怎么判断led芯片是多少瓦，怎样识别led灯珠贴片的瓦数

来源：整理时间：2023-04-24 12:40:58 编辑：亚灵电子网手机版

1，怎样识别led灯珠贴片的瓦数

您好，瓦数即等于灯珠的功率，电压 * 电流=功率

怎样识别led灯珠贴片的瓦数

2，LED芯片大小区分功率区分

这个问题太笼统。LED芯片主要是以尽寸来区分的，单位是mil.常用的SMDLED　芯片尺寸有：9mil,10mil,14mil,超高亮的用10X24mil功率好说了，一般常用SMD3528,12Vx20mA,估算值为0.08W.功率没有什么好区分的，只要电压X电流就行了。

LED芯片大小区分功率区分

3，求解功率型led灯怎么辨别是多少瓦的

有分类型，简单的说说吧小功率的（如5mm草帽形、5mm聚光型、3528封装的等），约0.06W,中功率的（如8mm草帽形、10mm草帽形、5050封装的等）0.2W-0.5W，大功率的有1W、3W、5W、10w…100w。

不明白啊 = =！

求解功率型led灯怎么辨别是多少瓦的

4，LED灯的芯片怎么区分30W 40W不会被商家忽悠了谢谢大神指教

要区分30W或者40WLED灯的芯片，首先可以从光源芯片的数量来区分，如果每个小芯片是1W的，30颗的就是30瓦的光源，40颗的就是40瓦的光源。如下参考图一般光源的背面或者外包装上都印有额定的规格参数，可以提供参考。其次可以通过一些测试设备进行点亮区分。输入光源上的额定电压，看点亮后的电流和功率参数来区分。在额定的电压上能达到多大的功率的就是多大的LED光源。这一般需要借助直流电源和功率计或者LED专用的测试仪等机器设备。

5，如何区分LED功率大小

大功率LED就代表着该芯片发光效率高，质量好，技术含量高，因此，现在越来越多的LED商家在做宣传的时候往往会说自己的产品是大功率LED，其实，这其中有一个关键性的判断点。真正的大功率指的是单颗超过1W的半导体外延晶片，晶片经过封装才形成LED芯片。因此，这并不意味着单颗超过1W的芯片就是大功率LED，而要看封装前的晶片是不是超过了1W。也就是说大功率LED与小功率LED的最关键区别在于晶片是不是超过了1W。如果是许多1W以下（如0.1、0.5W）的晶片封装成一个芯片，封装成100W也还是小功率LED，并不是真正意义的大功率LED，其发光效率、技术含量仍属于小功率范畴。

这个问题太笼统。led芯片主要是以尽寸来区分的，单位是mil.常用的smd led 芯片尺寸有：9mil, 10mil, 14mil, 超高亮的用10x24 mil功率好说了，一般常用smd 3528, 12vx20ma, 估算值为0.08w.功率没有什么好区分的，只要电压x电流就行了。

应该是根据芯片大小来确定的吧，像正常1W的大多数用45*45的芯片，国内有些用38*38的来做。

6，led灯珠怎么判别是多少瓦

大功率型LED封装技术二、功率型LED 封装技术现状由于功率型LED 的应用面非常广，不同应用场合下对功率LED 的要求不一样。根据功率大小，目前的功率型LED 分为普通功率LED 和W 级功率LED 二种。输入功率小于1W 的LED（几十mW 功率LED除外）为普通功率LED；输入功率等于或大于1W 的LED 为W 级功率LED。而W 级功率LED 常见的有二种结构形式，一种是单芯片W 级功率LED，另一种是多芯片组合的W 级功率LED。1．国外功率型LED 封装技术：（1）普通功率LED 根据报导，最早是由HP 公司于1993 年推出“食人鱼”封装结构的LED，称“Super flux LED”，并于1994年推出改进型的“Snap LED”，其外形如图1 所示。它们典型的工作电流，分别为70mA 和150mA，输入功率分别为0.1W 和0.3W。 Osram 公司推出“Power TOP LED”是采用金属框架的PLCC 封装结构，其外形图如图2 所示。之后其他一些公司推出多种功率LED 的封装结构。其中一种PLCC-4 结构封装形式，其功率约200~300mW，这些结构的热阻一般为75~125℃/W。总之，这些结构的功率LED 比原支架式封装的LED 输入功率提高几倍，热阻下降几倍。（2）W 级功率LED W 级功率LED 是未来照明的核心部分，所以世界各大公司投入很大力量，对W 级功率封装技术进行研究开发，并均已将所得的新结构、新技术等申请各种专利。单芯片W 级功率LED 最早是由Lumileds 公司于1998 年推出的Luxeon LED，其结构如图3 所示，根据报导，该封装结构的特点是采用热电分离的形式，将倒装芯片用硅载体直接焊接在热沉上，并采用反射杯、光学透镜和柔性透明胶等新结构和新材料，提高了器件的取光效率并改善了散热特性。可在较大的电流密度下稳定可靠的工作，并具有比普通LED 低得多的热阻，一般为14~17℃/W，现有1W、3W 和5W的产品。该公司近期还报导［1］推出Luxeon III LED 产品，由于对封装和芯片进行改善，可在更高的驱动电流下工作，在700mA 电流工作50000 小时后仍能保持70%的流明，在1A 电流工作20000 小时能保持50%的流明。 Osram 公司于2003 年推出单芯片的“Golden Dragon”系列LED［2］，其结构特点是热沉与金属线路板直接接触，具有很好的散热性能，而输入功率可达1W。我国台湾UEC 公司（国联）采用金属键合（Metal Bonding）技术封装的MB 系列大功率LED［3］其特点是用Si 代替GaAs 衬底，散热好，并以金属黏结层作光反射层，提高光输出。现有LED 单芯片面积分别为：0.3×0.3mm2、1×1mm2 和2.5×2.5mm2 的芯片，其输入功率分别有0.3W 、1W 和10W，其中2.5×2.5mm2芯片光通量可达200lm，0.3W 和1W 产品正推向市场。多芯片组合封装的大功率LED，其结构和封装形式较多，这里介绍几种典型的结构封装形式：①美国UOE 公司于2001 年推出多芯片组合封装的Norlux 系列LED［4］，其结构是采用六角形铝板作为衬底，如图5 所示，铝层导热好，中央发光区部分可装配40 只芯片，封装可为单色或多色组合，也可根据实际需求布置芯片数和金线焊接方式，该封装的大功率LED 其光通量效率为20lm/W，发光通量为100lm。②Lanina Ceramics 公司于2003 年推出采用公司独有的金属基板上低温烧结陶瓷（LTCC-M）技术封装的大功率LED 阵列［5］，有二种产品：一种为7 元LED 阵列，光通量为840lm，功率为21W。另一种是134 元LED 阵列，光通量为360lm，功率134W。由于LTCC-M 技术是将LED 芯片直接连接到密封阵列配置的封装盒上，因此工作温度可达250℃。③松下公司于2003 年推出由64 只芯片组合封装的大功率白光LED［6］，光通量可达120lm，采用散热性能优良的衬底，把这些芯片封装在2cm2 的面积中，其驱动电流可达8W，这种封装中每1W 输入功率其温升仅为1.2℃。④日亚公司于2003 年推出号称是全世界最亮的白光LED，其光通量可达600lm，输出光束为1000lm时，耗电量为30W，最大输入功率为50W，提供展览的白光LED 模块发光效率达33lm/W。有关多芯片组合的大功率LED，许多公司根据实际市场需求，不断开发很多新结构封装的新产品，其开发研制的速度是非常快。2．国内功率型LED 封装技术国内LED 普通产品的后工序封装能力应该是很强的，封装产品的品种较齐全，据初步估计，全国LED 封装厂超过200 家，封装能力超过200 亿只/年，封装的配套能力也是很强的，但是很多封装厂为私营企业，目前来看规模偏小。国内功率型LED 的封装，早在上世纪九十年代就开始，一些有实力的后封装企业，当时就开始开发并批量生产，如“食人鱼”功率型LED。国内的大学、研究所很少对大功率LED 封装技术开展研究，信息产业部第13 研究所对功率型LED 封装技术开展研究工作，并取得很好的研究成果，具体开发出功率LED 产品。国内有实力的LED 封装企业（外商投资除外），如佛山国星、厦门华联等几个企业，很早就开展功率型LED的研发工作，并取得较好的效果。如“食人鱼”和PLCC 封装结构的产品，均可批量生产，并已研制出单芯片1W 级的大功率LED 封装的样品。而且还进行多芯片或多器件组合的大功率LED 研制开发，并可提供部分样品供试用。对大功率LED 封装技术的研究开发，目前国家尚未正式支持投入，国内研究单位很少介入，封装企业投入研发的力度（人力和财力）还很不够，形成国内对封装技术的开发力量薄弱的局面，其封装的技术水平与国外相比还有相当的差距。三、功率型LED 产业化关键的封装技术半导体LED 要作为照明光源，常规产品的光通量与白炽灯和荧光灯等通用性光源相比，距离甚远。因此，LED 要在照明领域发展，关键要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型LED 所用的外延材料采用MOCVD 的外延生长技术和多量子阱结构虽然其外量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型LED 的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增大芯片面积，加大工作电流来提高器件的光电转换效率，从而获得较高的发光通量。除了芯片外，器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有：1、散热技术传统的指示灯型LED 封装结构，一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250~300℃/W，新的功率型芯片若采用传统式的LED 封装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。因此，对于大工作电流的功率型LED芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型LED 器件的技术关键。采用低电阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热；甚至设计二次散热装置，来降低器件的热阻。在器件的内部，填充透明度高的柔性硅橡胶，在硅橡胶承受的温度范围内（一般为-40℃~200℃）,胶体不会因温度骤然变化而导致器件开路,也不会出现变黄现象。零件材料也应充分考虑其导热、散热特性，以获得良好的整体热特性。2、二次光学设计技术为提高器件的取光效率，设计外加的反射杯与多重光学透镜。3、功率型LED 白光技术常见的实现白光的工艺方法有如下三种：1）蓝色芯片上涂上YAG 荧光粉，芯片的蓝色光激发荧光粉发出典型值为500nm~560nm 的黄绿光，黄绿光与蓝色光合成白光。该方法制备相对简单，效率高，具有实用性。缺点是布胶量一致性较差、荧光粉易沉淀导致出光面均匀性差、色调一致性不好；色温偏高；显色性不够理想。2）RGB 三基色多个芯片或多个器件发光混色成白光；或者用蓝+黄绿色双芯片补色产生白光。只要散热得法，该方法产生的白光较前一种方法稳定，但驱动较复杂，另外还要考虑不同颜色芯片的不同光衰速度。3）在紫外光芯片上涂RGB 荧光粉，利用紫光激发荧光粉产生三基色光混色形成白光。但目前的紫外光芯片和RGB 荧光粉效率较低，环氧树脂在紫外光照射下易分解老化。我司目前已采用方法1）和2）进行白光LED 产品的批量生产，并已进行了W 级功率LED 的样品试制。积累了一定的经验和体会，我们认为照明用W 级功率LED 产品要实现产业化还必须解决如下技术问题：①粉涂布量控制：LED 芯片+荧光粉工艺采用的涂胶方法通常是将荧光粉与胶混合后用分配器将其涂到芯片上。在操作过程中，由于载体胶的粘度是动态参数、荧光粉比重大于载体胶而产生沉淀以及分配器精度等因素的影响，此工艺荧光粉的涂布量均匀性的控制有难度，导致了白光颜色的不均匀。②芯片光电参数配合：半导体工艺的特点，决定同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数（如波长、光强）和电学（如正向电压）参数差异。RGB 三基色芯片更是这样，对于白光色度参数影响很大。这是产业化必须要解决的关键技术之一。③根据应用要求产生的光色度参数控制：不同用途的产品，对白光LED 的色坐标、色温、显色性、光功率（或光强）和光的空间分布等要求就不同。上述参数的控制涉及产品结构、工艺方法、材料等多方面因素的配合。在产业化生产中，对上述因素进行控制，得到符合应用要求、一致性好的产品十分重要。4、测试技术与标准随着W 级功率芯片制造技术和白光LED 工艺技术的发展，LED 产品正逐步进入（特种）照明市场，显示或指示用的传统LED 产品参数检测标准及测试方法已不能满足照明应用的需要。国内外的半导体设备仪器生产企业也纷纷推出各自的测试仪器，不同的仪器使用的测试原理、条件、标准存在一定的差异，增加了测试应用、产品性能比较工作的难度和问题复杂化。我国光学光电子行业协会光电子器件分会行业协会根据LED 产品发展的需要，于2003 年发布了“发光二极管测试方法（试行）”，该测试方法增加了LED 色度参数的规定。但LED 要往照明业拓展，建立LED照明产品标准是产业规范化的重要手段。5、筛选技术与可靠性保证由于灯具外观的限制，照明用LED 的装配空间密封且受到局限，密封且有限的空间不利于LED 散热，这意味着照明LED 的使用环境要劣于传统显示、指示用LED 产品。另外，照明LED 处于大电流驱动下工作，这就对其提出更高的可靠性要求。在产业化生产中，针对不同的产品用途，制定适当的热老化、温度循环冲击、负载老化工艺筛选试验，剔除早期失效品，保证产品的可靠性很有必要。6、静电防护技术蓝宝石衬底的蓝色芯片其正负电极均位于芯片上面，间距很小；对于InGaN/AlGaN/GaN 双异质结，InGaN 活化簿层仅几十nm，对静电的承受能力很小，极易被静电击穿，使器件失效。因此，在产业化生产中，静电的防范是否得当，直接影响到产品的成品率、可靠性和经济效益。静电的防范技术有如下几种：①生产、使用场所从人体、台、地、空间及产品传输、堆放等实施防范，手段有防静电服装、手套、手环、鞋、垫、盒、离子风扇、检测仪器等。②芯片上设计静电保护线路。③LED 上装配保护器件。厦门华联电子有限公司长期从事半导体LED 及其它光电子器件的研制、生产。目前在功率LED 方面，已具备食人鱼、PLCC 功率型LED 产品的量产能力。目前已有三基色芯片的PLCC 功率型LED 用于室外装饰应用产品出口欧美市场。在多芯片混色白光技术应用方面，已有彩色显示模块出口。W 级功率型LED已经研制出R、Y、G、B、W 色，两种外形样品。IF=350mA 下的光效分别约为14lm/W、11lm/W、12lm/W、4lm/W 和11.5lm/W，目前可提供样品试用。四、结束语我国LED 封装产品主要是普通小功率LED，同时还具有一定的功率型LED 封装技术和水品。但由于多种原因，我国大功率LED 封装技术水平总体来说与国际水平还有相当的差距。为了加快发展LED 封装技术水平，我们建议：1．国家要重点支持LED 前工序外延、芯片有实力的重点研究单位（大学）和企业，集中优势，重点突破前工序的关键技术难点，尽快开发并生产有自主产权的1W、3W、5W 和10W 等大功率LED 芯片，只有这样，才能确保我国大功率LED 的顺利发展。2．国家要重点扶植几家有实力的大功率LED 封装企业，研发有自主产权的LED 封装产品，并要达到规模化的生产程度，参与国际市场竞争。3．要重视荧光粉、封装环氧等基础材料的研究开发及产业化工作。4．根据市场要求，开发适应市场的各种功率型LED 产品，首先瞄准特种照明应用的市场，并逐步向普通照明灯源市场迈进。参考文献：［1］Compound Semiconductor 2003.9(10)［2］Elektronik 2003.3［3］Compound Semiconductor 2002.8(8)［4］Compound Semiconductor 2001.5［5］Compound Semiconductor 2003.9(7)［6］Compound Semiconductor 2003.9(4)

7，如何区分1W 2W LED

区分1W 2W LED方法：　　由于LED上面没有标志，弄混了是很难直接区分的。　　1、可以把两个LED接电源来测试对比就可以看出来的。比如：接3V电源，输出电流0.3A，看哪个LED的灯更亮，哪个就是1W的。　　2、可以拿0.5W,1W,3W 的LED进行对比,单芯片LED功率的大小主要取决于 LED芯片的大小。

你好： LED 一般为1W、3W、5W，目前最高是5W，没听说有2W的，识别只有专业的检测手段才行，个人是没有办法的做到的。

w=万。如果我的回答能帮到您，希望采纳为答案。。谢谢 ↓ ↓ ↓ ↓

把电压表调整到3V，如果电流小于300mA就是1W的，如果电流大于300mA就是3W的。如果你知道额定电压是多少，点额定电压查看电流，就更准确了。因为1W的LED是350mA的，3W的远远大于这个电流。而两种LED的电压是一样的。

理论上没有1W 2W LED之分，因为散热良好的情况下1W的LED能当2W的用。设计产品时1W的LED一般都会工作在1.2-1.5W左右，这样产品的性价比才高。哈哈！用1W LED的钱做2W LED的事！当然，使用国内小公司的LED就不能这样使用了，因为他们为了节约成本会把里面的晶元减少（他们也想节约成本把0.5W的晶元当1W的买）。

8，如何分辨大功率LED的功率

这种灯珠是大功率的支架，有的厂家用小尺寸芯片来充当一W用，比如用24MIL的芯片，你短时间使用是没有问题的，可以破坏的话，把盖揭了，看芯片的大小，

外观是看不出来的，1W灯珠的电流是350mA，0.5W的是150mA，可以用150mA试下，看亮度一样不。

大功率led作为第四代电光源，赋有“绿色照明光源”之称，具有体积小、安全低电压、寿命长、电光转换效率高、响应速度快、节能、环保等优良特性，必将取代传统的白炽灯、卤钨灯和荧光灯而成为21世纪的新一代光源。普通led功率一般为0.05w，工作电流为20ma，大功率led可以达到1w,2w,甚至数十瓦！工作电流可以是几十毫安到几百毫安不等。大功率led作为照明光源具有体积小、耗电小、发热小、寿命长、响应速度快、安全低电压、耐候性好、方向性好等优点。外罩可用pc管制作，耐高温达135度.，低温-45度　　1.使用寿命：大功率led路灯使用寿命高达50,000小时以上　　2.节能：比高压钠灯节电80%以上　　3.绿色环保。大功率led路灯不含铅、汞等污染元素，对环境没有任何污染　　4.安全：耐冲击，抗震力强，led发的光在可见光范围内，无紫外线（uv）和红外（ir）辐射。无灯丝和玻璃外壳，没有传统灯管碎裂的问题，对人体无伤害、无辐射；　　5.无高压，不吸灰尘。消除了普通路灯因高压吸收灰尘导致灯罩发黑引起的亮度降低；　　6.无高温，灯罩不会老化发黄。消除了普通路灯因高温烘烤灯罩使其老化发黄引起的亮度降低和寿命的缩短；　　8.启动无延时。led在纳秒级，通电即达正常亮度，无须等待，消除了传统led路灯长时间的启动过程；　　9.无频闪。纯直流工作，消除了传统路灯频闪引起的视觉疲劳；　　10.无不良眩光。消除普通大功率led路灯的不良眩光所引起的刺眼、视觉疲劳与视线干扰，提高驾驶的安全性，减少交通事故的发生。