电源开关mos管vgs取多少，例如1N60等这样的n mos管Vgsth在2V4V之间那么请问如果提供

来源：整理时间：2023-10-22 13:58:24 编辑：亚灵电子网手机版

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1，例如1N60等这样的n mos管Vgsth在2V4V之间那么请问如果提供
2，mos管电压VGS大于标准值可以吗VGS有没有什么范围这个范围取决于什么
3，请教MOS管做开关电路
4，MOS管的vgs大多是多少伏
5，开关管的技术参数有那些
6，设计开关电源时开关管的耐压VDS如何取值
7，开关电源中选用mos管时要注意哪些参数
8，设计开关电源时开关管的耐压VDS如何取值

1，例如1N60等这样的n mos管Vgsth在2V4V之间那么请问如果提供

可以完全开启，但是等效电阻会大那么一点点，如果负载电流很大，MOS发热就相对厉害一点。

我是来看评论的

例如1N60等这样的n mos管Vgsth在2V4V之间那么请问如果提供

2，mos管电压VGS大于标准值可以吗VGS有没有什么范围这个范围取决于什么

有范围的，我做过600V的mos管，VGS范围在±30，具体你去看看低压mos的PDF文档

mos管电压VGS大于标准值可以吗VGS有没有什么范围这个范围取决于什么

3，请教MOS管做开关电路

你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；所以，G极就是控制极；要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。

电路错了，PMOS你还D入S出？也就是说，S和D反了，调过来就对了。这个电路很常用，类似于PNP型三极管，对P三极管来说，E接电源入，C接控制输出，同理如上。

G极电压根据MOS参数（开启电压），一般2-5V，要让管子起到开关作用，必须给G极开关信号。详情参考中国电子DIY之家详细分析

■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关，场效应管有三个极：源极S、漏极 D和栅极（或叫控制极）G.工作原理是：在给源极和漏极之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给G极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极，如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。

请教MOS管做开关电路

4，MOS管的vgs大多是多少伏

Vgs是MOS管的驱动电压，首先分NMOS和PMOS然后又分增强型和耗尽型一般情况下，增强型NMOS管的Vgs是一个大于0的电压，插件型的一般是12V左右，贴片型的可以做到5V耗尽型的开启电压跟增强型的差不多，但是其关断电压是一个负电压，实际用的不多PMOS与NMOS电压相反。

5，开关管的技术参数有那些

电子行业用的开关管分双极型和MOS型两大类以及两者复合的IGBT。双极型主要参数：集电极最大允许电流 ICM，基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压BVCEO，集电极最大允许耗散功率PCM，特征频率fTMOS型主要参数：Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20VIdm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系Pd: 最大耗散功率Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度BVdss： DS击穿电压Idss: 饱和DS电流，uA级的电流Igss: GS驱动电流，nA级的电流.Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 IGBT主要参数：集电极、发射极间电压 VCES （栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压）栅极发极间电压 VGES （集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压）集电极电流 IC （集电极所允许的最大直流电流）耗散功率 PC （单个IGBT所允许的最大耗散功率）结温 Tj (元件连续工作时芯片温厦) 关断电流 ICES (栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流) 漏电流 IGES (集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流) 饱和压降 V CE(sat) (在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电极、发射极间的电压) 输入电容 Clss (集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容)

开关电源的技术参数1、体积小、重量轻：由于没有工频变压器，所以体积和重量只有线性电源的20～30%。2、功耗小、效率高：功率晶体管工作在开关状态，所以晶体管上的功耗小，转化效率高，一般为60～70%，而线性电电源只有30～40%。

6，设计开关电源时开关管的耐压VDS如何取值

反激式开关电源开关管受到的电压为三部分：1、电源电压，220V的峰值为 380V2、复位电压，变压器反冲电压和漏感形成的反电动势。管子复位需要承受的附加电压，这个跟管子的开关占空比有关，占空比越大，复位电压越高。占空比0.4（Dmax）的一般没功率矫正的120-130V，有功率校正的 163-253V。如果管子耐压不够高，要降低复位电压，就把占空比做小，一般小功率的小电源占空比可以做的小些。占空比小，意味着提供电流的时间短，开关输入电容承受的脉冲电流更大些，需要选择的电容要更大一点，耐受脉冲电流也要大一些。占空比不能太小。太小效率不高。3、尖峰电压，没功率矫正的100-150V，有功率矫正的 150-200V不等上面三个电压再加个余量50VVd= 380+250+200=830V。没功率矫正，电压小点Vd= 380+130+150=660V例如220V电压下限176V时，输出电压占空比为0.2，那么高电压时，复位电压不变，占空比就到0.12了。这个占空比太小，让电源效率非常糟糕。所以提高mos的耐压，可以提高占空比。改善性能效率。85V-265V国际交流电压等级（电流断续）的反激式电源管子耐压数据参考下：D为占空比的最大值和最小值，最大值是100V的占空比，最小值时370V高峰的占空比。600V D0.5-0.21 复位电压100V，尖峰电压80V,安全余量 50V650V D0.55-0.245 复位电压 120V,尖峰电压110V，余量 50V700V D0.57-0.26 复位电压 130V,尖峰电压150V，余量 50V800V D0.67-0.35 复位电压 200V,尖峰电压200V，余量 50V我们基本时220V电压，所以D的最大值很少达到，比较靠近最小值。开关占空比小效率差。例如选600V的管子，可能工作再0.20多些，而用800V管子，可以工作在接近0.4而带PFC的功率因子校正耐压要求更高，因为功率校正回让Vmin保持在接近最大值，所以开关D接近没PFC的最小值。复位电压高。600V D0.208-0.208 复位100V 尖峰80 余量50650V D0.24-0.24 复位120V 尖峰110V 余量50V800V D0.345-0.345 复位200 尖峰200 余量50一般国用的都是 600-650V左右的管子。而且占空比小些，这样就满足要求了。自己做的不计成本的话，用好点就不容易击穿。前面加入保险管，滤波，雷击等吸收电路，保证后面不受大电压冲击。大功率的做个功率校正，更节能绿色环保。

7，开关电源中选用mos管时要注意哪些参数

耐压，电流，导通内阻。

在oring fet应用中，mos管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。　　相比从事以开关为核心应用的设计人员，oring fet应用设计人员显然必需关注mos管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，mos管只相当于一个导体。因此，oring fet应用设计人员最关心的是最小传导损耗。　　低rds(on) 可把bom及pcb尺寸降至最小　　一般而言，mos管制造商采用rds(on) 参数来定义导通阻抗;对oring fet应用来说，rds(on) 也是最重要的器件特性。数据手册定义rds(on) 与栅极 (或驱动) 电压 vgs 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，rds(on) 是一个相对静态参数。　　若设计人员试图开发尺寸最小、成本最低的电源，低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中，每个电源常常需要多个oring mos管并行工作，需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下，设计人员必须并联mos管，以有效降低rds(on)。　　需谨记，在 dc 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如，两个并联的2ω 电阻相当于一个1ω的电阻。因此，一般来说，一个低rds(on) 值的mos管，具备大额定电流，就可以让设计人员把电源中所用mos管的数目减至最少。　　除了rds(on)之外，在mos管的选择过程中还有几个mos管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下，设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(soa)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，soa定义了mosfet能够安全工作的电源电压和电流。在oring fet应用中，首要问题是：在"完全导通状态"下fet的电流传送能力。实际上无需soa曲线也可以获得漏极电流值。　　若设计是实现热插拔功能，soa曲线也许更能发挥作用。在这种情况下，mos管需要部分导通工作。soa曲线定义了不同脉冲期间的电流和电压限值。　　注意刚刚提到的额定电流，这也是值得考虑的热参数，因为始终导通的mos管很容易发热。另外，日渐升高的结温也会导致rds(on)的增加。mos管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为mos管封装的半导体结散热能力。rθjc的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。细言之，在实际测量中其代表从器件结(对于一个垂直mos管，即裸片的上表面附近)到封装外表面的热阻抗，在数据手册中有描述。若采用powerqfn封装，管壳定义为这个大漏极片的中心。因此，rθjc 定义了裸片与封装系统的热效应。rθja 定义了从裸片表面到周围环境的热阻抗，而且一般通过一个脚注来标明与pcb设计的关系，包括镀铜的层数和厚度。

8，设计开关电源时开关管的耐压VDS如何取值

不同的电路拓扑，开关管耐压有不同的取值，一般耐压取2倍的电源电压是安全的

vds一般选用600v或者800v，rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10a/600v的mos管。还有就是厂家，比如fairchild、ship等啊，差别蛮大的。

针对反激架构，MOS管的电压可以分成三个部分：Bulk电容电压+N*Vo+VspikeBulk电容电压最大值，在没有PFC线路的情况下，等于1.414*VinN为变压器的圈比，Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起，这一部分与变压器的绕发有关，不太容易计算。MOS的耐压需要大于实际的电压，才不会有击穿的危险。