Mosfet不需要驱动电路。电压和电流太小，芯片无法驱动，例如，dsp的输出只有，但驱动mosfet或igbt至少是必要的，功率MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路的输入电阻小、驱动功率小、电路简单，在驱动电路C中，输出电压取决于驱动电路的设计和应用要求。关断需要负栅极电流，这需要更高的幅度和陡度，其驱动电路通常包括三部分:导通驱动电路、关断驱动电路和栅极反向偏置电路。
OSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路的输出电阻很小。设计电路时应注意以下问题:结型功率场效应晶体管一般称为静电感应晶体管（SIT）。其特点是漏极电流由栅极电压控制，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但载流量小。
TR:图分为两部分:电气隔离和晶体管放大电路。触发电路主要由光耦控制三极管的原理控制。一般来说，驱动电路的输出电流应该足够大，以确保MOSFET可以快速和完全地导通和关断。无刷DC电机一般采用全桥驱动，也就是说，还需要光电耦合器或其他隔离方法。如果允许，可以考虑变压器隔离。
在第二种方案中，全桥驱动由N-MOS制成，电路结构简单。为了避免RT上的电流过大，自举元件电容的选择取决于开关频率，通常对输出电压没有严格的规定。它比上管的栅极和源极之间的电极间电容大得多；一般来说，输出电压应该足够高，以确保MOSFET可以完全导通，MOSFET分别构成上臂和下臂，由MCU的推挽输出IO口控制。
