场效应晶体管的导通电压是P沟道MOS晶体管是普通场效应晶体管，其导通条件是VGS电压为负且电压的绝对值大于最小导通电压。低于大多数场效应晶体管的导通电压，无法完成测试，条件是VGS电压为负，并且电压的绝对值大于最小导通电压，FET的主要参数:Idss—-饱和漏源电流，它指结型或耗尽型绝缘栅FET。
因此，mos晶体管的最大导通电压为栅极电压。ut-漏极-源极刚关断时的导通电压。场效应管和三极管的工作电压和电流都是由制造工艺决定的，所以有这么多型号供我们选择。FET本身有很多型号，N型和P型，细分更多，空间有限。我可以把需要的信息发给你。三极管的导通电压，漏极电流。上夹断电压。它指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管。
万用表的X应用于测试绝缘栅FET。一般来说，具体要求是:栅极（G）和源极（S）之间的电压高于导通电压（Ugs（th），该电压包含在FET的数据表中。一般来说，FET通常在开关状态下工作，也就是说，它在饱和区和截止区之间切换。根据国家标准“安全电压”的信息，mos管的导通起始电压为，
档位，内部电池电压至少是，取决于是P沟道场管还是N沟道场管，它们的驱动电压是不同的，P沟道驱动电压低，而N沟道驱动电压低于，内部电池电压只有，是的，但低电压下的导通电阻高于高电压下的导通电阻，也就是说，当电流变化时，输出电压也相应变化。栅极电压UGS=，GS电极之间的最高电压不能超过，关于。），且小于。
