mos管本身消耗多少电流，MOS管的损耗如何计算

1，MOS管的损耗如何计算

V DS *I D

MOS管的损耗如何计算

2，MOS场效应管管脚这么细真能过几十安培电流吗

呵呵，几十a？短时间可以的，但发热巨大，所以一般设计的时候每换to220实际电流取值10a，这样就好多了。管脚是细，有的商品利器非常热衷于挖掘mos的潜能，压榨它的性能，比如，一对irf3205做逆变可以做到500w，稳定性肯定不好，还有，高频变压器的针脚都恨细，所以有的大功率变压器都从线包机引出线焊在pcb上。

MOS场效应管管脚这么细真能过几十安培电流吗

3，请问MOS管给出功耗多少多少W有什么意义

导通电阻，最大持续电流，是饱和导通时的要求。还有放大时的要求，功耗就是其中之一。与三极管的最大功耗类似。

哎知道了，这功耗就是通过最大结温和热阻算出来的

请问MOS管给出功耗多少多少W有什么意义

4，mos管的功率和功耗分别是什么

MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。当Tc=25度时，通过附加最大容许损耗Pd，则变为Tc=150度max. Pd=(Tcmax-Tc)/Rth(ch-c)MOS管大功率和小功率也只是一个相对的说法，就比如我们平时说高个子可能是1.7，1.8，也可能是1.9；那矮个子可能是1.4，1.5，也可能是1.7，1.8，对于高度为2.0的人来说。一般来讲，电流大于10A的，电压高于500V的可以称为大功率，但不绝对。MOS的功耗是指MOS在电路应用中的损耗，比如导通损耗，开关损耗等，当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd.mos管的功率和功耗分别是什么？

5，我想问的是mos管那么细小的管脚真的能承受几百安培的电流吗还有

几十安是有的，上百安就不太可能了，我所知道及使用过的igbt最大的也就85N06

mos管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

6，mos管的功率和功耗分别是什么

功率指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率为描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值就越大。求功率的公式为功率=功/时间。功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标，指在单位时间中所消耗的能源的数量，单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。扩展资料功率就是表示物体做功快慢的物理量，物理学里功率P=功J/时间t，单位是瓦w，我们在媒体上常常看见的功率单位有kW、Ps、hp、bhp、whpmw等，还有意大利以前用的cv。千瓦kW为国际标准单位，1kW=1000W，用1秒做完1000焦耳的功，其功率就是1kw。日常生活中，常常把功率俗称为马力，单位是匹，就像将扭矩称为扭力一样。功耗分两种：来自开关的动态功耗，和来自漏电的静态功耗。而动态功耗又可分为电容充放电（包括网络电容和输入负载），还有当P/N MOS 同时打开形成的瞬间短路电流。静态功耗也可分为几类：扩散区和衬底形成二极管的反偏电流(Idiode)，另外一类为关断晶体管中通过栅氧的电流（Isubthreshold)。芯片的漏电会随温度变化，所以当芯片发热时，静态功耗指数上升。另外漏电流也会随特征尺寸减少而增加。参考资料来源：百度百科-功率参考资料来源：百度百科-功耗

7，如何计算mos管功耗

MOS管的最大功耗取决于管子允许的温升，最好功耗确定后，便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。

手册中给出的通态电阻，是完全导通后的最小值。如果mos管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9w的话，必须加足够的散热器。

8，一般的MOS功率管能承受多少A电流现在一块充电板想让它输出达

大电流的场效应管许多许多，10A不算大。目前市场上容易买到的12N60可达12A/600V再有IRF640可达18A200V,不知道你需要的电压是多少？

先从变压器下手

是5v 电流为1a 输入电压时5v 输出为5v 1a

作为开关电源的功率管吗？用电磁炉功率管即可

你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

9，LED电源多大功率用多大电流的MOS管

这个是需要查表的，像4N60，明明标的是4A600V，但是用在220V直流上，它的最大功率不是220X4A=880W。实际他只有七八十瓦。所以，主要是看他的实际功率除以他的实际电流，也就是80瓦MOS配46WLED灯（LED功率=80W/1.732=46.19W)

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出 n沟道mos管符号一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（fet），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。fet的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为n沟道和p沟道，详情参考右侧图片。而p沟道常见的为低压mos管。[1] 　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影 p沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以fet管的gate电流非常小。最普通的fet用一薄层二氧化硅来作为gate极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(mos)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（mosfet）。因为mos管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

10，mos管的最大持续电流是如何确定的

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。选择额定电流后，还必须计算传导损耗。在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。扩展资料MOS晶体管“导通”时，就像可变电阻一样，由器件的RDS（ON）决定，并随温度而显着变化。器件的功耗可通过Iload2×RDS（ON）计算得出。由于导通电阻随温度变化，因此功耗也会成比例地变化。施加到MOS晶体管的电压VGS越高，RDS（ON）越小；否则RDS（ON）越高。请注意，RDS（ON）电阻会随着电流而略有上升。参考资料来源：搜狗百科-mos管

1. 是用N沟道还是P沟道。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 2. 确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。3.　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。4. 选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损坏（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw= （Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。这个是理论计算的最大值。实际一般在最大值的70-80%使用MOS管不会有问题。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。有许多参数会影响开关的性能，但最重要的是栅极/漏极，栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容器在设备中产生开关损耗，因为每次开关时都会对其充电。因此，降低了MOS晶体管的开关速度，并且还降低了器件效率。为了计算开关过程中器件的总损耗，需要计算导通期间的损耗（Eon）和关断期间的损耗（Eoff）。 MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示：Psw =（Eon Eoff）×开关频率。栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。扩展资料1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2：SOA失效(电流失效)，既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。参考资料来源：搜狗百科-mos管

确定mos管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的mos管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的，都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

主要是看DATASHEET，最大持续电流通过MOS管，MOS管的结温不要超过规定值。（主要看你的驱动方式，散热方式等综合因素）

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