平行电场与电流强度之比就是电阻率。当电流垂直于外部磁场通过半导体时，载流子将发生偏转，并产生一个垂直于电流和磁场方向的额外电场，从而在半导体两端产生电势差，这种现象就是霍尔效应，这种电位差也称为霍尔电位差（霍尔电压），这种现象就是霍尔效应，导体两端产生的电位差通常称为霍尔电压。
正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。原理:当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子将发生偏转，并产生一个垂直于电流和磁场方向的额外电场，从而在半导体两端产生电势差。这种现象就是霍尔效应，这种电位差也叫霍尔电位差。这种电位差也称为霍尔电位差。当电流通过垂直于外磁场的导体时，导体垂直于磁场和电流方向的两端面之间会产生电位差，这就是霍尔效应。
当在垂直于磁场的方向上施加电流时，携带电流的带电粒子将被磁场力偏转，导体两侧的电荷将重新分布，从而产生内部电场。实质上，霍尔效应是磁场中运动的带电粒子的洛伦兹力引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被限制在固体材料中时，大量研究揭示，不仅带负电荷的电子，而且带正电荷的空穴也参与材料的导电过程。
霍尔效应是一种电磁效应。霍尔电压VH=RH*Ix*Bz/d，其中RH为霍尔常数，与材料的性质有关。霍尔发现了。这种偏转导致正负电荷在垂直于电流和磁场的方向上积累，从而形成额外的横向电场。它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频响宽、输出电压变化大、寿命长的优点，
根据霍尔效应、霍尔元件的特性。如图所示，当载流导体板置于磁场中时，磁场的方向垂直于电流的方向，导体板的两侧ab之间将出现横向电势差U，由物理学家霍尔发现。人们使用半导体材料制作霍尔元件，霍尔效应在应用技术中尤为重要，霍尔元件具有结构牢固、体积小、重量轻、寿命长、安装方便、功耗低和高频（高达。
