电压型设备在控制端输入控制电压信号以激励设备运行。这个说法指的是压控器件和电流控制器件，而二极管是不可控器件，所以不能从这个角度定义，电流模式设备将控制电流信号注入控制端子以激励设备运行，其中，每种类型又可分为许多不同的类型:根据电力电子器件可由控制电路信号控制的程度，半受控器件，如晶闸管；完全受控的设备，例如（可门控晶闸管）。
其中，每种类型又可分为许多不同的类型:根据电力电子器件可由控制电路信号控制的程度，半受控器件，如晶闸管；全控器件，如（门极可关断晶闸管）和GTR（巨型晶体管）。全控型电力电子器件是指通过控制电流方向和开关时间等参数来调节电流的电子器件。压控器件有MOSFET、IGBT等。当高电平电压信号施加到其栅极时，它将导通，当电压信号变低时，该器件将关断。
半导体MOS晶体管和老式真空管是电压控制器件。根据电力电子器件受控制电路信号控制的程度，分为半控器件，如晶闸管；全控器件，如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（巨型晶体管）、MOSFET（功率场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管）。常见的全控型电力电子器件主要有可控硅、三端双向可控硅和RCT。
这个符号是场效应晶体管，它是一种电压型控制元件。该元件的控制信号电流可以很小，它在此电路中用作整流元件，即输出是可控的。改变VGS的电压可以控制工作电流ID。电流控制器件，如三极管，当电流注入其基极时就会导通。半导体三极管，也称为晶体管和晶闸管，是电流模式器件。在适当的控制电路下，IGBT可以控制DC电流的输出大小和电流输出波形。
IGBT，绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成的复合全控压驱动功率半导体器件。电力电子器件有四大类！全控型器件MOSFET更适用于高频低功率场合，为了使增强型N沟道MOSFET工作，应在G和S之间施加正电压VGS，并在D和S之间施加正电压VDS，这将产生正向工作电流ID。
