光耦的反向耐压是多少，光电耦合器的两个二极管 1和2 是什么意思啊

来源：整理时间：2023-05-15 20:34:48 编辑：亚灵电子网手机版

1，光电耦合器的两个二极管 1和2 是什么意思啊

光耦中发光二极管（2）的反向耐压一般只有5V左右，二极管1在这里起保护作用，万一外加电源极性接错，可以保证发光二极管（2）的反向电压为二极管1的正向压降（1V左右）。

光电耦合器的两个二极管 1和2 是什么意思啊

2，光耦的问题

光耦不是一直开通的。如果q3截止，则12v电压通过电阻后电压加到光耦的正极，光耦初级有电流。如果q3饱和导通，q3饱和导通后集电极和发射极之间的电压约为0.4v左右，0.4v左右的电压加到光耦初级上，光耦是不会导通的，此时光耦初级无电流。

不知你时候的是出入端还是输出端，不过都可以用交流型号解决。输入交流：TLP184 输出交流：双向可控硅和MOSFET输出（光继电器），正反最高耐压有600V。双向可控硅的有MOC3063， MOSFET输出的有AQY210

光耦的问题

3，求教光藕电路中接入反峰二极管

如图，D1就是反峰二极管的接法，光耦中发光二极管的反向耐压只有几伏，如果有一反向负脉冲，幅值超过发光二极管的反向耐压，光耦就会损坏，接入D1后，加在发光二极管的反向电压箝制在0.7V。起到保护作用。一般用交流信号触发发光二极管都应该并接反峰二极管。

在光藕输入端并接TVS双向保护二极管。

只要把二极管反接并联到电路中就可以了，图吗上面有

你好！就是把二极管反并在电路中，即正电源对二极管负极，负电源对二极管极正如有疑问，请追问。

求教光藕电路中接入反峰二极管

4，光耦的耐压能力是如何决定的呢

光耦二极管端的方向耐压为：正向耐压为二极管的导通电压0.7v，反向耐压根据型号的不同，在几十伏到几千伏不等。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器与受光器封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。光耦的原理图如图所示：

光耦内部就是发光元件和光敏元件，它们之间通过光电耦合，能隔离的电压取决于封装方式与封装材料。具体能力产品资料上有，如TLP112就是：Isolation voltage: 2500 Vrms (min.)

5，光耦816和817的差别

光耦816和817的差别：输出部分的耐压PC817输出部分的耐压Vce0为35V，PC816输出部分的耐压Vce0为70V。其他的两者之间几乎没有差别。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常广泛。随着数字通信技术的迅速发展以及光隔离器和固体继电器等自动控制部件在机械工业中的应用不断扩大, 特别是微处理机在各个领域中的应用推广( 有时一台微机上的用量可达十几个甚至上百个) 和产品性能的逐步提高。光电耦合器的应用市场将日益扩大，同时，其社会效益和经济效益也会十分显著。今后，光电耦合器将向高速化、高性能，小体积，轻重量的方向发展。扩展资料：光耦817应用广泛，主要应用于电源设备上，隔离高低电压的用途。相关的终端产品应用包括家电、温控、冷气空调(hvac)、贩卖机、照明控制装置、充电器与交换式的电源供应器。电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

参数几乎一模一样，耦耐压Vceo=70V，光耦817反向耐压Vceo=35V略低,频率同80KHz。　　光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。

6，光耦输出有正负吗

有的，VF——正向压降：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。IF——正向电流：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。IR——反向电流：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。VBR——反向击穿电压：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。CJ——结电容：在规定偏压下，被测管两端的电容值。V(BR)CEO——反向击穿电压：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。VCE(sat)——输出饱和压降：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。ICEO——反向截止电流：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。CTR——电流传输比：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。tr——脉冲上升时间、tf——下降时间：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。tPHL、tPLH——传输延迟时间：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。CIO——入出间隔离电容：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。RIO——入出间隔离电阻：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。VIO——入出间隔离电压：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

7，光耦参数

常用参数正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。最大额定值参数名称符号最大额定值单位 V 反向电压 5 V R I 正向电流 50 mA FM V 集-发击穿电压 100 V （BR）CEO I 集电极电流 30 mA CM T 贮存温度 -55～150 ℃ stg T 工作温度 -55～125 ℃ amb V 隔离电压 1000 V IO P 总耗散功率 80 mW tot 推荐工作条件特性符号最小值典型值最大值单位 I 输入电流 10 50 mA F V 电源电压 1 5 60 V 主要光电特性测试条件(T 特性符号 11 A=25℃±3℃) 最小典型最大单位隔离特性隔离电阻 RIO VIO=500V 1010 Ω 上升时间 tr 10 μs V 开关特性下降时间 tf CC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D：1/2 10 μs I V 反向电流 R R=5V 0.01 1.0 μA LED 输入特性 V I 正向电压 F F=10mA 1.2 1.4 V CTR 电流传输比 VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω 60 180 % 集-发饱和电压 VCE（sat） VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ 0.1 0.4 V 晶体管输出特性 I V 集-发截止电流 CEO CE=5V，IF=0 0.01 1.0 μA