7840光耦耐温多少度，存储温度85度的光耦能够耐受125度的烘烤吗

来源：整理时间：2022-12-26 00:13:54 编辑：亚灵电子网手机版

1，存储温度85度的光耦能够耐受125度的烘烤吗

这个问题应该不是很大，因为时间不长，不过我建议你们最好先拿几只光耦做个实验不就放心了。

你好！要先用红胶固定，红胶固化温度大概125度仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

存储温度85度的光耦能够耐受125度的烘烤吗

2，存储温度85度的光耦能够耐受125度的烘烤吗

这个问题应该不是很大，因为时间不长，不过我建议你们最好先拿几只光耦做个实验不就放心了。

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3，光耦的问题

不知你时候的是出入端还是输出端，不过都可以用交流型号解决。输入交流：TLP184 输出交流：双向可控硅和MOSFET输出（光继电器），正反最高耐压有600V。双向可控硅的有MOC3063， MOSFET输出的有AQY210

光耦不是一直开通的。如果q3截止，则12v电压通过电阻后电压加到光耦的正极，光耦初级有电流。如果q3饱和导通，q3饱和导通后集电极和发射极之间的电压约为0.4v左右，0.4v左右的电压加到光耦初级上，光耦是不会导通的，此时光耦初级无电流。

光耦的问题

4，变频器光耦发热正常吗

变频器光耦发热是正常的。只要功率不超标，散热满足要求即可，功率半导体普通情况下都可耐受125度的高温。

5，光耦中二极管的耐压参数叫什么呢英文简称是什么呢

VR，应该是这个的吧

光耦二极管端的方向耐压为：正向耐压为二极管的导通电压0.7v，反向耐压根据型号的不同，在几十伏到几千伏不等。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器与受光器封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。光耦的原理图如图所示：

6，光耦几种耐压

光耦二极管端的方向耐压为:正向耐压为二极管的导通电压0.7V,反向耐压根据型号的不同,在几十伏到几千伏不等。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器与受光器封装在同一管壳内。

7，光耦的型号参数

Part Number IFT(mA)max VTM(V)max DM(V)min dv/dt(V/us)min IDRM 1(nA)max VISOACRMS MOC3031 15 3 250 1000 100 5.3kV MOC3032 10 3 250 1000 100 5.3kV MOC3033 5 3 250 1000 100 5.3kV MOC3041 15 3 400 1000 100 5.3kV MOC3042 10 3 400 1000 100 5.3kV MOC3043 5 3 400 1000 100 5.3kV MOC3061 15 3 600 600 500 5.3kV MOC3062 10 3 600 600 500 5.3kV MOC3063 5 3 600 600 500 5.3kV MOC3081 15 3 800 600 500 5.3kV MOC3082 10 3 800 600 500 5.3kV MOC3083 5 3 800 600 500 5.3kV MOC3162 10 3 600 1000 100 5.3kV MOC3163 5 3 600 1000 100 5.3kV

8，请问光耦有那些重要的参数

原发布者:huang_bsbymmax光耦参数的理解摘要：分析光耦各个指标参数的含义,以及日常设计中的注意事项,涉及CTR和延时。关键字：光耦CTR延时1引言光耦作为一个隔离器件已经得到广泛应用，无处不在。一般大家在初次接触到光耦时往往感到无从下手，不知设计对与错，随着遇到越来越多的问题，才会慢慢有所体会。本文就三个方面对光耦做讨论：光耦工作原理；光耦的CTR概念；光耦的延时。本讨论也有认识上的局限性，但希望能帮助到初次使用光耦的同事。1理解光耦光耦是隔离传输器件，原边给定信号，副边回路就会输出经过隔离的信号。对于光耦的隔离容易理解，此处不做讨论。以一个简单的图（图.1）说明光耦的工作：原边输入信号Vin，施加到原边的发光二极管和Ri上产生光耦的输入电流If，If驱动发光二极管，使得副边的光敏三极管导通，回路VCC、RL产生Ic,Ic经过RL产生Vout，达到传递信号的目的。原边副边直接的驱动关联是CTR（电流传输比），要满足Ic≤If*CTR。图.1光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout约等于Vcc（Vcc-0.4V左右）Vout大小只受Vcc大小影响。，此时Ic<If*CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*RL，Vout=Ic*RL=(Vin-1.6V)/Ri*CTR*RL，Vout大小直接与Vin成比例，一般用于反馈环路

9，光耦参数

常用参数正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。最大额定值参数名称符号最大额定值单位 V 反向电压 5 V R I 正向电流 50 mA FM V 集-发击穿电压 100 V （BR）CEO I 集电极电流 30 mA CM T 贮存温度 -55～150 ℃ stg T 工作温度 -55～125 ℃ amb V 隔离电压 1000 V IO P 总耗散功率 80 mW tot 推荐工作条件特性符号最小值典型值最大值单位 I 输入电流 10 50 mA F V 电源电压 1 5 60 V 主要光电特性测试条件(T 特性符号 11 A=25℃±3℃) 最小典型最大单位隔离特性隔离电阻 RIO VIO=500V 1010 Ω 上升时间 tr 10 μs V 开关特性下降时间 tf CC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D：1/2 10 μs I V 反向电流 R R=5V 0.01 1.0 μA LED 输入特性 V I 正向电压 F F=10mA 1.2 1.4 V CTR 电流传输比 VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω 60 180 % 集-发饱和电压 VCE（sat） VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ 0.1 0.4 V 晶体管输出特性 I V 集-发截止电流 CEO CE=5V，IF=0 0.01 1.0 μA

10，请问光耦有那些重要的参数

摘要线性光耦合器是目前国际上正推广应用的一种新型光电隔离器件。文中介绍其性能特点、产品分类，以及它在单片开关电源中的应用。 ? 关键词光耦合器线性电流传输比通信单片开关电源 ? 光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电” 转换。普通光耦合器只能传输数字（开关）信号，不适合传输模拟信号。近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号，使其应用领域大为拓宽。 ? 1 光耦合器的类型及性能特点 1.1 光耦合器的类型 ? 光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式，其种类达数十种。光耦合器的分类及内部电路如图1所示。图中是8种典型产品的型号：(a)通用型 (无基极引线)；(b)通用型(有基极引线)；(c)达林顿型；(d)高速型；(e)光集成电路；(f)光纤型；(g)光敏晶闸管型；(h)光敏场效应管型。 1.2 光耦合器的性能特点 ? 光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。在单片开关电源中，利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的。 ? 光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压 V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。? 电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。其公式为：采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线，分别如图2中的虚线和实线所示。由图2可见，普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR＝ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。 2 线性光耦合器的产品分类及选取原则 2.1 线性光耦合器的产品分类 ? 线性光耦合器的典型产品及主要参数见表1，这些光耦均以光敏三极管作为接收管。 2.2 线性光耦合器的选取原则 ? 在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如下： ? ①光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。这是因为当CTR＜50%时，光耦中的LED就需要较大的工作电流 (IF＞5.0mA)，才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。若CTR＞200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。 ? ②推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。 ? ③由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列(如4N25 、4N26、4N35)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号(高、低电平)，因此不推荐用在开关电源中。 3 线性光耦合器应用举例多路输出式电源变换器电路如图3所示。其输入电压为36V到90V的准方波电压，三路输出分别为：UO1＝＋5V(2A)，UO2＝＋15V(0.17A)，UO3＝－15V(0.17A)。现将UO1定为主输出，其电压调整率 SV＝±0.4%；UO2和UO3为辅输出，总电源效率可达75%～80%。电路中采用一片TOP104Y型三端单片开关电源集成电路。主输出绕组电压经过VD2、C2、L1和C3整流滤波后，得到＋5V电压。VD2采用MBR735型35V／7.5A肖特基二极管。两个辅输出绕组及输出电路完全呈对称结构。因为±15V输出电流较小，故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V／1A的超快恢复二极管。由线性光耦CNY17-2和可调式精密并联稳压器TL431C构成光耦反馈式精密开关电源，可以对＋5V电压进行精密调整。反馈绕组电压通过VD3、C4整流滤波后，得到12V反馈电压。由 P6KE120型瞬态电压抑制器和UF4002型超快恢复二极管构成的漏极钳位保护电路，能吸收由高频变压器漏感形成的尖峰电压，保护芯片内部的功率场效应管MOSFET不受损坏。 ? 外部误差放大器由TL431C组成。当+5V输出电压升高时，经R3、R4分压后得到的取样电压，就与TL431C中的2.5V带隙基准电压进行比较，使其阴极电位降低，LED的工作电流IF增大，再通过线性光耦IC2（CNY17-2）使控制端电流IC增大，TOP104Y的输出占空比减小，使UO1维持不变，达到稳压目的。+5V稳压值UO1则由TL431C、光耦中的LED正向压降来设定。R1是LED的限流电阻。误差放大器的频率响应由C5、R2 和C6来决定。C5的作用有三个：滤除控制端上的尖峰电压；决定自动重启动频率；与R2一起对控制回路进行补偿。