速度。3.不存在二次击穿。

9，如何解决开关电源MOS管和变压器温升过高问题

这个要么你的电路设计不好或者你的后级负载太大。建议你换个12V3.5A-4A左右的电源这样才是根本上的解决问题

电流过大，也就是楼上的所说负载太大；当然跟你电路设计有关；

开关电源中主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压器、滤波电感等。不同器件有不同的控制发热量的方法。功率管是高频开关电源中发热量较大的器件之一，减小它的发热量，不仅可以提高功率管的可靠性，而且可以提高开关电源的可靠性，提高平均无故障时间（MTBF）。开关管的发热量是由损耗引起的，开关管的损耗由开关过程损耗和通态损耗两部分组成，减小通态损耗可以通过选用低通态电阻的开关管来减小通态损耗；开关过程损耗是由于栅电荷大小及开关时间引起的，减小开关过程损耗可以选择开关速度更快、恢复时间更短的器件来减少。但更为重要的是通过设计更优的控制方式和缓冲技术来减小损耗，如采用软开关技术，可以大大减小这种损耗。减小功率二极管的发热量，对交流整流及缓冲二极管，一般情况下不会有更好的控制技术来减小损耗，可以通过选择高质量的二极管来减小损耗。对于变压器二次侧的整流可以选择效率更高的同步整流技术来减小损耗。对于高频磁性材料引起的损耗，要尽量避免趋肤效应，对于趋肤效应造成的影响，可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。　　5.2.2 开关电源的散热设计　　 MOS管导通时有一定的压降，也即器件有一定的损耗，它将引起芯片的温升，但是器件的发热情况与其耐热能力和散热条件有关。由此，器件功耗有一定的容限。其值按热欧姆定律可表示为：　　　　　　　　　　　　　　　　　　 PD="Tj-Tc/RT"

10，开关电源中选用mos管时要注意哪些参数

耐压，电流，导通内阻。

在oring fet应用中，mos管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。　　相比从事以开关为核心应用的设计人员，oring fet应用设计人员显然必需关注mos管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，mos管只相当于一个导体。因此，oring fet应用设计人员最关心的是最小传导损耗。　　低rds(on) 可把bom及pcb尺寸降至最小　　一般而言，mos管制造商采用rds(on) 参数来定义导通阻抗;对oring fet应用来说，rds(on) 也是最重要的器件特性。数据手册定义rds(on) 与栅极 (或驱动) 电压 vgs 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，rds(on) 是一个相对静态参数。　　若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中，每个电源常常需要多个oring mos管并行工作，需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下，设计人员必须并联mos管，以有效降低rds(on)。　　需谨记，在 dc 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如，两个并联的2ω 电阻相当于一个1ω的电阻。因此，一般来说，一个低rds(on) 值的mos管，具备大额定电流，就可以让设计人员把电源中所用mos管的数目减至最少。　　除了rds(on)之外，在mos管的选择过程中还有几个mos管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(soa)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，soa定义了mosfet能够安全工作的电源电压和电流。在oring fet应用中，首要问题是：在"完全导通状态"下fet的电流传送能力。实际上无需soa曲线也可以获得漏极电流值。　　若设计是实现热插拔功能，soa曲线也许更能发挥作用。在这种情况下，mos管需要部分导通工作。soa曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。　　注意刚刚提到的额定电流，这也是值得考虑的热参数，因为始终导通的mos管很容易发热。另外，日渐升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。细言之，在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直mos管，即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗，在数据手册中有描述。若采用powerqfn封装，管壳定义为这个大漏极片的中心。因此，rθjc 定义了裸片与封装系统的热效应。rθja 定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与pcb设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。