mosfet的驱动电压通常高于Si的驱动电压。场效应晶体管的种类很多，不同种类工作电压电源的极性也不同，以vmosfet为例，栅极导通电压高，输入电阻大，对于CMOS电路，由于内部使用MOS晶体管，因此输入电压阈值通常为0，如果是OC输出，则在高电平时没有压降，这是电源电压。例如，MOS晶体管的驱动电压通常较低，据我所知。
对于CMOS电路，导通电压即阈值电压与工艺有关。目前，各种开关电源和充电器中使用的SMD MOS晶体管的导通电压仅较低，而这些耐压高达数百伏的MOS晶体管的导通电压相对较大，一般由大多数载流子导通，也称为单极晶体管。m工艺中，PMOS的阈值电压约为-。主要有两种类型（结型场效应晶体管——JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS-FET）。
是的，需要G极的电压，属于压控半导体器件。具体可根据相应规格选择。不要盲目。当它导通时，驱动电路应能提供足够的充电电流，使MOSFET的栅极和源极之间的电压迅速上升到所需的值，以确保开关管能快速导通，并且在上升沿没有高频振荡。低电平存在饱和压降，小于，源电路工作稳定，输出类似TTL。
，耐压值为，MOS管的源极和漏极可以切换，它们都是在P型背栅中形成的N型区。低压MOS一般来说，分类:教育/科学》》科学与技术》》工程技术科学分析:你是指CMOS集成电路中MOSFET的导通电压吗？VMOSFET的漏极电流Id为0，在大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两端切换，设备的性能也不会受到影响。这种装置被认为是对称的。
