导通之后 ds之间电压为多少，三极管导通时基极与发射极之间的电压

来源：整理时间：2023-08-05 09:55:58 编辑：亚灵电子网手机版

1，三极管导通时基极与发射极之间的电压

锗是0.3V；硅是0.7V.

三极管导通时基极与发射极之间的电压

2，VGSth Min06V Max12V 请问什么意思栅极电压多少管子能正常

指的是开启电压，最小0.6V，最大1.2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到1.2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

VGSth Min06V Max12V 请问什么意思栅极电压多少管子能正常

3，谁知道MOS管正常工作的话 G与D之间电压是多少

是DS（工作）电流的函数，理想的为二次根式型。一般G高于S约1～2V。楼主概念有误：G与D没有什么定量的联系，只要D高于G就可以正常工作。

你好！不知道如有疑问，请追问。

没有固定值要试情况而定

谁知道MOS管正常工作的话 G与D之间电压是多少

4，导通电阻的大小是什么意思例如在正向电压的作用导通电阻小在反

理想的PN结在正向导通后应该是没有电阻的,而实际的PN结比如二极管受材料、工艺的影响,在导通时实际上两端还有一个电阻,这个电阻一般在几欧到几十欧之间,被称为导通电阻。至于你的后半句,正向电压.....,没有这种说法。导通电阻的概念只有在正向导通时有,反向工作或者击穿时根本没有导通电阻这个名词了。

5，家庭电压导通瞬间的电压为多大

电压是指两点之间的，即两点电势差。短路会造成电流过大，即总电路I=U/R，电阻R很小，I就很大。开关接触是存在电阻的，如果计算开关电阻r1，也应该计入导线电阻r2。这样的话开关两端电压为：220r1/（r1+r2）。一般初高中将其电阻认为为零，所以开关两端电势差为0，因为此时电流无穷大，开关电阻为零，开关处没问题，不会烧坏。但是，实际中，电阻为零只在超导中存在。因此开关导线均有电阻，而电路中电流很大，那么发热Q=(I^2)Rt，是很大的，发热到一定程度会发生什么就不用说了。

根据电路的设计不同，导通和截止的电压也会有差异，一般锗管在高于0.2v时导通，低于0.2v时截止。硅管高于0.7v时导通，低于0.7v时截止。

6，关于二极管电压的问题

首先说，二极管图画错了，右边还有一条短线的。答1，如果A~C之间没有通路，就是说如果二极管没有电流通过，用电压表测AC间电压，理想值是24V。实际值由电压表灵敏度决定，灵敏度越低示数越低，在24~（24-管压降）之间。如果A~C之间有通路，AC间电压是（24-管压降）。……“管压降”指二极管正向压降，比如0.7V。答2，如果A~C之间没有通路，BC间没有电压。如果A~C之间有通路，BC间电压等于二极管的正向压降，比如0.7V

23.30.7

因为二极管导通时是没有阻值，如果不接电阻r限流的话，那二极管就会过流而烧坏，如果没有电阻r的话，那在二极管上的电压就是1v了，二极管的管压降是固定的0.7v

三楼说的对

如图现状AC=BC=24V (因图中没有负载，没有形成电流回路。二极管无压降）AC间接上负载时，（在二极管上会有0.7V电压降）AC=23.3V AB=24V.

7，请问9014或9013三极管导通后BE极和CE极之间的电压分别

硅三极管的 B（基极）、E（发射极）电压降一般0.6伏到0.7伏之间。温度越高压降越低，反之相反。当然基极电流也有关，因为电流越大温度相应增高。 C（集电极）、E（发射极）电压降是，由集电极发射极回路电阻决定电压。一般的计算方法是，首先计算积极电压，积极电压一般的连个基极上偏电阻和下偏电阻分压而得，再减去基极-发射极电压（6.5v），得到发射极电压，再发射极电压除发射极电阻得发射极电流。集电极电流是，发射极电流减去基极电流，而基极电流很小（发射极电流/（1+晶体管的放大倍数），可以忽略。然而可以算出 C、E 电压=供电电压-集电极回路上的电阻降（集电极电流*集电极电阻）-发射极电压。

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这是硅三极管，正常工作时结压降大约是0.7V，这个压降主要是受到温度的影响

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