23n50e参数多少，23n50e场管

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1，23n50e场管
2，G60N100用23N50E能代替吗谢谢大家
3，场效应管4107可以用23n50e代替吗
4，东芝常管K15J50D可不可以用23N50E代替啊
5，k20j50d可以代替23n50e吗
6，23N50E用什么代替
7，场效应管23n50e可以用什么代替 4108可以吗

1，23n50e场管

23n50e场管可以用k2837代替。

23n50e场管

2，G60N100用23N50E能代替吗谢谢大家

不可以，G60N100是60A、1000V，23N50E只有23A、500V离它的参数太远。

G60N100用23N50E能代替吗谢谢大家

3，场效应管4107可以用23n50e代替吗

完全可以的 K4107参数是500V 15A 150W 23N50E参数20A 500v 180W 但是最好是用耐压高点的代换。

场效应管4107可以用23n50e代替吗

4，东芝常管K15J50D可不可以用23N50E代替啊

FMH23N50E为23A,500V的MOS管，2SK4108为20A,500V的管子，原则上不能用小代大，不过这两种管子参数差异较小，一般维修代替应该没问题。但如果是多只管子并联使用，因管子性能参数差异，使用时不能只更换1只或几只管子，需全部一起更换，否则管子容易损坏。

或许可以。

5，k20j50d可以代替23n50e吗

两者结构类型、特性用途不同，不宜代换。前者是结型场效应管，适用于宽频线性放大。后者是绝缘栅型，适用于高压大功率开关。23N50D 可用25N50A等电流大于23A耐压大于500V的同类型管代换如果是多只管并联，最好用同一型号替换。

fmh23n50e为23a,500v的mos管，2sk4108为20a,500v的管子，原则上不能用小代大，不过这两种管子参数差异较小，一般维修代替应该没问题。但如果是多只管子并联使用，因管子性能参数差异，使用时不能只更换1只或几只管子，需全部一起更换，否则管子容易损坏。

6，23N50E用什么代替

场效应管k2837。种类：结型(jfet)；沟道类型： n沟道；导电方式：耗尽型；用途： l/功率放大；材料： n-fet硅n沟道。 k2837参数为：20a50v150w；23n50e为23a500v的场效应管，两种管子参数差异较小，一般维修代替没问题。用irfp460也可以替换。场效应管是一种电压控制器件，其特性更象电子管，它具有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗，较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管，特别是在音响领域更是如此?。

可以代换的较多，你可以根据主要参数去选择，电流大于等于23A、耐压大于等于500V的即可。

23n50e场管可以用k2837代替。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。

7，场效应管23n50e可以用什么代替 4108可以吗

不可以，可以用MOS场效应管代替。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。扩展资料：根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。电位方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。参考资料来源：百度百科-MOS场效应管

场效应管23n50e可以用FMH23N50E为23A,500V的MOS场效应管代替，不能用4108代替。MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。扩展资料：作用：1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。

我是做mos管销售的富士的23N50E的参数其实跟东芝的4108是差不多的只是他的电流要大点我们推这个产品都跟他们说是可以完全取代的不用改线路板的。。

场效应管 FMH23n50eS 500V 23A 315W 0.245Ω 代换==sk系列场效应管2sk1520 500V 30A 200W 0.16Ω N-FET 2sk1522 500V 50A 250W 0.11Ω N-FET 2sk1527 500V 40A 250W 0.16Ω N-FET2sk1544 500V 25A 200W 0.2Ω N-FET==ir系列场效应管IRFM460==st系列场效应管STP42N65M5 注意4108不是场效应管，不能代换普通三极管 2SC4108 400V 12A 100W