贴片电容损耗角多少，怎么测试电容损耗角能说的详细点吗

来源：整理时间：2023-05-10 04:00:05 编辑：亚灵电子网手机版

本文目录一览

1，怎么测试电容损耗角能说的详细点吗
2，电容的介质损耗角测量方法
3，电容损耗角
4，这是贴片电容的损耗角正切值可是不会算
5，贴片电容一般允许多大的容差
6，哪个高手晓得电子元件贴片电容特性参数有哪些急求答案谢谢
7，大家好请问谁那里有电容ESR损耗角等那方面的参数资料能不能给

1，怎么测试电容损耗角能说的详细点吗

国产同惠，国外HP和安捷伦的电桥都可以，四端头别接错了，使用频率120HZ

你的膜怎么样？有没有变过厂家，还有你的热压机的热压怎么样，查查

怎么测试电容损耗角能说的详细点吗

2，电容的介质损耗角测量方法

电感、电容、电阻参数测量仪，不仅能自动判断元件性质，而且能将符号图形显示出来，并显示出其值。其还能测量Q、D、Z、Lp、Ls、Cp、Cs、Kp、Ks等参数,且显示出等效电路图形。

电容的介质损耗角测量方法

3，电容损耗角

实际电容器并不是理想的纯电容电路，由于极板间电介质总会有一些漏电，因此实际的电容器相当于一个电容与电阻的串联电路，在这个电路中，电压与电流之间的相位差角的余角称为损耗角．南风检测仪器网 www.jcyq.net 业内领先的仪器行业网站，免费电子商务平台

电容损耗角

4，这是贴片电容的损耗角正切值可是不会算

电容的损耗角正切值是电容的电损耗的比例；如果对一个电容加上一个电压，除了对电容充电的电流外还有漏掉的电流（电容的漏电流），漏电流被消耗成了热能，因此表示为电阻上的电流。漏电流与纯电容的充电电流之比就是电容损耗角正切值（注意：理论上纯粹的电容是不耗电功率的）。如有其它电容问题，可与allencheng@khttek.com 交流.

原理上有：电桥法，包括西林电桥法与变压器电桥法；谐振法，包括变q值法与变电纳法。有专用的仪器仪表供应。

损耗角正切值是电容电损耗的比例，如果对一个电容加上一个电压，除了对电容充电的电流外还有漏掉的电流（电容的漏电流），漏电流被消耗成了热能，因此表示为电阻上的电流。漏电流与纯电容的充电电流之比就是电容损耗角正切值（理论上纯粹的电容是不耗电功率的），这个值越小，电容的性能越好。

5，贴片电容一般允许多大的容差

贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法， 04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸（mm）英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.301808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.001812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.502225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.503035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00

根据材质的不同 NPO 它的TCR是 30ppm，所以他们的精度比较高B=±0.1pF，C=±0.25pF，D=±0.5pF，X5R,X7R TCR是15%，所以他们的的精度一般都是5%，10%，Y5V TCR是 : +22 to -82%，所以他的精度一般是Z 20%

根据不同的电容性质有不同的误差范围，有5%、10%、30%~50%等。

6，哪个高手晓得电子元件贴片电容特性参数有哪些急求答案谢谢

如今电子产品越来越小，越来越薄，就拿手机来说，从90年代初的大哥大，到如今的iphone4，这中间进步的不只是设计者，更多的是手机里的电子元件，从最初的电池一样大的插件电容到现在小的看不到的贴片电容，那么，如今的贴片电容具有哪些特性和参数呢？下面应用平尚科技的《产品知识手册》给大家讲解一下：（1）容量与差错：实践电容量和标称电容量答应的最大差错规模。通常运用的容量差错有：J级±5%， K级±10%，M级±20%。精细电容器的答应差错较小，而电解电容器的差错较大，它们选用不一样的差错等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的标明办法一样。用字母标明：D级—±0.5%；F级—±1%； G级—±2%；J级—±5%；K级—±10%；M级—±20%。（2）额外作业电压：电容器在电路中可以长时间安稳、牢靠作业，所接受的最大直流电压，又称耐压。对于布局、介质、容量一样的器材，耐压越高，体积越大。（3）温度系数：在必定温度规模内，温度每改变1℃，电容量的相对改变值。温度系数越小越好。（4）绝缘电阻：用来标明漏电巨细的。通常小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻通常较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。（5）损耗：在电场的效果下，电容器在单位时间内发热而耗费的能量。这些损耗首要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来标明。（6）频率特性：电容器的电参数随电场频率而改变的性质。在高频条件下作业的电容器，因为介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而添加。别的，在高频作业时，电容器的散布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，城市影响电容器的功能。所有这些，使得电容器的运用频率受到限制。不一样种类的电容器，最高运用频率不一样。小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只要8MHZ。测评贴片电容功能，从三个方面进行，首先是贴片电容的四个惯例电功能，即容量Cap. 损耗DF，绝缘电阻IR和耐电压DBV，通常地，X7R产物的损耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500欧*法，BDV>2.5Ur.其次是贴片电容的加快寿数功能，在125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下，芯片应本领100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。再次就是产物的耐热冲击功能，将电容浸入300deg.c锡炉10秒，多做几粒，显微镜下调查能否有外表裂纹，然后可测验容量损耗并与热冲击前比照分辨芯片能否内部裂纹。贴片电容在电路上出现问题，有可能是贴片电容自身质量不良，亦有可能是设计时选择标准欠佳或是在外表贴装机械力热冲击等对贴片电容形成必定的损伤等要素形成如果想知道更多可以到电源在线网去看一下，有这方面的专业知识介绍。

要求说明五大元件（电阻、电感、电容、二极管、三极…9676

①容量。②耐压。③损耗角。④Q值。⑤频率。⑥误差值。⑦频率漂移值。

1.电容量2.容量误差3.耐压值4.温度系数5.频率响应6.损耗角正切7.串联等效电阻

7，大家好请问谁那里有电容ESR损耗角等那方面的参数资料能不能给

贴片电容(单片陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。一 NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。封装 DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。封装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF 三 Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。封装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF 1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 10℃ --- 85℃ 温度特性 22% ---- -56% 介质损耗最大 4% 四 Y5V电容器 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。 Y5V电容器的取值范围如下表所示封装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF 1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF Y5V电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围 -30℃ --- 85℃ 温度特性 22% ---- -82% 介质损耗最大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。 ESR值就是等效串联电阻阻值。 ESL值等效串联电感值。这两个值是描述电容的两重要参数－阻抗、感抗。也是形成容抗的基础。 ESR值并不时越少越好,有些场合很少容易引起震荡,要看实际运用场合,大部分场合还是希望越小越好!红细胞沉降率(erythrocyte sedimentation tate,ESR）是指红细胞在一定条件下沉降的速度而言，简称血沉。在健康人血沉数值波动于一个较狭窄范围内。在许多病理情况下血沉明显增快。红细胞沉降是多种因素互相作用的结果。