设置晶体管的发射极结的正向偏置和集电极结的反向偏置是使晶体管工作在放大状态的电路，因此自供偏置电压不可能为晶体管的发射极结提供正偏置。如果是自承式偏置电路，显像管老化，阴极发射能力下降，屏幕电流减小，同时流过阴极电阻的电流也减小，阴极电阻两端产生的电压即偏置电压也会减小，大多数电子管放大器采用阴极自给偏置电压，偏置电压可以通过调节阴极电阻来调节，方法是使用一个约为拉伸值的阴极。
增强型场效应晶体管（FET）不是自偏置的，它需要通过外部电路提供偏置电压，通常采用分压的形式。但不能说它是“唯一的”，它可以直接以两个电源的形式使用，一个用于栅极，一个用于漏极源极。调整输入自给偏置值，简单控制输入信号过强，集电极电流过大，会造成过热，损坏晶体管。JFET是一种耗尽型场效应晶体管，其输入特性与电子管相同。当Vgs为零时，漏极电流最大，当-Vgs达到一定值时，它将关闭，因此可以使用自给自足的偏置电路。
最后，使用功率放大器偏置电压调整方法来完成操作。电阻串接合适的电位器代替原来的电阻，启动时调整电压满足要求，停机焊接后测量总电阻，选择合适的电阻进行更换，放大器后级工作点的调整，如果电路中有一个恒压管来控制两个臂的工作点。集电极和基极之间的PN结应该反向，为了实现这一目标，我们必须遵循图中闭环的当前趋势。
