如何控制mos管打开多少，5V的电源和开关控制MOS管对电机的电流

来源：整理时间：2023-03-10 23:21:19 编辑：亚灵电子网手机版

1，5V的电源和开关控制MOS管对电机的电流

mos管应用场合比较多，可以用在小电流控制大电流的场合！三个端子，一个是控制端，另外两个端是被控制导通还是关断

5V的电源和开关控制MOS管对电机的电流

2，MOS管G极电压为10V时负载RS两端电压只有10V怎么才能让

把电阻RS接到场馆的漏极（D极）与正电源之间即可。这样G极加上3~4V即可导通，RS上即可得到36V电压。如有帮助请采纳，或点击右上角的满意，谢谢！！

搜一下：MOS管G极电压为10V时，负载RS两端电压只有10V，怎么才能让MOS管完全打开

MOS管G极电压为10V时负载RS两端电压只有10V怎么才能让

3，单片机如何控制mos管

如果是普通的开关的话（频率很低）直接用个三极管就可以驱动如果考虑两级电压的影响的话（EMC），也可以使用光耦。如果用在频率比较高的场合：如:PWM ,SPWM 发生等，则需使用专用的驱动芯片高速光耦，或者是图腾柱输出电路等。关于这方面的资料建议看看《开关电源设计》中的MOSFET的驱动电路一章。

单片机如何控制mos管

4，3401mos管全开怎么控制

　　这是一个控制电源通断的电路。AO3401是增强型PMOS，　　简单来说，当Vgs(即Q7的1-2间电压)有一个负压时，　　Q7就会导通，对于AO3401来讲，完全开通电压大约为-10V，　　但-3.3V也可以基本导通，只是阻抗略大（大约100毫欧），　　具体不同Vgs电压下导通阻抗可以查阅AO3401手册。对于图中电路，　　当CMMB_PWRON大于等于3.3V时，AO3401处于关断状态，　　后端电路没有供电，当CMMB_PWRON为0V时，AO3401导通，　　后端电路得到供电。使用此开关时，L12不应焊接，否则此电路没有意义。

5，小女子初步学习msp430单片机现要通过检测外部电压实现控制

可以加一个LM339的比较器，将其中两个的参考端电压通过电位器调节为3.3V和2.5V，如果电压高于或低于参考端电压，就会在339的两个输出端输出高低电平变化，将这两个输出端接入单片机采集即可

1. 是p沟的好，这样控制可以共地，处理起来方便；irf5305可以，不过却有20a电流的话，建议两个并一起使用，那样安全多了。2. 使用mos管来控制恒流，mos管上为了恒流，需要消耗功率，那么ron很低的管反而不太合适，irf9540是0.2欧姆，还是不错的，但是一定多个并联使用，然后加足够的散热片，必要时加风扇。3. 做过恒流几个a的电子负载，用的方法是pwm控制导通，然后电流采样反馈，就是简单的：i ↗，pwm -- ，i ↘，pwm++，电流采样是采用一阶rc滤波，也就积分，稳定性还是不错的；对于软件的pid，觉得电流这个东西，响应速度比较快，使用pid的话，响应速度比较慢，导致较大的电流波动，也加重了单片机的负荷，因为经常运行极慢的浮点数。而硬件的pid，则可以考虑其1或2，不必p,i,d都考虑，否则电路设计起来很麻烦，难调试。

6，关于MOS开关管驱动

Vd<Vg-Vth时，NMOS工作在线性区，也就是不饱和导通区，并不是真正的导通。和你的理解正好相反。高压NMOS的开启在2V左右，所以30V的GS电压已经够了，甚至偏高。因为一般DS耐压100V左右的NMOS，其栅极耐压也就20或30V，这个要看你的MOS的说明书。理论上，GS电压越高，NMOS导通内阻越小，但是，由于要给栅极电容充电到高压，所以整个开启速度会变慢，所以并不是电压越高越好。关于周期，你可以用你的驱动电流和栅极电容进行计算，看看开启速度能不能满足你的要求。

Vd<Vg-Vth，工作在线性区。看MOS管的Vth为多少，器件手册上都有，你的PWM输出电压最好加个驱动，越高越好，这样管子导通时内阻小，但是电压太高会使管子击穿，设计时注意安全工作区。

mos管开通过程的电流有点像给电容充电的过程（但不完全一样），他的电流是时时刻刻都变化的，如果你问的时候充电瞬间的最大电流，他可以达到1个或几个安培的电流，为此需要选的的驱动器最大电流最好是接近或大于这个值，不然影响开关速度，增加损耗，

7，单片机控制 MOS 开关管问题

1. 是P沟的好，这样控制可以共地，处理起来方便；IRF5305可以，不过却有20A电流的话，建议两个并一起使用，那样安全多了。2. 使用MOS管来控制恒流，MOS管上为了恒流，需要消耗功率，那么Ron很低的管反而不太合适，IRF9540是0.2欧姆，还是不错的，但是一定多个并联使用，然后加足够的散热片，必要时加风扇。3. 做过恒流几个A的电子负载，用的方法是PWM控制导通，然后电流采样反馈，就是简单的：I ↗，PWM -- ，I ↘，PWM++，电流采样是采用一阶RC滤波，也就积分，稳定性还是不错的；对于软件的PID，觉得电流这个东西，响应速度比较快，使用PID的话，响应速度比较慢，导致较大的电流波动，也加重了单片机的负荷，因为经常运行极慢的浮点数。而硬件的PID，则可以考虑其1或2，不必P,I,D都考虑，否则电路设计起来很麻烦，难调试。

如果是普通的开关的话（频率很低）直接用个三极管就可以驱动如果考虑两级电压的影响的话（emc），也可以使用光耦。如果用在频率比较高的场合：如:pwm ,spwm 发生等，则需使用专用的驱动芯片高速光耦，或者是图腾柱输出电路等。关于这方面的资料建议看看《开关电源设计》中的mosfet的驱动电路一章。