pmos管vgs一般是多少，对于PMOS管在D端加5V电压而Vgs 0此时S端的电压也是5V

来源：整理时间：2023-03-02 00:47:44 编辑：亚灵电子网手机版

1，对于PMOS管在D端加5V电压而Vgs 0此时S端的电压也是5V

PMOS管导通的情况，跟NMOS管相反。

对于PMOS管在D端加5V电压而Vgs 0此时S端的电压也是5V

2，PMOS管它的手册如下想问的是他的VGS20V意思是不能超出20V

没开启时，VGS=0,不会烧坏；开启后，Vgs压差逐渐增大，约-46V，会烧坏MOS

PMOS管它的手册如下想问的是他的VGS20V意思是不能超出20V

3，例如1N60等这样的n mos管Vgsth在2V4V之间那么请问如果提供

可以完全开启，但是等效电阻会大那么一点点，如果负载电流很大，MOS发热就相对厉害一点。

我是来看评论的

例如1N60等这样的n mos管Vgsth在2V4V之间那么请问如果提供

4，mOS管导通后的Vgs是多少和刚满足导通条件时的电压有什么关系

MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。mOS管注意：1、为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。2、各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性，如结型MOS管栅源漏之间是PN结。N沟道管栅极不能加正偏压，P沟道管栅极不能加负偏压。

5，栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电压Vgs时不安全时

一般在3.3~4v时可以导通，10v是内阻达到最小，不要超过10v使用

实际使用的时候，要想使其可靠截止，尽可能将VGS保持0或反向电压，即N沟道，VGS≤0V，P沟道≥0V。

6，MOS管中Vgs是什么意思

pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。扩展资料：当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor），例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器，Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器。或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。

7，VGSth Min06V Max12V 请问什么意思栅极电压多少管子能正常

指的是开启电压，最小0.6V，最大1.2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到1.2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

8，请问如果驱动mos管电压VGS小于手册上标准值可以吗

可以啊，不过这样MOS管的效率可能就不高了，建议搭电路来计算一下

1、日系的可以做到，尤其富士的。2、富士fap-|||b系列的vgs大多是1.5v。这些是低压管，市场定位不太匹配，可能成本比较高。3、列举几个型号给你：2sk2806-01；2sk2808-01mr；2sk2896-01l，s。

9，这个mos管Vgs电压是多少伏的情况下工作在饱和状态和放大状态

MOS管的饱和与否，不是只看一个UGS参数，而是要与UDS结合起来看。如果不考虑击穿特性的话（也就是MOS管的第4个区，雪崩区也就是击穿区，这部分内容要参考《电力电子技术》），那么基本上可以认为，在图右边UGS曲线比较平缓的部分都是恒流区，顺着曲线往左边走，会有一个预夹断点，也就是Uds=Ugs-Ugs(th)，这个点就是可变电阻区和恒流区的分界线，过了这个点就可以认为是可变电阻区了。

10，MOSFET主要参数什么意思

Mosfet参数含义说明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系 Pd: 最大耗散功率 Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流 Ear: 重复雪崩击穿能量 Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS击穿电压 Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导 Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量 Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间 Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

你的提问，太不专业了，应该是从一个表上拷的数据吧，很乱。一些典型值，最大值之类的，导通电阻RDS(ON)，最大栅极电压VGS(V)等。最好是把DATASHEET的表拷整齐点下来

由上到下依次是封装类型，适用电路，源漏极击穿电压，导通源漏电阻，漏极电流25摄氏度，漏极电流100摄氏度，栅极电荷（典型值），栅漏极电荷（典型值），热阻，耗散功率，后面三个是关于是否在产，是否含铅，和安装类型

与问题的难度相比，你的悬赏太少了。

你所问的是MOSFET的一些基本参数，下面资料有自己看吧。

pmos管vgs一般是多少，对于PMOS管在D端加5V电压而Vgs 0此时S端的电压也是5V

1，对于PMOS管在D端加5V电压而Vgs 0此时S端的电压也是5V

2，PMOS管它的手册如下想问的是他的VGS20V意思是不能超出20V

3，例如1N60等这样的n mos管Vgsth在2V4V之间那么请问如果提供

4，mOS管导通后的Vgs是多少和刚满足导通条件时的电压有什么关系

5，栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电压Vgs时不安全时

6，MOS管中Vgs是什么意思

7，VGSth Min06V Max12V 请问什么意思栅极电压多少管子能正常

8，请问如果驱动mos管电压VGS小于手册上标准值可以吗

9，这个mos管Vgs电压是多少伏的情况下工作在饱和状态和放大状态

10，MOSFET主要参数什么意思

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5，栅极电压最大能允许多大是不是在接近导通电压Vgs时不安全时

6，MOS管中Vgs是什么意思

7，VGSth Min06V Max12V 请问什么意思栅极电压多少管子能正常

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