截止频率晶体管一般为多少，三极管9018的截止频率是多少

来源：整理时间：2023-08-21 20:55:22 编辑：亚灵电子网手机版

1，三极管9018的截止频率是多少

600MHz

三极管9018的功率是400mw

三极管9018的截止频率是多少

2，MJL21193是NPN型开关三极管参数是 250V 16A 200W 4

频率这个是截止频率工作频率到了这个参数三极管就失去放大作用了一般情况下要求截止频率是工作频率的-5-10倍越高放大能力越强但不是线性增长的低频领域对这个要求不高射频领域对这个很严格截止频率是一个非常重要的参数

没分不告诉你再看看别人怎么说的。

MJL21193是NPN型开关三极管参数是 250V 16A 200W 4

3，三极管d1138截止频率

20W3A200V1MHZ

制造商零件编号: mje13007a 材料: si 晶体管极性: npn 最大耗散功率 (pc): 40 集电极--基极击穿电压 (ucb): 700 集电极--发射极击穿电压 (uce): 400 发射极--基极击穿电压 (ueb): 9 最大集电极电流 (ic): 8 最大工作温度 (tj), °c: 150 最大工作频率 (ft): 4 输出电容 (cc), pf: 110 直流电流增益 (hfe): 8 封装形式: iso220

三极管d1138截止频率

4，C2073三级管的详细参数是多少

C2073即2SC2073，它的参数是：NPN、 150V、 1.5A、 25W、 β≥40 。代换型号是：2SC2344、 2SC867。属于NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。应用范围：功率、材料：硅（Si）、极性：NPN型、击穿电压VCEO：150（V）、集电极最大允许电流ICM：1.5（A）、集电极最大耗散功率PCM：25（W）、截止频率fT：4（MHz）、结构：外延型、封装形式：直插型、封装材料：塑料封装扩展资料：三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。测判口诀1、三颠倒，找基极2、PN结，定管型3、顺箭头，偏转大4、测不出，动嘴巴参考资料：百度百科--三极管

C2073三级管全称是2SC2073, 硅NPN大功率三极管，具体参数：

C2073即2SC2073，它的参数是：NPN、 150V、 1.5A、 25W、 β≥40 。代换型号是：2SC2344、 2SC867。

5，三极管的参数

1、直流参数 (1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级. (2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大. (3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流. (4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即: β1=Ic/Ib 2、交流参数 (1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即: β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定. (2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即: α=△Ic/△Ie 因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用 α与β之间的关系: α= β/(1+β) β= α/(1-α)≈1/(1-α) (3)截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为: fβ≈(1-α)fα (4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数. 3、极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量. (2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO. (3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO. (4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿. (5)集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc<PCM. PCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM.

2N3773是大功率NPN硅管，VCBO=160V，VCEO=140V，Pe=150W，hFE=15~60。

2N3773 NPN 12 音频功放开关 160V16A150W