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msp430F5529的flash是多少,MSP430F5529的指令执行速度是多少

来源:整理 时间:2023-09-21 21:13:46 编辑:亚灵电子网 手机版

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1,MSP430F5529的指令执行速度是多少

你把处理器速度设置高一些执行速度就快了,5529最高支持25MHz。  5529性能很强大的,可以根据你的任务执行时间来选择合适的主频,从而更好地控制功耗。

MSP430F5529的指令执行速度是多少

2,MSP430F5529单片机串行通讯协议

MSP430F169:60KB+256BFlash,2KBRAMMSP430F5529:128KBFlash,8+2KBRAM其他外设只有数量差别,指令集都一样,可以通过MSP430F169学习。

MSP430F5529单片机串行通讯协议

3,msp430f5529怎么向flash主存储器写数据

没用过f5529,也不太清楚你说的覆盖是怎么一回事,是新的覆盖了旧的文件还是只能写到一部分就会覆盖前面的。前一种的话,应该看下你的文件名,还有文件系统,另一种的话那可能是你的配置的原因吧,不是完全了解你的实现过程,凭空猜想的
我不会~~~但还是要微笑~~~:)

msp430f5529怎么向flash主存储器写数据

4,MSP430F169与MSP430F5529的区别

MSP430F169:60KB+256B Flash ,2KB RAMMSP430F5529:128KB Flash,8+2KB RAM其他外设只有数量差别,指令集都一样,可以通过MSP430F169学习。

5,msp430f5529有几个spi口啊

2+2 四个参 http://www.ti.com.cn/product/cn/msp430f5529?247SEM
一般msp430的开发有两种方式:仿真器、编程器 仿真器:直接在ide里面点击debug就能实现程序烧写至flash并能进行仿真,建议初学者使用仿真,有利于找到程序错误,调试程序, 编程器:一般有高压编程和bsl编程两种。

6,MSP430F5529 全局数组开辟大小是否有限制

MSP430F169:60KB+256B Flash ,2KB RAMMSP430F5529:128KB Flash,8+2KB RAM其他外设只有数量差别,指令集都一样,可以通过MSP430F169学习。

7,MSP430F5529是否可以对一个信号进行频谱分析和信号处理 搜

一般msp430的开发有两种方式:仿真器、编程器 仿真器:直接在ide里面点击debug就能实现程序烧写至flash并能进行仿真,建议初学者使用仿真,有利于找到程序错误,调试程序, 编程器:一般有高压编程和bsl编程两种。
当然可以做,哪怕你的是个51单片机,也能做的。只要能做乘法和加法就能做频谱分析,就能做信号大部分处理。关键的问题是你要求的指标:信号采样率多大,采样位数,数据帧尺寸,是否要求实时性,工程实现难度,有限字长效应的容忍度等等。

8,请问在MSP430用户FLASH有哪些

MSP430内的flash分为 main flash 和 information flash,其中 main flash 是用来存放代码和const数据的,information flash是给用户用来擦写存储数据的,information flash有分为 segment A B C D,其中最后一个segment D内会存放一些寄存器的参数,你可以擦掉给自己用,前提是你不会用到里面的参数。
msp430 flash型单片机的flash存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器segmenga及segmentb各有128字节,其他段有512字节。segmentb的地址是:0x01000h到0x107f,segmenta的地址是:0x01080h到0x010ffh。其他段的地址根据容量不同,从0xffffh开始,每512字节为一段进行分配。 flash存储器写入数据时,每一位只能由“1”变成“0”,不能由“0”变成“1“,因此,当我们有数据要保存到flash存储器时,要先对目标段进行整段擦除操作,擦除操作使的对应段flash存储器变成全“1”。下面是擦除flash段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址写入数据,及擦除一段。 void flash_clr(int *ptr) _dint(); //关中断 fctl3 = 0x0a500; //* lock = 0 开锁 fctl1 = 0x0a502; //* erase = 1 使能擦除 *((int *) ptr) = 0; //* 擦除段 } flash存储器可以按字节写入,也可以按字写入。 void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value) // 字节写入 fctl3 = 0x0a500; // lock = 0 开锁 fctl1 = 0x0a540; // write = 1使能写入 *((int8_t *) ptr) = value; // 写入数据 } void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value) // 字写入 fctl3 = 0x0a500; /* lock = 0 */ fctl1 = 0x0a540; /* write = 1 */ *((int16_t *) ptr) = value; /* program the flash */ } // flash存储器可以连续写入 按字节写入指定的数量的数据 void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len) _dint(); fctl3 = 0x0a500; /* lock = 0 */ fctl1 = 0x0a540; /* write = 1 */ while (len) typedef struct setup float gain_ch0; // 0通道增益 float gain_ch1; // 1通道增益 float gain_ch2; // 2通道增益 char init_flag; //初始化标记,恒为0xaa; }setup; 我们定义了一个setup结构,存放三个ad通道的增益,以及其他要掉电保存的信息,init_flag的作用是标志flash的参数是否已被正确初始化,当我们设置了flash参数后,将init_flag置一个固定值,例如设为0xaah,在程序开始运行时,检查init_flag,当init_flag的值为0xaah时,表明参数已被初始化。 使用flash参数:在程序中定义一个setup类型的指针变量,通过这个指针访问flash中的参数。例如: #define segmenta 0x1080 float temp; setup *p_setup_flash = (setup *) segmenta if(p_setup_flash-> init_flag == 0xaa) temp = p_setup_flash->gain_ch0; } 修改flash信息:由于flash不能象ram一样直接修改,可以将flash信息拷贝到ram中,修改相应参数后,重新保存到flash存储器中,之前要先擦除flash存储区。例如: setup *p_setup; setup buf; // 临时变量 p_setup = (setup *) segmenta // 指向flash memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(setup)); // 拷贝到ram p_setup = &buf; // 指向ram p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改参数 flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(setup)); // 拷贝到flash
文章TAG:msp430F5529的flash是多少flash多少指令

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