一种小D容量逆变电源具有推挽逆变电路、全桥逆变电路和高频升压电路。推挽式逆变电路的电路结构相对简单，如图所示，按逆变器主电路形式可分为单端逆变器、推挽逆变器、半桥逆变器和全桥逆变器，有三种q型反相器电路，推挽电路，将上升，这些组合构成了单端（正激和反激），推挽，半桥和全桥在主电路的隔离逆变器。
无论是隔离型还是非隔离型，主逆变电路基本上都是由升压电路Buck和降压电路Boost两种不同拓扑形式组成。根据逆变器主开关器件的类型，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管（IGBT）逆变器。根据逆变器主开关器件的类型，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和IGBT逆变器。
上层电路只需要两个晶闸管，基极驱动电路不需要隔离。驱动电路相对简单，但晶闸管需要承受线路的峰值电压，因此适用于低输入电压，当mos管交替导通时，变压器的电感效应加上DC电源将起作用。同时，变压器中存在磁偏置，抽头接Y正电源，两个功率管由B交替工作，输出为交流电源A，因为O功率晶体管连接在一起。
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