单片机驱动的推挽谐振电源模块。此外，我们还详细讲解了常见的单元电路，如三极管开关电路、恒流源电路、负电压电源产生电路、自举电容充电电路、N型MOSFET驱动电路、推挽电路、三角波产生电路、方波产生电路、降压电路、迟滞比较器、锁存电路、PID电路、滤波电路、EMI滤波电路、镜像电流源电路、电流检测电路、比较器内部电路等等。
它与高压侧的驱动电路基本相同，但不同之处在于驱动电路具有不同的DC电源。低压侧驱动电源与主电路接地，由一组20V DC电源和一组5V参考DC电源提供给低压侧三路驱动电路共用电源。IGBT驱动电流和驱动功率的计算在选择IGBT驱动芯片时，需要计算最大驱动电流。通常，峰值电流由栅极电压和栅极电阻决定。
图（b）显示了低压侧驱动电路。在设计和使用推挽电路时，需要注意驱动电源、输入信号和温度控制。高压侧驱动电路的DC电源为独立的浮地电源，通过稳压电路获得5V参考电压。这是一个PWM方波控制的电机驱动电路。我们还分享了三个实际项目的详细说明:反激式开关电源、正激式开关电源和LLC开关电源。
探索推挽电路:推挽电路由两个互补的输出级组成，可以提供高效稳定的信号传输和功率放大。韩国LG逆变器的IGBT系列驱动电路的工作原理如图A所示，其中VL1是光耦合和隔离的，电阻R3和晶体管Q1Q13形成推挽输出，稳压器ZD1ZD15的电阻R37是提高抗干扰能力的栅极限制保护电路。
最后，我们还详细讲解了各种MOSFET的驱动电路，并提供了详细的电路分析思路，希望能帮助您更好地掌握电路设计的方法和技巧，并发现和改进您自己电路设计的缺陷。不检查同步电路和推挽驱动电路，直接更换IGBT和整流器模块，不连接灯泡，直接测试机器太危险了，为了提高驱动芯片的输出能力，可以采用推挽电路进行放大，其中BJT晶体管是一种常用的方式。
