mos管的工作频率一般多少，什么型号的mos管硬开关频率能达到100kHz以上额定电流最好有几十

来源：整理时间：2023-10-18 01:20:23 编辑：亚灵电子网手机版

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1，什么型号的mos管硬开关频率能达到100kHz以上额定电流最好有几十
2，三极管和mos管开关频率
3，mosfet体二极管用作整流二极管在多大的频率下工作
4，mos管关断时间有多大
5，IBGT跟MOS管有什么区别
6，MOS管逆变直流焊机的工作频率是多少
7，开关电源MOS管的问题
8，为什么MOS管开关频率越高电流反越小啊

1，什么型号的mos管硬开关频率能达到100kHz以上额定电流最好有几十

100kHz并不是太高的，你只要考虑电流就行了，像IRFP250能达到30A的！手打不易，如有帮助请采纳，谢谢！！

别的牌子不清楚，但东芝肯定有。mos管本来就以开关频率高见长，所以你还要给出另一个参数，电压要求是多少呢？600v? 900v?

什么型号的mos管硬开关频率能达到100kHz以上额定电流最好有几十

2，三极管和mos管开关频率

三极管和MOS管是两种不同类型的半导体器件，它们都可以用来控制电路中的信号。三极管是一种电子元件，它可以放大、抑制或改变电路中的信号，而MOS管是一种可控制的开关，可以用来控制电路中的信号。三极管的开关频率取决于其结构，一般来说，它的开关频率可以达到几十兆赫，而MOS管的开关频率则取决于其结构，一般来说，它的开关频率可以达到几千兆赫。因此，三极管的开关频率要低于MOS管的开关频率。

三极管和mos管开关频率

3，mosfet体二极管用作整流二极管在多大的频率下工作

可以，一般寄生二极管可通过的电流为MOSFET本身可以通过的电流。只不过他的压降会大一些，反向恢复时间会长一些，如果频率不高的话，还是没有问题的。实在不行换一个或者在硬之城上面找找这个型号的资料

耐压=场效应管耐压，其特性是：电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流，方向n沟道的是源极为正！如果你是想用mos进行同步整流，利用mosfet的到通电流无方向的特点、漏极为负，利用体二极管方向进行整流，p沟道相反，失去整流电流时要同时关断mos，则是将mos倒着接，同时在产生整流电流时驱动mos导通对于增强型场效应管或者说现在常用的功率mosfet，漏极到源极之间有一个本体二极管

mosfet体二极管用作整流二极管在多大的频率下工作

4，mos管关断时间有多大

mos管关断时间有多大，答：mos管导的开关频率不是固定。理论上可以达到几十MHz或以上，原来的模拟示波器输入端就用MOS管，这样输入阻抗高，有500MHz的。常见的开关电源中，其工作频率一般情况下不超百kHz，大部分是几十kHz，这主要是对周边器件要求高。MOS管在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

5，IBGT跟MOS管有什么区别

你写错了，应该是IGBT。IGBT与MOS管都是栅电压控制漏电流的，电压控制电流型器件。二者的区别在于，IGBT是双极型器件，也就是在其导通时，是两种载流子同时参与导电；而MOS管是单极型器件，导通时，只有一种载流子参与导电。相比较说来，IGBT的工作频率比MOS管的工作频率低，但比一般BJT的工作频率要高，但电流处理能力比MOS管强，适用于中等电压中等电流；MOS管则通常由于其频率特性较好，适用于高频低压的情形。在功率器件中，导通电流与器件耐压值之间有折中关系，同样的，导通电流、期间耐压与工作频率也有着类似的相互制约的关系。不同的器件，受其本身特性的影响，在不同方面表现出各自的优劣势，因此在使用时，需要根据不同的场合选取适当的器件。

不可以互用

6，MOS管逆变直流焊机的工作频率是多少

逆变电焊机主要是逆变器产生的逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器。是将工频（50Hz）交流电，先经整流器整流和滤波变成直流，再通过大功率开关电子元件（晶闸管SCR、晶体管GTR、场效应管MOSFET或IGBT），逆变成几kHz～几十kHz的中频交流电，同时经变压器降至适合于焊接的21-28V电压，再次整流并经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。其变换顺序可简单地表示为：工频交流（经整流滤波）直流（经逆变）中频交流（降压、整流、滤波）直流。即为：ACDCACDC 。因为逆变降压后的交流电，由于其频率高，则感抗大，在焊接回路中有功功率就会大大降低。所以需再次进行整流。这就是目前所常用的逆变电焊机的机制。

7，开关电源MOS管的问题

MOS管驱动上有个台阶是因为MOS管内的结电容引起的。这个就是所谓的开通损耗。这个问题都是MOS管本身的问题。要想驱动波形没有台阶，几乎是不可能的。求采纳为满意回答。

mos管是一个通过改变电压来控制电流的器件，有时候也被称为绝缘栅场效应管。近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率mos管作为开关管，之所以采用mos管是基于以下几方面的优势：1.输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。使用mos管做开关管，其输入阻抗高达100mω，这对激励信号不会产生压降，只要有一点电压就可驱动。2.开关速度快。开关速度在10~100ns，工作频率高达100khz以上。普通三极管由于载流子的存储效应，其开关总会存在滞后现象，进而影响开关速度。3.不存在二次击穿。

8，为什么MOS管开关频率越高电流反越小啊

因为mos有降频效果。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。这一现象明显说明变压器的初级电感很大，开关变压器的工作频率通常工作在20KHz以上，使用PWM调制控制输出电压，而非频率控制，现代开关技术可以控制实现跳频控制，但实际上并非频率控制。扩展资料：金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层。成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。参考资料来源：百度百科-mos管

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。看懂了吧

别的牌子不清楚，但东芝肯定有。mos管本来就以开关频率高见长，所以你还要给出另一个参数，电压要求是多少呢？600v? 900v?

“每秒开关5次灯泡很亮的，如果调整每秒50次灯泡只有一点红”这一现象明显说明变压器的初级电感很大，开关变压器的工作频率通常工作在20KHz以上，使用PWM调制控制输出电压，而非频率控制，现代开关技术可以控制实现跳频控制，但实际上并非频率控制。你说描述的问题，需要提供具体的参数以便分析，如工作频率，线圈电感等参数。