纳米芯片的制造工艺与传统芯片有什么不同？弯曲媒体报道:华为芯片由SMIC制造，该技术是在被制裁前获得的。这将导致全球芯片产业链发生重大变化，美国芯片霸权可能不再维持，根据阿斯麦的说法，中国大陆生产芯片的设备进展不快，而且遇到了很大困难，中国现在是否也可以走向压印制造芯片设备的想法，是否比目前的方法更有前途。
此外，台积电在美国投资巨资建厂，未来是否能出售所有生产的芯片仍是未知数。与此同时，这些盟友也非常清楚一个事实，即遏制越是受到压制，中国就越有可能制造出所需的芯片。到那时，就不是市场被取代那么简单了，或者说中国根本不会自己玩自己。如果是这样，哭就来不及了。更令人不解的是，即使投入数百亿美元在美国建设芯片工厂，这笔巨额投资未来能否获得回报仍是一个未知数。
制造精度:制造纳米芯片需要更高的制造精度和控制水平。据传闻，美国存储芯片巨头Micron可能会放弃EUV光刻机，转而采用佳能的NIL设备。与传统芯片相比，纳米芯片的制造工艺有以下主要区别:光刻技术:一个纳米芯片需要更先进的光刻技术来实现更小的特征尺寸。但美国没有计算在内的是，我们已经能够开发自己的芯片。即使他们让盟友增加控制，也不会对我们产生太大影响，但他们自己的经济将受到损害。
材料选择:为了满足纳米芯片的要求，可能有必要探索和使用新材料。说实话，每个人都知道中国制造高端芯片只是时间问题。国产量子芯片已实现1500批次制造。任郑飞:美国的耳光唤醒了我们，量子芯片时代将避免封锁的痛苦。这可能包括使用更先进的测试设备和方法，以及开发适用于小尺寸芯片的封装技术。
集成:纳米芯片的集成度将更高，这意味着在相同的芯片面积上可以容纳更多的晶体管和其他组件。EUV光刻机一直被认为是制造5纳米以下芯片的唯一选择，其地位一度不可动摇，有人认为这可能是美光降低成本的选择，但也有人担心这可能会导致全球半导体行业的动荡。其次，巨额投入能否带来相应回报也是未来的一大未知数。
