骁龙835是多少纳米，高通骁龙835的主要参数规格是什么呀

来源：整理时间：2023-04-06 10:21:14 编辑：亚灵电子网手机版

1，高通骁龙835的主要参数规格是什么呀

高通旗舰处理器骁龙835已经曝光多次，该处理将采用三星10nm制程。现在又有网友曝光了骁龙835规格参数，称骁龙835的主频为3.0GHz，并采用八核设计。

高通骁龙835的主要参数规格是什么呀

2，Qualcomm 骁龙835的效率怎么样

Qualcomm 骁龙835采用的是10纳米工艺，性能更好，可以提升功率效率，作为对比Qualcomm Snapdragon835820基于14nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%。Qualcomm Snapdragon 835还支持传输速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x运存，宽带提升明显。

不省电，因为工艺落后，所以稳定性不好，在运行大型游戏时，温度上升后会带来漏电，同时会降频，从1.5降到0.8，最高的降频降到了0.5（0.5应该是个案）。造成这样的原因很简单，高通就是想坑小米一把，毕竟小米击败了太多的对手，在市场上太牛，一方独大是高通不想看到的。所以高通推出了这个坑货。虽然gpu不错但是在自动降频后剩多少就难说了。高通的615就是高通想要钱了。

Qualcomm 骁龙835的效率怎么样

3，高通 Snapdragon835的性能怎么样跑分多少

高通 Snapdragon835是业界首款 10 纳米先进设计，千兆级移动平台。Qualcomm骁龙835 移动平台支持非凡的移动体验。其尺寸与上一代旗舰相比减小 35%，功耗降低 25%，能够提供出色的超长电池续航、逼真的 VR 和 AR 体验、顶尖摄像头功能和千兆级下载速度。小米MIX EVO用的就是高通 Snapdragon835移动平台，单核成绩为1918分，多核则为5689分，还是很厉害的。

这还用说，当然s800性能强，s800是krait400，hpm异步四核处理器，高通官方公告主频为2.3ghz，带宽12.8g/s，带1080p的高清屏根本不是问题，gpu为adreno330，【官方说比320提升50%，我觉得不止】,32个shader单元，浮点运算能力估计有120gflops-150gflops。因为是异步架构，待机方面肯定不错，游戏方面adreno330绝对没问题。粗略估算，整个soc满载功耗5-6w吧，对比5410还算出色。但我认为8064已经够用了·，现在就在用apq8064

高通 Snapdragon835的性能怎么样跑分多少

4，手机处理器有哪些是10纳米哪些是14纳米哪些是28纳米求各工艺处理

10nm有三星猎户座8895，14nm有高通骁龙653、626，28nm有联发科H6975和骁龙615。处理器的制程，从最初的90nm，到后来65nm、45nm、32nm，以及后来比较常见的28nm，又逐步提升到了20nm，再到目前性能配置较高的16nm、14nm，并且少数10nm的制程工艺也出现在了机身上。这项工艺不同于我们的惯性思维，认为往往尺寸越大的功能就越强。程工艺作为处理器芯片的一项技术，它发挥的作用是让处理器能够承载更多电子元件。一般来说处理器要承载例如晶体管、电阻器以及电容等等一系列的电子元件，这些元件由于体积过于渺小，需要显微镜才能看到。而这些精密的电子元件之间通常用纳米来计算距离，纳米距离越小，意味着承载的元件就越多，如此一来手机的功能也就越全面。能够尽可能多的承载电子元件是其中一方面，缩小电子元件的间距还有另一个作用那就是能使不同晶体管终端的电流容量降低，从而提升他们的交换频率。因为每个晶体管在切换电子信号的时候，所消耗的动态功耗会直接和电流容量相关，从而使得运行速度加快，能耗变小。明白了这一点，也就不难理解为什么制程的数值越小，制程就越先进；元器件的尺寸越小，处理器的集成度越高，因此性能加强，处理器的功耗反而越低的道理了。

处理器工艺是数字越小越好，代表技术的进步，发热量更小供电相数也是4相比3相好同时要看主板其他地方，如电容，电感这些做工。

10nm还有三星猎户座8895，14nm高通骁龙653，626，。。想不起来28nm说不完

5，骁龙821与835有哪些区别

先看看高通骁龙835新特性：Quick Charge 4.0快充骁龙835搭载更高规格快充技术兼容USB Type-C较代QC3.0快20%充电安全性进步加强充电5钟通510nm工艺、功耗降低25%骁龙835处理器采用目前先进10nm工艺整芯片封装尺寸减35%功耗相比骁龙821降低25%带功耗并且利于减少发热与提升续航性能提升骁龙835处理器采用高通自助Kryo280架构采用4核+4核设计核高主频别2.45GHz1.9GHz并集Adreno 540 GPU支持4K显示辨率;支持4K屏、UFS 2.1闪存标准LPDDR4x四通道内存、VR、双摄支持等性能提升明显其骁龙835支持更高规格X16 LTE调制解调器并且支持新蓝牙5技术骁龙835821区别?高通骁龙835作821升级版区别主要于几面：骁龙835821区别1、性能提升骁龙835再八核设计内置GPU更强综合性能相比四核骁龙821明显提升2、功耗更低骁龙82114nm工艺骁龙835提升更先进10nm工艺功耗降低25%提升明显意味着骁龙835发热控制与续航面更给力3、快充升级骁龙821配备QC3.0快充技术号称充电5钟通2骁龙835则配备更先进QC4.0快充技术充电速度更快综合快速表现提升20%号称充电5钟通54、其区别骁龙835相比821其区别于基带蓝牙支持等骁龙835作升级版支持更高规格基带蓝牙5.0另外双摄像支持更并支持4K屏、8GB内存等编语：总说骁龙835相比骁龙821仅性能更强且功耗更低续航更给力另外更高规格快充、基带、双摄、蓝牙5.0支持综合表现提升非明显疑今安卓旗舰机火处理器

6，骁龙835是三星的还是小米的

都不是，是高通的。百度百科提供相关资料供您参考:骁龙835（一般指高通骁龙处理器）是一款于2017年初由高通厂商研发的支持Quick Charge 4.0快速充电技术的手机处理器。中文名骁龙835外文名Qualcomm Snapdragon 835 Processor厂商高通[1] 用途手机等移动终端发布2016年11月17日，高通正式公布了骁龙835处理器。[2]骁龙835已经开始进行生产，2017年上半年正式出货。[2]性能制程工艺高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。[1]2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。[2]核心骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为Kryo280架构，大核心频率2.45GHz，大核心簇带有2MB的L2 Cache，小核心频率1.9GHz，小核心簇带有1MB的L2 Cache，GPU为Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。[3]

不是

7，骁龙835好不好高通835参数一览

骁龙835和高通835是一款处理器，一般指高通骁龙处理器。1、骁龙835(一般指高通骁龙处理器)是一款于2017年初由高通厂商研发的支持Quick Charge 4.0快速充电技术的手机处理器。2、高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。3、参数：骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为kryo280架构，大核心频率2.45GHz，大核心簇带有2MB的L2 Cache，小核心频率1.9GHz，小核心簇带有1MB的L2 Cache，GPU为Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。4、新的骁龙835处理器，支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。Quick Charge 4.0快充技术充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持，适配范围更广泛。5、索尼Xperia XZ Premium成为首款搭载高通骁龙835处理器的智能手机设备，小米，一加，努比亚，三星，LG和HTC也已经推出搭载骁龙835的智能手机。

骁龙835是高通下一代骁龙处理器.高通骁龙835芯片在2017年初发布，支持Quick Charge 4.0快速充电技术，基于三星10nm制造工艺打造。2016年10月，10纳米 FinFET工艺的骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航.