电解电容器D值在多少范围，有些电解电容标识1500mfd是多少

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1，有些电解电容标识1500mfd是多少

1500MFD 表示电解电容的容量是1500uF（微法）

有1cm宽白线的是负极 tdkcn@qq.com给我图片马上回复

有些电解电容标识1500mfd是多少

2，电容的Q值和D值指的是什么

在弹跳的下降过程中 `使人在着地时减少缓冲`使之尽量的减少对脑部的冲击和损伤``

q值为品质因素，d 值为损耗角因素，也叫tan&损耗角。q值相当于d值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，q值越高，其损耗越小，效率越高。一般电解电容器因为内阻较大故d值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则d值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, hi-k type 及s/c type为0.025以下. t/c type其规格以q值表示需高于400-1000.

电容的Q值和D值指的是什么

3，求D的值是多少

Q值相当于D值的倒数。损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000.注：XC=-j/(2πfC)；XL=j(2πfL)根据损耗因子D的定义：D=1/Q=R/|X|>0 将前面的公式代入，得到：如果可以忽略电极间的泄漏，即Rp的阻抗无穷大（或远远大于相对于容值C的阻抗），损耗因子D的计算公式大大简化为：如果信号频率远远小于SRF谐振频率，则X C >>X L , 即X L 可以忽略，则公式进一步简化即上面提到的：由图可见，电容器的引线电感将随着频率的升高而降低电容器的特性。如果引线电感与实际电容器的电容谐振，这将会产生一个串联谐振，使总电抗趋向为0W。由于这个串联谐振产生一个很小的串联阻抗，所以非常适合在射频电路的耦合和去耦电路中应用。然而，当电路的工作频率高于串联谐振频率时，该电容器将表现为电感性而不是电容性。

求D的值是多少

4，电解电容的国标是什么电解电容的国家标准是什么

电解电容器的容值，取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值，也就是交流电容值，随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。在标准JISC 规定：铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 Hz，最大交流电压为 0.5rms，DC bias 电压为1.5 ～ 2.0 的条件下进行。可以断言，铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。 2、损耗角正切值 Tan δ 在电容器的等效电路中，串联等效电阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ，这里的 ESR 是在 Hz 下计算获得的值。显然，Tan δ 随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大。 3、阻抗 Z 在特定的频率下，阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗（Z）。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关，且与 ESR 也有关系。 Z = √ [ESR2 + (XL - XC)2 ] 式中，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfC XL = ωL = 2πfL 电容的容抗（XC）在低频率范围内随着频率的增加逐步减小，频率继续增加达到中频范围时电抗（XL）降至 ESR 的值。当频率达到高频范围时感抗（XL）变为主导，所以阻抗是随着频率的增加而增加。 4、漏电流电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。 5、纹波电流和纹波电压在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”，其实就是 ripplecurrent，ripple voltage。含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。它们和ESR 之间的关系密切，可以用下面的式子表示： Urms = Irms × R 式中，rms 表示纹波电压 Irms 表示纹波电流 R 表示电容的 ESR 由上可见，当纹波电流增大的时候，即使在 ESR 保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高。换言之，当纹波电压增大时，纹波电流也随之增大，这也是要求电容具备更低 ESR 值的原因。叠加入纹波电流后，由于电容内部的等效串连电阻（ESR）引起发热，从而影响到电容器的使用寿命。一般的，纹波电流与频率成正比，因此低频时纹波电流也比较低。

电容器不是机械零件，没有尺寸上的严格要求，连尺寸规格都没有限定，即一个容量、耐压相同的电容器，外壳尺寸可以不一样的，更别说规格的公差了。

5，电容的指标

容的型号命名： 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。第二部分：用字母表示材料。第三部分：用数字表示分类。第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法：（1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。（2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。（3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V （4）进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。第一项：用字母表示类别：第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示：序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差 1 A 金 +100 R 黄 -220 2 B 灰 +30 S 绿 -330 3 C 黑 0 T 蓝 -470 4 G ±30 U 紫 -750 5 H 棕 -30 ±60 V -1000 6 J ±120 W -1500 7 K ±250 X -2200 8 L 红 -80 ±500 Y -3300 9 M ±1000 Z -4700 10 N ±2500 SL +350~-1000 11 P 橙 -150 YN -800~-5800 备注：温度系数的单位10e -6/℃；允许偏差是 % 。第四项：用数字和字母表示耐压，字母代表有效数值，数字代表被乘数的10的幂。第五项：标称容量，用三位数字表示，前两位为有效数值，第三为是10的幂。当有小数时，用R或P表示。普通电容器的单位是pF，电解电容器的单位是uF。第六项：允许偏差。用一个字母表示，意义和国产电容器的相同。也有用色标法的，意义和国产电容器的标志方法相同。 3．电容的主要特性参数：（1）容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±0.5%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。（2）额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。（3）温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。（4）绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。（5）损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。（6）频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。不同品种的电容器，最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。

对于普通电解电容器，关注容量c，额定电压v，漏电流il，损耗d，对于低阻抗系列电解电容器，除了关注容量，电压，漏电流外，还要关注esr值，esr，是低阻抗系列电解电容器的一个非常重要的指标。

6，电容的参数

电容器参数及对使用设计影响在电子产品中，电容器是必不可少的电子器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源的退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，我们不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点，以及机械或环境的限制条件等。这里将对电容器的主要参数及其应用做简单说明。1. 标称电容量（ C R ）。电容器产品标出的电容量值。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低（大约在 5000pF 以下）；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中（大约在 0.005uF~1.0uF ）；通常电解电容器的容量较大。这是一个粗略的分类法。2. 类别温度范围。电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围。该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度（可以连续施加额定电压的最高环境温度）等。在电路设计中要考虑其温度范围，比如电源方面的电电解电容在低于其工作温度后会失去其滤波功能，相当于开路。）3. 额定电压（ U R ）。在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。电容器应用在高电压场和时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质 / 电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不得超过电容器的额定电压。4. 损耗角正切（ tg δ ）。在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为损耗角正切。5. ESR(Equivalent Series Resistance)串联等效电阻。理论上，一个完美的电容，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，各种原因导致电容变得不“完美”。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串连在一起，所以就起了个名字叫做“等效串连电阻”。 ESR的出现导致电容的行为背离了原始的定义。比如，我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0开始上升。但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源一类的，都使用低ESR的电容器。同样的，在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。所以在多数场合，低ESR的电容，往往比高ESR的有更好的表现。不过事情也有例外，有些时候，这个ESR也被用来做一些有用的事情。比如在稳压电路中，有一定ESR的电容，在负载发生瞬变的时候，会立即产生波动而引发反馈电路动作，这个快速的响应，以牺牲一定的瞬态性能为代价，获取了后续的快速调整能力，尤其是功率管的响应速度比较慢，并且电容器的体积/容量受到严格限制的时候。这种情况见于一些使用mos管做调整管的三端稳压或者相似的电路中。这时候，太低的ESR反而会降低整体性能。 ESR是等效“串连”电阻，意味着，将两个电容串连，会增大这个数值，而并联则会减少之。实际上，需要更低ESR的场合更多，而低ESR的大容量电容价格相对昂贵，所以很多开关电源采取的并联的策略，用多个ESR相对高的铝电解并联，形成一个低ESR的大容量电容。牺牲一定的PCB空间，换来器件成本的减少，很多时候都是划算的。和ESR类似的另外一个概念是ESL，也就是等效串联电感。早期的卷制电感经常有很高的ESL，而且容量越大的电容，ESL一般也越大。ESL经常会成为ESR的一部分，并且ESL也会引发一些电路故障，比如串连谐振等。但是相对容量来说，ESL的比例太小，出现问题的几率很小，再加上电容制作工艺的进步，现在已经逐渐忽略ESL，而把ESR作为除容量之外的主要参考因素了。顺便，电容也存在一个和电感类似的品质系数Q，这个系数反比于ESR，并且和频率相关，也比较少使用。由ESR引发的电路故障通常很难检测，而且ESR的影响也很容易在设计过程中被忽视。简单的做法是，在仿真的时候，如果无法选择电容的具体参数，可以尝试在电容上人为串连一个小电阻来模拟ESR的影响，通常的，钽电容的ESR通常都在100毫欧以下，而铝电解电容则高于这个数值，有些种类电容的ESR甚至会高达数欧姆。5. 电容器的温度特性。通常是以 20 ℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示。6. 使用寿命。电容器的使用寿命随温度的增加而减小。主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化。7. 绝缘电阻。由于温升引起电子活动增加，因此温度升高将使绝缘电阻降低。

不管是哪一类型的电容器，最常用的参数是：电容量c，单位有微法uf，皮法pf；工作电压v，单位伏v，对于高压电容器，用kv；损耗d，表征电容器工作时的发热情况，d值一般越小越好，不常用。然后是外形和封装形式，表面贴的，插脚式的，，，，，太多了。

7，电容上标有472j63值是多少

472表示该电容的电容量是4700pF。J表示该电容误差是5％，若标的是K，则表示该电容误差是10％，若是M，则表示误差是20％。后面的63表示该电容耐压值是63V。

贴片元件的识别作者：贵阳家电文章来源：长安电器点击数： 832 更新时间：2009-3-22 片状电阻的识别在数码电子产品中，电阻实物一般是片状矩形，无引脚，一个片状电阻只有一粒米大小。电阻体是黑色或浅蓝色，两头是银色镀锡层。数码电子产品中的电阻大多未标出其阻值，个别个头稍大的电阻在其表面一般用三位数表示其阻值，其中第一、二位数为有效数字，第三位数为倍乘，即有效数字后面“0”的个数，单位是ω。例如100表示10ω，102表示 1000ω即1kω。当阻值小于10ω时，以r表示，将r看作小数点，如5rl表示5.1ω。片状电容的识别在数码电子产品中，无极性普通电容的外观、大小与电阻相似，电容一般为棕色、黄色、浅灰色、淡蓝色或淡绿色等，两端为银色。无极性普通电容都很小，最小的面积只有1mm×2mm。通常电解电容的外观是长方体，个头稍大，颜色以黄色和黑色最常见。电解电容的正极一端有一条色带(黄色的电解电容色带通常是深黄色，黑色的电解电容色带通常为白色)。还有一种电容体颜色鲜艳，它是金属钽电容，其特点是容量稳定。它的突出一端为正极性，则另一端为负极性。在数码电子产品电路中，μf级(微法)的电容一般为有极性的电解电容，而pf级(皮法)的一般为无极性普通电容。电解电容由于体积大，其容量与耐压直接标在电容体上，而钽电解电容则不标其大小和耐压，可通过图纸查找。注意电解电容是有极性的，使用时正、负极不可接反。有的普通电容容量采用符号标注，在其中间标出两个字符，而大部分普通电容则未标出其容量。标注符号的意义是第一位用字母表示有效数字，第二位用数字表示倍乘，单位为pf。字母所表示的有效数字的意义参见表1、表2。例如：电容体上标有“c3字样的电容容量是1.2×10pf=1200pf片状电感的识别数码电子产品电路中电感的数量很多，有的从外观上可以辨认出来。一般是数码电子产品电源电路中的升压电感数码电子产品中还有很多lc选频电路的电感，如图3(c)所示，外表白色、浅蓝色、绿色、一半白一半黑或两头是银色的镀锡层，中间为蓝色等颜色，形状类似普通小电容，这种电感即叠层电感，又叫压模电感，可以通过图纸和测量方法将其与电容分开。片状二极管的识别二极管的类别不同在电路中的作用也不同。普通二极管用于开关、整流、隔离；发光二极管用于键盘灯、显示屏灯照明；变容二极管是一种电压控制元件，通常用于压控振荡器(vco)，改变数码电子产品本振和载波频率，使数码电子产品锁定信道;稳压二极管用于简单的稳压电路或产生基准电压。数码电子产品中二极管的外型与电阻、电容相似。有的呈矩形、有的呈柱形，一般为黑色，一端有一白色的竖条，表示该端为负极。数码电子产品中常采用双二极管封装即两个二极管组成的元件，为3～4个引脚，此时难以辨认，还会与三极管混淆，只有借助于原理图和印制板图识别，或通过测量确定其引脚。贴片三极管与场效应管(mos)的识别数码电子产品中的三极管与场效应管一般也为黑色，大多数为三只引脚，少数为四只引脚(三极管中有两个脚相通，一般为发射极e或源极s)。也有双三极管封装、双mos管封装形式。需要说明的是，晶体三极管的外形和作用与场效应管极为相似，在电路板上很难区分，只有借助于原理图和印制板图识别，判断时应注意区分，以免误判。三极管有npn、pnp两种类型，场效应管有nmos管、pmos管两种类型，其栅极g、源极s、漏极d分别对应于三极管的基极b、发射极e、集电极c。但与三极管相比，场效应管具有很高的输入电阻，工作时栅极几乎不取信号电流，因此它是电压控制元件。 mos管使用注意事项：mos管的输入阻抗高，这样很小的输入电流都会产生很高的电压，使管子击穿。因此拆卸场效应管时需使用防静电的电烙铁，最好使用热风枪。另外栅极不可悬浮，以免栅极电荷无处释放而击穿场效应管。也有双三极管、双场效应管封装方式。一类是单纯的两个管子封装在一起，还有一类是两个管子有逻辑关系，如构成电子开关等。贴片稳压电路的识别稳压块主要用于数码电子产品的各种供电电路，为数码电子产品正常工作提供稳定的、大小合适的电压。应用较多的主要有5脚和6脚稳压块，外观与双三极管、双场效应管封装方式类似。如爱立信788、t18，三星600等数码电子产品较多地使用了这类稳压块。稳压块实物如图所示。当控制脚为高电平时，输出脚有稳压输出。一般在稳压块表面有输出电压标称值，例如：“28p”表示输出电压是2.8v。贴片集成电路的识别集成电路用字母ic表示。ic内最容易集成的是pn结，也能集成小于1000pf的电容，但不能集成电感和较大的组件，因此，ic对外要有许多引脚。将那些不能集成的元件连到引脚上，组成完整的电路。由于ic内部结构很复杂，在分析集成电路时，重点是ic的主要功能、输入、输出、供电及对外呈现出来的特性等，并把其看成一个功能模块，分析ic的引脚功能，外围组件的作用等。由于ic有许多引脚，外围组件又多，所以要判断ic的好坏比较困难，通常采用在线测量法、触摸法、观察法(损坏或大电流时，加电发烫、鼓包、变色及裂纹等)、按压法(观察数码电子产品工作情况，从而判断ic是否虚焊)、元件置换法和对照法等。数码电子产品电路中使用的ic多种多样，有射频处理ic、逻辑ic、电源ic、锁相环ic等。ic的封装形式各异，用得较多的表面安装集成ic的封装形式有小外型封装，四方扁平封装和栅格阵列引脚封装等。 1．小外型封装小外型封装又称sop封装，其引脚数目在28之下，引脚分布在两边，数码电子产品电路中的存储器、电子开关、频率合成器、功放等集成电路常采用这种sop封装。 2．四方扁平封装四方扁平封装适用于高频电路和引脚较多的模块，简称qfp封装，四边都有引脚，其引脚数目一般为20以上。如许多中频模块、数据处理器、音频模块、微处理器、电源模块等都采用qfp封装。对于小外型封装和四方扁平封装的ic，找出其引脚排列顺序的关键是先找出第1脚，然后按照逆时针方向确定其他引脚。确定第1脚方法：ic表面字体正方向左下脚圆点为1脚标志；或者找到ic表面打“·”的标记处，对应的引脚为第1脚。 3．球形栅格阵列内引脚封装球形栅格阵列内引脚封装又称bga封装，是一个多层的芯片载体封装，这类封装的引脚在集成电路的“肚皮”底部，引线是以阵列的形式排列的，其引脚是按行线、列线来区分，所以引脚的数目远远超过引脚分布在封装外围的封装。利用阵列式封装，可以省去电路板多达70％的位置。bga封装充分利用封装的整个底部来与电路板互连，而且用的不是引脚而是焊锡球，因此还缩短了互连的距离。目前，许多数码电子产品，如摩托罗拉l2000型手机的电源ic、诺基亚8810型手机的cpu、数码照相机和数码摄录像机的cpu与dsp处理芯片、数码照相机的sd卡处nic、数码摄录像机的录像信号处理芯片等都采用这种封装形式。