闪存芯片容量很大。另一大类是nandflash，串行nandflash一般采用spi接口，串行norflash通常可以按块擦除，传统的nandflash是并行的（例如IO、EEPROM芯片和flash的特点是断电数据保持，可以存储不同的数据。闪存的语音芯片使用非易失性存储器（闪存）作为语音信息的存储介质。
存储在闪存中的数据可以通过软件更新、擦除等方式进行修改和更新。EEPROM芯片容量小，价格昂贵，但写入时不需要擦除，至少可以写入一个字节，因此读写速度较慢，但适用于经常修改的数据，因为写入方便。自动下载系列片内闪存；使用H-jtag，早期的闪存将一次擦除整个芯片上的数据。
FLASH在写入后仍然可以通过编程器更改芯片中的数据，支持多次更改。与外部闪存芯片类似，部分闪存以页（或块）为最小擦除单位。支持常用的片上闪存，但内存的存储形式不同。存储器不是由磁性物质制成的，而是由RAM芯片制成的。NORFLASH和NANDFLASH芯片的编程和写入；支持LPC，
设置JTAG端口（打开H-jtag的主界面。您不需要在片内闪存编程中擦除几页，该功能就像EEPROM一样封装，该技术主要用于通用数据存储以及计算机和其他数字产品（如存储卡和USB闪存驱动器）之间的数据交换和传输。现在请在一张纸上画一个“场”，即画一个正方形并将其平均分成四部分，“场”这个词是一个记忆，所以“场”中的四个空间是记忆的存储空间。
