mos用作隔离G极电压是多少，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

来源：整理时间：2023-01-03 05:05:25 编辑：亚灵电子网手机版

1，MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的，会击穿。

MOS场效应管源极栅极漏极电压分别是多少伏

2，MOS管G极电压可以加多大

MOS管导通时栅极电压是2.5伏左右。20伏是极限电压。

MOS管G极电压可以加多大

3，谁知道MOS管正常工作的话 G与D之间电压是多少

是DS（工作）电流的函数，理想的为二次根式型。一般G高于S约1～2V。楼主概念有误：G与D没有什么定量的联系，只要D高于G就可以正常工作。

你好！不知道如有疑问，请追问。

没有固定值要试情况而定

谁知道MOS管正常工作的话 G与D之间电压是多少

4，mos管的gs最大反向电压

20V。GS极的耐压值，正向和反向都是20V，超出这个值，管子会坏需要注意。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。

5，mos参数问题

首先irf540n是N-MOS；通常用与低端（边）驱动，接地端，导通条件4V<=Vgs<=10V；P-MOS一般才是用作高端（边）驱动；参数说明：1&2 问题不全；3 栅极对源极的电压，即导通电压最高4V（可靠导通，最好Vgs要大于4V）；4 栅极对源极的耐受电压，导通情况下测量得10V（这没说是最大值，但姑且按它是最大值吧）；5 漏极对源极的耐受电压为100V。

6，MOS管的开启电压是什么是指G极的电压吗如果是哪需要多少V

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。扩展资料无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。参考资料来源：百度百科-mos管

7，开关电源MOS管G极的稳压管是多少伏

你这个问题没有给定具体的mos管的型号等相关参数，因此无法给出保护栅级的稳压管为多少V。选着合适的保护栅级的稳压管，理论上最大值要小于mos管的栅源击穿电压V（br）gs；在实际工作中要看该mos管栅电压工作范围，稳压管等于或略小于其栅工作电压最大值即可。总之，要根据mos管型号去找其规格书，根据规格书要求来定，不是随便给出的。

保护g极的稳压管一般是15——18v，如果确定驱动电压不会超过mos管g极的极限电压，不用稳压管保护也是可以的。

8，请问保护隔离G极是有那里控制

一块大石头掉水里了怎么没有响声呀

楼主的这个说的我也是头都晕了.首先.G极19V肯定是不对的.它要是低电压,D与S才能导通.那你就查与G极相联的电路.我想,你跑了这么多,你可能是跑到电池的充放电电路上吧.因为从你所说的元件好像是这样的.你可能把线路跑偏了.冷静一会,再仔细看看.

错别字太多

直接飞线

9，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。

你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。

大约1.2v。。。。。。。。。。

从电路上看，大概11V左右。