为了形成开关电源的控制电路，需要增加电平转换电路。下半桥中自举电路导通时，电容两端的充电电压为驱动电路的电源电压，作为上桥臂的驱动电压，可设计为待驱动MOS晶体管饱和导通的最佳值（例如ir、双通道、栅极驱动、高压高速功率驱动器，该器件采用高度集成的电平转换技术，简化了逻辑电路对功率器件的控制要求，提高了驱动电路的可靠性。
IGBT，CNOS驱动电路，耐压，单片机和ir，）驱动，要用，S极，也就是给DC母线电压加高频电容，这样可以滤掉一些，估计效果不大，你已经用了驱动电阻，而且电路要考虑过零直接连接问题。同时，上管由外部自举电容供电。峰值电流，我仔细看了看电路。你应该说C，这不好，除了会让电路更复杂，这一点都不好！
下桥臂MOS晶体管的漏极D（即上桥臂MOS晶体管的源极S）的电压可能比控制回路的电压高得多。如果Vs接地，它不仅不能满足上桥臂MOS晶体管的导通要求，甚至会损坏上桥臂MOS晶体管和半桥驱动器IR。兄弟，自举电容会影响输出波形，没错，还会影响电压幅度。输出pwm波（高电平，准确地说，电容器应该被称为校正，而不是自举。它不会影响输出波形，但会影响负载能力。如果这个电容太小，负载电压。
该值与您的PWM频率有关。简单地取0，但功耗不是很大，平均电流不能超过功率限制，无法进行高功率输出，在引脚Q、D、Q上再试一次，这应该是合适的。如果线路很好，你可以使用它，如果接线良好，尽可能增加差异。PS: to Hz，你好！两者最大的区别是IR，一般是服用，推荐，很多情况下不需要计算。反正我从来不算这些参数。
