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单片机复位电容多少钱,STC单片机复位电路的最小电容值应该是多少

来源:整理 时间:2023-08-27 23:06:37 编辑:亚灵电子网 手机版

1,STC单片机复位电路的最小电容值应该是多少

10uf
stc单片机好像能设置引脚的状态,p3.6是不是设置为普通的i/o口?如果是则说明该口的驱动能力不足,可以将其他管脚接到该芯片上试试,如果都这样就是芯片的问题了

STC单片机复位电路的最小电容值应该是多少

2,单片机复位电路中电容类型的选择

一般STC单片机都不需要复位电路,传统51单片机的复位电路电容一般在10uF左右,这样的电容选择铝电解电容的理由是电解电容比较便宜,如果选用别的类型的电容不但体积较大而且成本相当高。举例说明一般这样容量的电解电容只要1毛钱左右,而选择CBB电容可能需要十几元钱到几十元钱,而体积则是电解电容的几十上百倍。

单片机复位电路中电容类型的选择

3,请教一个单片机复位的问题

独石电容或磁片电容不够大,单片机通电里电容能保持一会高电平,让单片机自动复位。
你要是能找到10uf的电容,无所谓什么电容的。只要你的PCB足够大还有就是你能接受电容的价格就行。注意电容的耐压应该大于你的VCC电压,一般请选择2×VCC或者3×VCC以上的耐压值。还有就是电容的容量也不一定要10uf,电阻也不一定要用8.2K,书上只是推荐一个微分电路给你而已,只要你上电时间足够的话就行了。
“当输入和显示调整好以后”怎么个调整法?还有,你按一下复位 是rst引脚,那之前数据存储器ram里的数据都会消失。
需要一个充电过程,在电阻上形成一段时间的高电平,方可使单片机复位。电解电容的充放电时间,可以满足要求。

请教一个单片机复位的问题

4,51单片机复位电路的电容可以用普通电容吗

51单片机的阻容复位电路由于存在各种缺陷使得可靠性差,现在已经基本被淘汰了。现在普遍用监控复位器件来实现上电复位和掉电复位,常用的有MAX810及其兼容器件如IMP810、STM810、TCM810、CAT810等,这类器件可以保证复位信号的脉宽和前后沿的陡峭,并且根据单片机的工作电压范围不同而有多种不同的复位门限电压的型号可选,如4.63V、4.38V、4.00V、3.08V、2.93V、2.63V,等等,价格也只几毛钱一片。

5,单片机reset复位电路引脚的 电容的取值主要什么作用晶振后接的

(1) 单片机复位电路要求有一个持续时间,加上电容可以利用其两端电压不能突变的特性,使复位电平维持一定时间,使单片机复位。单片机复位电平在其手册里可以看到 。另外这个电容还可以去除一些杂波的干扰,防止单片机被错误复位 就常用的51,复位电平的要求如下: 当单片机的复位引脚出现2个机器周期以上的高电平时,单片机就执行复位操作。如果RST持续为高电平,单片机就处于循环复位状态 所以复位引脚的电容大一点没多大关系,顶多是复位时间长一点;但如果电容太小,高电平持续时间太短,则单片机无法正常复位,就不能工作 电容通常取 10UF 或 22UF ,铝电解电容即可 (2) 晶振后面的电容是负载电容,可以用来微调晶体震荡频率,这个电容要根据所用晶体来选择,晶体规格书里面会有其负载电容的值 就常用晶体来说,20PF 即可
51单片机2uS>RC就可以了, 晶振后接的电容的取值一般20PF,30PF.

6,单片机12M晶振的复位电路中所带的电容与电阻分别应该为多大

晶振中是不会带有复位电路的,单片机复位电路中的电容与电阻参数要根据单片机要求的复位时间来确定。但是阻容复位现在已经属于被淘汰的落后复位方式,可靠性不好。建议用专用的复位电路,低电平复位的单片机可用MAX809或者兼容器件TCM809、ADM809、ASM809、STM809、IMP809等,高电平复位的单片机可用MAX810或者兼容器件TCM810、ADM810、ASM810、STM810、IMP810等,价格也很便宜,几毛钱一片,如果还要求有手动复位功能,可以选用MAX811、MAX812及其兼容器件。

7,单片机复位电路电容

你这个图没有画完整,电容的放电需要借助按键一侧联接RST引脚的电阻才可以完成 充电过程:(你的理解基本正确,说一下你的困惑处) VCC通电时,电容开始充电,充电过程中会有充电电流,并且在最开始时电流最大,随着充电时间的结束电流逐渐减小直到电容充满电后充电电流变为0,此时电路中无充电电流给电容,电容器相当于开路,这个时候才是真正意义上的隔直,所以在电源接通的一瞬间,是有通交这个过程的,在电容充电这个过程中,RST端电压却正好相反是从VCC逐渐降低到0,电容上的电压是有个从无到有的过程,这是个交流变化,因为充电电流是从大变小直到0,此过程中RST引脚会有一直保持VCC的高电平状态,导致单片机复位,(电容充放电时间常数,R和C决定)。当电容不再充电后,无电流通过,RST恒为0,单片机正常工作。 放电过程: 电容的放电是通过手动按键闭合后,通过按键一侧联接RST引脚的电阻构成回路的,放电路径是电流从电容的正极板出发经过闭合按键之后通过该电阻回到电容负极板,完成放电过程。

8,单片机复位电路中电容值

典型值10uf电容,10K电阻
你这个图没有画完整,电容的放电需要借助按键一侧联接rst引脚的电阻才可以完成充电过程:(你的理解基本正确,说一下你的困惑处) vcc通电时,电容开始充电,充电过程中会有充电电流,并且在最开始时电流最大,随着充电时间的结束电流逐渐减小直到电容充满电后充电电流变为0,此时电路中无充电电流给电容,电容器相当于开路,这个时候才是真正意义上的隔直,所以在电源接通的一瞬间,是有通交这个过程的,在电容充电这个过程中,rst端电压却正好相反是从vcc逐渐降低到0,电容上的电压是有个从无到有的过程,这是个交流变化,因为充电电流是从大变小直到0,此过程中rst引脚会有一直保持vcc的高电平状态,导致单片机复位,(电容充放电时间常数,r和c决定)。当电容不再充电后,无电流通过,rst恒为0,单片机正常工作。放电过程: 电容的放电是通过手动按键闭合后,通过按键一侧联接rst引脚的电阻构成回路的,放电路径是电流从电容的正极板出发经过闭合按键之后通过该电阻回到电容负极板,完成放电过程。

9,单片机复位电路 的电解电容 是多大 电容的额度电压 应该选那个等级

复位电路由电容与电阻串联获得,首先说说常用的51单片机的复位条件,一般单片机的RESET端在单片机正常运行时要处于低电位状态,而当RESET端获得一个一定脉宽的高电平脉冲时,单片机复位,程序从用户程序的0000H处开始运行,至于脉冲宽度要参见芯片手册,但一般51内核的单片机通常都是用10UF电解电容与10K电阻串联,电阻的一端接GND另一端接RESET端,电容的正极端接电源,负端接RESET,当系统上电时Vcc给电容充电相当于导通状态,电阻上有电流通过RESET端获得高电平,随着充电的结束相当于开路,此时相当于RESET端经电阻接GND为低电平,整个过程在RESET端形成了一个峰值为Vcc的尖脉冲,满足了单片机电解复位要求,至于电容电阻的规格,电解电容的耐压按系列标准常用的有10V、16V、25V、35V******等等,一般单片机都是5V电源,所以10uf/10v可以胜任,但考虑到原件的品质与耐久性能用16v或25v也未尝不可,而电阻一般1/16W以上的都没问题。
电解电容是滤低频用的(此处就是滤掉交流信号),串联10K的电阻是个限流电阻而已。后面输出的电压的话得看负载了啊,但是直接提供给单片机供电就是高电平,5V
可以的,只要能在电源上来的时候给单片机一个讯号就ok了

10,单片机按键上电复位电路电容C1值怎么计算我要具体公式和解释

设单片机晶振周期12M,一个机器周期是1US,,要使单片机可靠复位,高电平时间需大于2US,上电时高电平持续时间大约等于R5*C1,因此C1>2/10 k 即0.2nf即可由于考虑晶振周期可能在更低,加上大一些没有什么 关系,所以都取2到10UF
呵呵 还是俺来帮你解决吧以51单片机为例: 单片机可靠复位的时间要大于2个机器周期 如果采用12MHZ的晶振 则复位时间要大于2微妙根据上电复位电路对电容的充电时间: t=3RC=3*10*10^-6*10*10^3=0.3秒 可以保证单片机的正常复位 呵呵 满意 就给加分吧
这个,也不用算哪 !单片机芯片厂家,都已经规定好数值,公布出来了,哪里还用算?----在““满意答案””中,使用《对电容的充电时间》来代替《可靠复位的时间》。呵呵,这明显是偷换概念。上电时刻(或按下复位按键),电阻 R 上,可以在瞬间出现高电平。之后,电容 C,会充电,电阻 R 上的电压,按照指数规律下降。(3~5)RC,是充满电的时间,这时,电阻 R 上的电压,将降到 0 V。学过数字电路的人,都知道:电压,不用降到 0 V,就算是低电平了。《对电容的充电时间》,算出来约为 300ms,这是降到 0 的时间。这种方法,并不能算出来《降到低电平》的时间,究竟是多少。实际上,电压,稍稍下降,就不能算是高电平了。RST 端,处于何种电压,是低电平呢?这是厂家设计的。芯片的厂家,同时给出的复位电路所需要的 R、C 的数值。用厂家推荐的数值,即可保证高电平保持 2us。这个并不需要用户自己计算。
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