t1042是多少nm的工艺，目前cpu半导体工艺等级是多少nm

1，目前cpu半导体工艺等级是多少nm

目前主流是45nm接下来是32nm或更小

目前cpu半导体工艺等级是多少nm

2，CPUP系列与T系列是以什么来区分的

T开头是迅驰1代的U，除了T9系列的。P是迅驰2代T2370以前的T系列cpu都是90nm的工艺，T2370到T7系列都是65nm的工艺，T8，T9系列是45nm的工艺。P系列指cpu功耗为25w的笔记本用cpu。P系列从P7250开始，均为45nm工艺。

CPUP系列与T系列是以什么来区分的

3，Intel cpu构架有什么AMD 制造工艺多少nm 什么

英特尔是snb构架 32nm，amd最新的是推土机 45nm

越小温度越低谢谢合作

Intel cpu构架有什么AMD 制造工艺多少nm 什么

4，小度天天t10cpv是多少纳米工艺

T10是28nm工艺。扩展资料：小度是百度旗下人工智能助手，小度智能音箱搭载了百度对话式人工智能操作系统DuerOS，让用户以自然语言对话的交互方式，实现影音娱乐、信息查询、生活服务、出行路况等800多项功能的操作。小度搭载了百度对话式人工智能操作系统DuerOS，拥有超过1000万小时的海量有声内容，421多项生活常用技能。

5，ps3 新款超薄4012 型号的cpu gpu 是多少纳米工艺的

CPU 40nm GPU 45nm 薄版和4xxx型都是一样的限量版的硬件配置和普通的完全一样 4xxx硬件改进就是有改小了散热片换了光驱功耗降低了一点点

你好！bzd不知道希望对你有所帮助，望采纳。

6，Intel CPU中的T系列P系列和E系列SU系列有什么区别

P系列是刚出的迅驰2的处理器,（P8600，P8400）不过T系列也有迅驰2平台的。（T9600，T9400）性能上P系列总体上比T系列强，而且工艺更先进，功耗较低，不过迅驰2代的笔记本刚上市，价格比较高，T系列一般够用了，性价比较高P的功耗发热控制的比较好T 和 P是TDP的不同还有SP U系列，P比T的热设计功耗低T是35W的U，P是25W的U看看英特尔怎么说的T: Mobile Highly Performance——偏重于高性能P: Power Optimized Energy Efficient higher Performance——偏重于高效能SP: Power Optimized Performance SSF——偏重于节能LV: Low Voltage——低电压版uLV: Ultra Low Voltage——超低电压版QX: Quad-Core Extreme——四核极致性能X: Extreme——极致性能T和P最大的区别在于TDP……性能嘛，要看具体型号的了！主要差距是价格同频率的话P系列节能效果要好一点，T系列的性能要好一点。P系列和T系列命名的主要区别在于热功耗不同，P系列为25W优于T系的35W，现在笔记本常用的P系CPU主要有P7350，P8400，P8600，P9500 P9500明显在各方面高于T7，T8 而P8400，P8600与T7，T8的中低端CPU（如T7300，T7500，T8100）相比有一定优势，但由于二级缓存只有3M，很难说高于T7700，T8300这样的主频，二级缓存都较高的CPU，总体水平相差不多T系列处理器现在是主流的处理器型号，但是发热量比较高，达到35W，但是也是现下主流的处理器。 P处理器是英特尔在08年7月15号发布的新一代迅驰2低功耗版处理器，功耗降到25W，但是性能相应的比T处理器提高了30%，图形性能提高了10%~~的。T开头是迅驰1代的U(除了T9XXX) P开头算真正的迅2.。T系列指的是cpu功耗在35w的笔记本用cpu。 T2370以前的T系列cpu都是90nm的工艺，T2370到T7系列都是65nm的工艺，T8，T9系列是45nm的工艺。 P系列指cpu功耗为25w的笔记本用cpu。 P系列从P7250开始，均为45nm工艺。 P系列cpu是与迅驰2平台一起发布的，主要特点在减少了10w的功耗，使得cpu发热更少，工作公稳定，电池续航时间更长，但相应的相比同主频的T系列cpu运算能力少有下降。两个系列无好坏之分，迅驰2的笔记本，两个系列的cpu都有选用。T系列强调运算能力，P系列强调低功耗。所以一般商务本会选用P系列，而娱乐本选用T系列。 P的TDP 是25W T的TDP 是35WT系列中有迅驰4.5 和 5（INTEL一定要叫迅2 我也没办法） P系列全是迅驰5（迅2 ）的资金充裕就买P系列的！

7，22nm工艺的下一代将是多少nm

14nm。硅晶体的理论极限数字（大约为9nm到11nm），不过英特尔仍疯狂地表示，在2015年之前将推出8nm的移动芯片。

不是一有先进工艺就拿出用的,10nm技术intel已经研制出来了,为什么haswell还用22nm intel当然有自己的考虑.

发展是趋势，我们就慢慢等吧。

14nm

如果有下一代，单位就不是nm了。

等待中～

8，第五代intel处理器采用多少纳米技术工艺

第五代英特尔酷睿处理器采用Broadwell架构，14nm制程工艺。较前一代处理器相比，芯片体积减少37%，但晶体管数量却增加了35%，性能提升24%。相比第四代酷睿产品，第五代酷睿图形图像性能提升12倍，在实现更强性能的同时，续航时间反而延长1.5小时。这就使得用户在体验时，性能更强，续航时间更长。

这是intel一代代的制造工艺。数字越小越好但工艺也要求越高。不是指质量上的问题而是指晶体管之间的距离。距离越短，晶体管数量就可以越多，漏电就会得到有效遏制。90nm大概是很早以前的工艺了，一直为赛扬，奔腾等所采用。65nm是从酷睿的第一代开始有的，是非常成功的工艺，在65nm的帮助下，英特尔凭借酷睿的超强性能和远低于amd双核速龙的功耗赢得了市场，将以往的冷淡一扫而空。45nm开始于酷睿第二代，应该说是酷睿的成熟版本。更改不是特别的大，但性能依然猛增，功耗却没上升，这不得不说是个奇迹。现在酷睿i7也采用了这个工艺。

9，CPU的制作工艺多少NM是怎么回师

每一级工艺下单一芯片中所能集成的晶体管数目有一个上限，线宽越小，集成度越高，而晶体管集成度通常也是区分同一类超大规模集成电路性能高低的重要指标。比如假设用180nm工艺生产45nm酷睿处理器，就不仅仅是芯片面积变大了，而是根本就加工不出来——良品率会极低。此外，更精密的工艺生产出的VLSI功耗更小、发热更低，可以稳定工作在更高的频率下，当年著名的显卡 nVidia Riva TNT2 ultra，就是在 TNT2 原版的基础上将加工工艺从 250nm 改为 220nm，结果工作频率大大提高，性能提升显著。

你好! 通常我们所说的CPU的“制作工艺”指得是在生产CPU过程中，要进行加工各种电路和电子元件，制造导线连接各个元器件。通常其生产的精度以微米（长度单位，1微米等于千分之一毫米）来表示，未来有向纳米（1纳米等于千分之一微米）发展的趋势，精度越高，生产工艺越先进。在同样的材料中可以制造更多的电子元件，连接线也越细，提高CPU的集成度，CPU的功耗也越小。制造工艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势是向密集度愈高的方向发展，。密度愈高的IC电路设计，意味着在同样大小面积的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高。芯片制造工艺在1995年以后，从0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、90纳米一直发展到目前最新的65纳米，而45纳米和30纳米的制造工艺将是下一代CPU的发展目标。

nm是对于生产CPU的晶圆说的 CPU的核心是在一片基片上生产的，这个基片就是晶圆上切割下来的一部分一般的晶圆的制程越小CPU上集成的半导体数量也就越多，而且功耗都会降低！但是这也是有限度的，至于限度，你可以在网上找到得

10，CPU的45纳米工艺是指什么

概述：英特尔45纳米高K半导体制程技术全称为英特尔45纳米高K金属栅硅制程技术。该技术突破性的采用金属铪制作具有高K特性的栅极绝缘层，是半导体行业近40年来的重要创新。英特尔的65纳米制程升级为45纳米制程技术并非以往升级所带来的量变，而是脱胎换骨的飞跃。凭借制程的创新，英特尔迈出TICK-TOCK产品发展战略稳健的又一步，并拉开了半导体行业发展的历史新篇章。这一创新再次延续了摩尔定律，使之在未来10年继续有效。随着英特尔45纳米半导体制程技术揭开神秘面纱，一系列采用该技术的服务器、工作站及台式机处理器同期发布。较前代产品，新产品在性能、能耗比以及经济性方面有显著提高，并将在正式发布后向市场供货。预览英特尔45纳米制程技术创新英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术是英特尔制造晶体管的新方法，它以一种具有高k特性的新材料作为“栅极电介质”，并采用了一种新型金属材料作为晶体管的“栅极”。向这些新材料组合的转变，标志着40多年来晶体管制造方式最重大的变革。采用英特尔45纳米高k晶体管的优势全新英特尔45纳米高k晶体管方案通过缩小晶体管的体积解决了漏电率问题。它能降低晶体管的漏电率，帮助英特尔的工程师们在提供更高性能的同时降低处理器的能耗。同时，笔记本电脑用户也将发现，漏电率的降低使得能耗也随之减少，电池的使用时间更长了。英特尔在新制程技术中采用的新材料高k材料基于一种名为铪的元素，而不是以往的二氧化硅；而晶体管栅极则由两种金属元素组成，取代了硅。多数晶体管和芯片仍基于先进的英特尔硅制程技术制造。新的方案中结合了所有这些新材料，是英特尔提升处理器性能的独特手段。采用金属铪的价值所在铪是元素周期表中的72号元素，也是一种金属材料。它呈银灰色，具有很高的韧性和防腐性，化学特性类似于锆。英特尔之所以在45纳米晶体管中采用铪来代替二氧化硅，是因为铪是一种较厚（thicker）的材料，它能在显著降低漏电量的同时，保持高电容来实现晶体管的高性能。这项创新技术引导我们推出了新一代45纳米处理器，并为我们将来生产体积更小巧的处理器奠定了基础。

详细像你解释一下吧你看完了希望能茅塞顿开！ CPU的发展史也可以看作是制作工艺的发展史。如果想要提高CPU的性能，那么更高的频率、更先进的核心以及更优秀的缓存架构都是不可或缺的，而此时自然也需要以制作工艺作为保障。几乎每一次制作工艺的改进都能为CPU发展带来最强大的源动力，无论是Intel还是AMD，制作工艺都是发展蓝图中的重中之重，如今处理器的制造工艺已经走到了45纳米的新舞台，它将为新一轮CPU高速增长开辟一条康庄大道。很多用户都对不同的CPU的制作工艺非常熟悉，然而如果问他们什么是制作工艺，65纳米、45纳米代表的是什么，有什么不同，这些问题他们未必能够准确地解答，下面我们就一起来详细了解一下吧。一、铜导互连的末代疯狂：45纳米制作工艺几乎每一次制作工艺的改进都会给CPU发展带来巨大的源动力。以如今炙手可热的Pentium4为例，从最初的0.18微米到随后的65纳米，短短四年中我们看到了惊人的巨变。如今，45纳米制作工艺再一次突破了极限，这也被视为是铜导互连技术的最终畅想曲。1．制作工艺的重要性早期的微处理器都是使用0.5微米工艺制造出来的，随着CPU频率的增加，原有的工艺已无法满足产品的要求，这样便出现了0.35微米以及0.25微米工艺，不久以后，0.18微米、0.13微米以及90纳米制造的处理器产品也相继面世。另外一方面，早期芯片内部都是使用铝作为导体，但是由于芯片速度的提高，芯片面积的缩小，铝线已经接近其物理性能极限，所以芯片制造厂商必须找出更好的能够代替铝导线的新的技术，这便是我们常说的铜导技术。铜导线与铝导线相比，有很大的优势，具体表现在其导电性要优于铝，而且电阻小，所以发热量也要小于现在所使用的铝，从而可以有效地提高芯片的稳定性。我们今天所要介绍的65纳米技术也是向着这一方向发展。光刻蚀是目前CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，其过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜，刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程，设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步。制作工艺对于光刻蚀的影响十分巨大，这也就是CPU制造商疯狂追求制作工艺的最终原因。2．何谓45纳米制作工艺我们通常所说的CPU纳米制作工艺并非是加工生产线，实际上指的是一种工艺尺寸，代表在一块硅晶圆片上集成所数以万计的晶体管之间的连线宽度。按技术述语来说，也就是指芯片上最基本功能单元门电路和门电路间连线的宽度。以90纳米制造工艺为例，此时门电路间的连线宽度为90纳米。我们知道，1微米相当于1/60头发丝大小，经过计算我们可以算出，0.045微米（45纳米）相当于1/1333头发丝大小。可别小看这1/1333头发丝大小，这微小的连线宽度决定了CPU的实际性能，CPU生产厂商为此不遗余力地减小晶体管间的连线宽度，以提高在单位面积上所集成的晶体管数量。采用45纳米制造工艺之后，与65纳米工艺相比，绝对不是简单地令连线宽度减少了20纳米，而是芯片制造工艺上的一个质的飞跃如今最新的45纳米制造工艺可以在不增加芯片体积的前提下，在相同体积内集成多将近一倍的晶体管，使芯片的功能得到扩展。毫无疑问，信位宽度越小，晶体管的极限工作能力就越大，这也意味着更加出色的性能。对于Core架构的Intel处理器而言，更高的主频有着很大的意义，而且新的制作工艺令集成更多缓存变得轻而易举。下表是历代微处理器与制作工艺发展之间的关系：微处理器制作工艺工作主频中位数二级缓存

就是指CPU内核的制造工艺，越底的数字，代表更先进的技术，下一代45NM为主打，目前是65NM

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