2501光耦频率是多少，2501是什么光藕

1，2501是什么光藕

这是强隔离和有着比较高耐压的光耦，有2501-1,2501-2,2501-4几款，分别封装了1,2,4个单体光耦。工控电路板上常见，比如小日本的三菱APLC输出卡件里就用这个。

2501是什么光藕

2，光耦PS2501易受高频信号900MHZ的干扰

我感觉这个干扰是经光耦内部输出晶体管芯片耦合进去的。如果有可能，使用屏蔽措施。例如使用贴片光耦反面铺设地线、周围大面积铺设地线，将光耦使用铁壳屏蔽，增加输入信号功率，输出进行衰减等措施。

光耦PS2501易受高频信号900MHZ的干扰

3，4017计数器能识别的脉冲频率光耦的频率

4017对时钟信号的上升下降时间要求随工作电压不同而不同：5V下20μS，10V下15μS，15V下5μS，由此计算，4017在工作电源电压为5V时的最高计数频率为25kHz，10V下为33kHz，15V下为100kHz。光耦的型号很多，工作速度各不相同，要查产品数据手册。

任务占坑

4017计数器能识别的脉冲频率光耦的频率

4，普通光耦频率为多少

光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间猛该骶堤甯衾搿７⒐庠吹囊盼淙攵耍芄馄鞯囊盼涑龆耍＜姆⒐庠次⒐舛埽芄馄魑饷舳堋⒐饷羧艿鹊取?光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：1. 正向工作电压Vf（Forward Voltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=20mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。2. 反向电压Vr（Reverse Voltage ）是指LED所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。在使用交流脉冲驱动LED时，要特别注意不要超过反向电压。3. 反向电流Ir（Reverse Current）通常指在最大反向电压情况下，流过LED的反向电流。4. 允许功耗Pd（Maximum Power Dissipation）LED所能承受的最大功耗值。超过此功耗，可能会损坏LED。5. 中心波长λp（Peak Wave Length）是指LED所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色，对于双色或多色LED，会有几个不同的中心波长值。6. 正向工作电流If（Forward Current）If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。不同的LED，其允许流过的最大电流也会不一样。7. 正向脉冲工作电流Ifp（Peak Forward Current）Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。为保证寿命，通常会采用脉冲形式来驱动LED，通常LED规格书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来计算的。

5，怎样测量光耦NEC2501

将1节5号电池两端分别接光耦的输入端，将将1节5号电池与手电筒灯泡相连并将其串接在光耦的输出端。将输出固定接好，调整输入的两极性，如输出不亮。则调整输出极性，在固定，又调整输入的两极性，如输出不亮，说明光耦坏。反之，则光耦是好的

nec2501一般做为非线性光藕使用，即当输入电流达到一定的时候，光藕导通，相当与开关三极管一样，其曲线图如下:

6，请问光耦PS25011有那些重要的参数

主要的是隔离电压和最大通过电流50mA左右常用参数正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。最大额定值参数名称符号最大额定值单位V反向电压5VRI正向电流50mAFMV集-发击穿电压100V（BR）CEOI集电极电流30mACMT贮存温度-55～150℃stgT工作温度-55～125℃ambV隔离电压1000VIOP总耗散功率80mWtot推荐工作条件特性符号最小值典型值最大值单位I输入电流1050mAFV电源电压1560V主要光电特性测试条件(T特性符号11A=25℃±3℃)最小典型最大单位隔离特性隔离电阻RIOVIO=500V1010Ω上升时间tr10μsV开关特性下降时间tfCC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D：1/210μsIV反向电流RR=5V0.011.0μALED输入特性VI正向电压FF=10mA1.21.4VCTR电流传输比VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω60180%集-发饱和电压VCE（sat）VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ0.10.4V晶体管输出特性IV集-发截止电流CEOCE=5V，IF=00.011.0μA

7，光耦PS2501易受高频信号900MHZ的干扰

有很多可以代替，2501其实就是817,当中最为常用的就是el817和pc817，当然还要选择正确的档位，或者去调节电阻。扣扣：807907537欢迎一起讨论

8，关于光耦TLP521的问题

4脚为集电极，3脚接地，供参考;O输出端。两种接法效果一样，这种接法导通输出为1、1－2脚之间并联电阻是分流作用，3脚为I/。 2，4脚接＋5V：（1）3脚下拉电阻接地，截止输出为1，受光点为基极，3脚为发射极，防止发光二极管暗亮产生误动作，输出端为NPN型光电三极管结构、以TLP521－1为例1，这种接法导通输出为0，使用前者较多;O输出端，截止输出为0，4脚为I/。（2）4脚上拉电阻接＋5V，接线方式有两种

9，光耦TLP521的极限频率应该在10K左右吧那么10K以下的脉冲信号是

有些行，有些不行。脉冲最好用时间表示，因上升时间，尤其是下降时间，影响脉冲的波形。重复频率10KHz,脉宽大于50微秒，可以通过光隔，但脉宽明显有误差，测两脉冲间隔可以，测脉宽，可能就不准确了。用9600通讯可能没有问题。仅供参考

1、光耦的输入端可以看做一个发光二极管来计算。限流20ma。输入电压减去二极管压降再除以20ma就是r1的阻值。2、r2是个纯粹的上拉电阻，只要和输出端的设备匹配并不会使光耦输出三极管电流过大即可，一般1k-100k都可以，具体选多少，要看另一段的设备需要多少电流。ctr是啥？我用了这么多年光耦没听说过，只听说过tcrt.只要你的光耦自身速度够，不用考虑。

10，请问光耦PS25011有那些重要的参数

主要的是隔离电压和最大通过电流50mA左右常用参数正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。最大额定值参数名称符号最大额定值单位 V 反向电压 5 V R I 正向电流 50 mA FM V 集-发击穿电压 100 V （BR）CEO I 集电极电流 30 mA CM T 贮存温度 -55～150 ℃ stg T 工作温度 -55～125 ℃ amb V 隔离电压 1000 V IO P 总耗散功率 80 mW tot 推荐工作条件特性符号最小值典型值最大值单位 I 输入电流 10 50 mA F V 电源电压 1 5 60 V 主要光电特性测试条件(T 特性符号 11 A=25℃±3℃) 最小典型最大单位隔离特性隔离电阻 RIO VIO=500V 1010 Ω 上升时间 tr 10 μs V 开关特性下降时间 tf CC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D：1/2 10 μs I V 反向电流 R R=5V 0.01 1.0 μA LED 输入特性 V I 正向电压 F F=10mA 1.2 1.4 V CTR 电流传输比 VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω 60 180 % 集-发饱和电压 VCE（sat） VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ 0.1 0.4 V 晶体管输出特性 I V 集-发截止电流 CEO CE=5V，IF=0 0.01 1.0 μA

有很多可以代替，2501其实就是817,当中最为常用的就是el817和pc817，当然还要选择正确的档位，或者去调节电阻。扣扣：807907537欢迎一起讨论

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