总之，防反向二极管是电路中的重要保护元件。P-MOS管防反接电路的导通条件是栅极和源极之间的电压Vgs，这是pmos管，你记得的是nmos管，两者正好相反，你只要反过来理解就行了，GS之间的负压是导电的，S到D是正压。采用MOS管的防反接保护电路的基本电路如下图中的:D是防反接MOS的寄生二极管，很容易分析和画出原理。
设计人员需要考虑在电路设计中使用防反向二极管来保护电路的正常工作。FET保护电路:电阻与二极管并联，然后与电容串联。MOS晶体管是一种电压控制的半导体器件，可分为P-MOS和N-MOS，其内阻很小（压降小）。我们可以利用其开关特性来控制电路的导通和关断，以设计一种防反接保护电路。
它用于消除MOS在开关状态下连接到电感或变压器时产生的反电动势。反向偏置二极管与功率MOS晶体管并联。当电池极性没有反转时，D正偏导通，Q的GS极从电池正极经过F和R。当产生直流偏压时，外部电场和自建电场的相互抑制增加了载流子的扩散电流并引起正向电流（即导电的原因）。
一般用于开关电源的开关管。电子管可以吸收一定程度的能量，这是受SOA电气限制的，二极管最常见的功能是只允许电流单向通过（称为正向偏置），而阻止电流反向通过（称为反向偏置）。它的作用非常重要，可以防止反向电流损坏其他元件，也有一些继电器使用。MOS结构固有的寄生双极晶体管具有与其他双极晶体管相同的缺点，尤其是热击穿。
