一块晶圆切割多少射频芯片，晶圆是如何切割成片的

1，晶圆是如何切割成片的

用晶圆切割机切割，用水来切割的

晶圆是如何切割成片的

2，cpu是怎样做的

其实cpu呢是在一块很大的晶圆上集成很多的晶体管,然后再切割下来,一般呢,中心的芯片体质较好,所以做出来的较为高端. 就拿奔腾E系列来说把它共分为:E2140,E2160,E2180,E2200 核心频率分别是:1.6,1.8,2.0,2.2GHz E2200就是体质最好的了, E2140最次其实内存颗粒等等都是根据这个原则做出来的

cpu是怎样做的

3，CPU和显卡的上十亿个晶体管是一个一个拼接上去的吗

用激光在晶圆上蚀刻出来的! 拼得话,不现实!

是激光微雕上去的。

不是拼接上去的，而是在一整块上面打孔，然后再填充一些别的东西

电脑瓶装的！

把一个圆柱切割成一片一片的，在每块一块圆晶上切出许多核心纳米技术....流水线..........

不是，是蚀刻出来的

CPU和显卡的上十亿个晶体管是一个一个拼接上去的吗

4，cell处理器多少钱

INQ认为fab生产一块Cell晶圆需要9000-10000美元，而IBM可以从每块晶圆得到65块合格的芯片。如果这个数字没错的话，那产量看来不会很大。这样，每块未经加工的Cell的售价差不多要150美元左右，另外还要25-30美元的封装费。假定配合Cell的主板需要175美元，那么这两项的费用就要占到整个游戏机的一半了。再加上GPU、内存和硬盘，差不多就要亏本销售了。希望在PS3上市前Cell的产量能得到大幅提高。每块晶圆上大概能分割出200个芯片，每个“方格”两个，因此IBM有望将成本在降低100美元左右。

5，值得一看从沙子到芯片看处理器是怎样炼成的

清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域(绿色部分)也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。第五阶段合影晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。

抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含20多层复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。第七阶段合影

单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999％。第一阶段合影硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说，这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧？

第八阶段合影单个内核：内核级别。从晶圆上切割下来的单个内核，这里展示的是Core i7的核心。封装：封装级别，20毫米/1英寸。衬底(基片)、内核、散热片堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。衬底(绿色)相当于一个底座，并为处理器内核提供电气与机械界面，便于与PC系统的其它部分交互。散热片(银色)就是负责内核散热的了。

溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。蚀刻：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。

晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。事实上，Intel自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企业那里直接购买成品，然后利用自己的生产线进一步加工，比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是，Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。第二阶段合影光刻胶(Photo Resist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。

6，CPU的制作过程

1 硅提纯 2 切割晶圆 3 影印（Photolithography） 4 蚀刻(Etching) 5 重复、分层 6 封装 7 多次测试 1 硅提纯在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米，而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。 2 切割晶圆硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。一般来说，晶圆切得越薄，相同量的硅材料能够制造的CPU成品就越多。 3 影印（Photolithography）在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。这是个相当复杂的过程，每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述。 4 蚀刻(Etching) 这是CPU生产过程中重要操作，也是CPU工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，CPU的门电路就完成了。 5 重复、分层为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。重复多遍，形成一个3D的结构，这才是最终的CPU的核心。每几层中间都要填上金属作为导体,以保持各层电路的连通。层数决定于设计时CPU的布局，以及通过的电流大小。一个完整的CPU内核包含大约20层. 6 封装经过上一步操作的CPU是一块块晶圆，它还不能直接被用户使用，必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中，这样它就可以很容易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同，但越高级的CPU封装也越复杂，新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定性的提升，并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。 7 多次测试测试是一个CPU制造的重要环节，也是一块CPU出厂前必要的考验。这一步将测试晶圆的电气性能，以检查是否出了什么差错，以及这些差错出现在哪个步骤（如果可能的话）。接下来，晶圆上的每个CPU核心都将被分开测试。每块CPU将被进行完全测试，以检验其全部功能。某些CPU能够在较高的频率下运行，所以被标上了较高的频率；而有些CPU因为种种原因运行频率较低，所以被标上了较低的频率。最后，个别CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果问题出在缓存上，制造商仍然可以屏蔽掉它的部分缓存，这意味着这块CPU依然能够出售，只是它可能是Celeron等低端产品。当CPU被放进包装盒之前，一般还要进行最后一次测试，以确保之前的工作准确无误。根据前面确定的最高运行频率和缓存的不同，它们被放进不同的包装，销往世界各地。

7，求IC基础知识

一般来说我们对IC 的概念只停留在它是芯片或集成电路，或者是外观五花八门的小小的东西上面。对它究竟是什么？它是怎么来？它为什么外表各种各样？我们的了解可能不是很多，下面通过对IC 的生产工序流程和其结构发展历史方面的简述，希望让大家对IC 大体上有一个初步的把握。一，电子元器件的相关概念和分类1，概念电子元器件：分为半导体器件和电子元件，它们是电子工业发展的基础，它们是组成电子设备的基本单元，属于电子工业的中间产品。IC（集成电路）是电子元器件中的一种半导体器件。微电子技术：一个国家的核心技术是指微电子技术，而微电子技术是指能够处理更加微小的电磁信号的技术，所谓微电是区别于强电（例如照明用电）和弱电（例如电话线路）而言。微电子技术的代表就是IC 技术，主要产品就是IC。2，分类电子元器件分两类：半导体器件和电子元件半导体器件包括：半导体分立器件，半导体集成电路，特殊功能的半导体器件，其它器件。电子元件包括：电阻，电容，电感/线圈，电位器，变压器，继电器，传感器，晶体，开关，电池/电源，接插件/连接器，其他电子元件。二， IC的生产工序流程普通硅沙（石英砂，沙子）－－>分子拉晶（提炼）－－>晶柱（圆柱形晶体）－－>晶圆（把晶柱切割成圆形薄片）－－>光刻（俗称流片，即先设计好电路图，通过激光暴光，刻到晶圆的电路单元上）－－>切割成管芯（裸芯片）－－>封装（也就是把管芯的电路管脚，用导线接到外部接头，以便与其它器件连接。）详细流程注解： 1，业已确认，占地壳物质达到28%的石英在地表层呈现为石英砂石矿。用电弧炉冶炼石英砂将其转变成冶金等级硅。通过一步一步去除杂质的处理工艺过程，硅经历液态，蒸馏并最终再沉积成为半导体等级的硅棒，其硅的纯度达到99.999999%。随后，这些硅棒被机械粉碎成块并装入石英坩埚炉中加热熔化至1420摄氏度。 2，将一个单晶籽晶（种）导入熔化过程中，随着籽晶转动，晶体渐渐生长出来。几天之后，慢慢地将单晶提取出来，结果得到一根一米多长的硅棒，视其直径大小，硅棒的价值可高达8000美元到16000美元。这些纯硅单晶棒，每根重量达到（120公斤）； 3，随后被金刚石锯床切成薄薄的圆晶片。这些薄片再经过洗涤、抛光、清洁和接受入眼检测与机器检测；最后通过激光扫描发现小于人的头发丝宽度的1/300的表面缺陷及杂质，合格的圆晶片交付给芯片生产厂商。 4，芯片结构设计人员设计好电路版图，完整的设计图传送给主计算机并经电子束曝光机进行处理，将这些设计图“刻写”在置于一块石英玻璃上的金属薄膜上，制造出掩膜。制作芯片是对薄膜进行重复进行涂光敏胶、光刻和腐蚀的组合处理，掩膜起着一个很像照相制版的负片作用。精确调准每个掩膜最为重要：如果一个掩膜偏离几分之一微米（百万分之一），则整个硅圆片就报废不能用。当光通过掩膜照射，电路图就“印制”在硅晶片上。每一个芯片大约需用20个掩膜，这些掩膜要在整个工艺过程棗从硅圆片到制造最终的芯片包括几百个工艺的流程的不同的位置点上定位。最终一块硅圆片能够做出一定数量的芯片。 5，一旦完成芯片制作过程，硅圆片在金刚石切割机床上被分切成单个的芯片，到此的单个芯片被称为“管芯”（DIE）。将每个管芯分隔放置在一个无静电的平板框中，并传送至下一步，管芯被插装进它的封装中。芯片封装保护管芯避免受环境因素影响，同时提供管芯和电路板通讯所必需的电连接，封装好的芯片在随后的使用中将要安装固定在电路板上。