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431的基准电压是多少,TL431的工作时最小的压差是多少

来源:整理 时间:2023-05-22 21:55:57 编辑:亚灵电子网 手机版

1,TL431的工作时最小的压差是多少

2.5v是一般的最低的了 还有贴片型 更低电压的

TL431的工作时最小的压差是多少

2,fnr14k431电压

431就是表示电压 43*10^1=430V14表示晶片的尺寸

fnr14k431电压

3,tl431内部的比较器的参考电压是多少V

有1.25V,也有2.5V的,要看后缀的。你自己可以拿datasheet来看

tl431内部的比较器的参考电压是多少V

4,开关电源输出电压是怎么计算的

Uo=R1/R2+1*Ref其中UO就是输出电压R1和R2分别是431的上偏电阻和下偏电阻。REF就是基准电压比如R1和R2都是4.7K的电阻,TL431基准电压是2.5V,那么就是输出(4.7/4.7+1)*2.5=5v,那么输出电压就是5V。如果我回答的对你有帮助,请采纳我为满意答案。我是孔祥辉

5,这个TL431的电路中电压怎么算的呢

至于A点电压怎么算,首先,整流输出电压(C7两端电压)V,给R8,R9和LOAD等效为一个电阻为Rload,则Rload上的压降为Rload*I那么mos管DS的电压为V-Rload*I。I即时这里的恒流电流38mA。然后对照MOS的转移特性曲线簇(不过一般管子不会标注一簇的,380就只有Vds25V的,而且Ids的范围很宽,你也读不到精确的值)找到38mA对应的Vgs电压加上采样电阻两端的电压就是A点的电压 查看原帖>>
1,830不是工作在完全导通状态,估计正常工作在放大状态,当c7的等效负载电阻小于约10.5k时,工作在放大状态,因此a点的电压

6,关于TL431输出电压不懂请老师们看一下

输出电压只和R11,R13有关,Q3的ref脚是2.5V,如果R11=R13输出就是5V。  实际工作的时候TL431处于放大状态,Q3阴极的电压不会到5V的,实际电压是根据流过光耦的静态电流决定(Vo-i*R6-Vf),该静态电流是根据你控制环路的需要设计的,该值不可太小,不然TL431无法工作;也不能太大导致Q3阴极电压过小使得ref脚无法输出2.5V。  TL431是可控精密稳压源。它的输出电压用两个电阻就可以任意的设置到从Verf(2.5V)到36V范围内的任何值。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω,在很多应用中用它代替稳压二极管,例如,数字电压表,运放电路,可调压电源,开关电源等。  TL431是由德州仪器生产,所谓TL431就是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地设置到从Vref(2.5V)到36V范围内的任何值(如图1)。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω,在很多应用中可以用它代替齐纳二极管,例如,数字电压表,运放电路、可调压电源,开关电源等等。
1. 变压器次级相当于r32. q3的阴阳极间电压不等于5v,输出电压为5v
第一张图看不见不知R3是啥。输出电压只和R11,R13有关,Q3的ref脚是2.5V,如果R11=R13输出就是5V。实际工作的时候TL431处于放大状态,Q3阴极的电压不会到5V的,实际电压是根据流过光耦的静态电流决定(Vo-i*R6-Vf),该静态电流是根据你控制环路的需要设计的,该值不可太小,不然TL431无法工作;也不能太大导致Q3阴极电压过小使得ref脚无法输出2.5V。
1. R3相当于 R6 R17 U1-B部分2. 输出电压等于2.5 * (R11+R13)/R13.当输出电压升高时,R11R13分压也升高,TL431的控制端电压是不变的,TL431加大通过阴极阳极的电流,流过U1-B的电流增加,然后控制电路(没有画出)根据电流大小,调整输出电压降低。

7,什么是基准电压

“基准电压是指传感器置于0℃的温场(冰水混合物),在通以工作电流(100μA)的条件下,传感器上的电压值。实际上就是0点电压。其表示符号为V(0),该值出厂时标定,由于传感器的温度系数S相同,则只要知道基准电压值V(0),即可求知任何温度点上的传感器电压值,而不必对传感器进行分度。”基准电压一般采用专用的集成电路,IC 内部有抑制温漂的措施,高精度基准电压发生器必须置于恒温槽内。交流电也有基准电压,如用于交流测量仪表的校准。传感器也有基准电压,与上述含义不同。表示在标准状态下,传感器的静态输出值。扩展资料:基准电压源是模拟集成电路的重要组成部分,在许多集成电路中都需要精密又稳定的电压基准,如模数转换器、数模转换器、线性稳压器和开关稳压器。目前采用的基准电压源设计方法主要有三种:掩埋齐纳二极管、XFET(外加离子注入结型场效应管)和带隙基准电压源,带隙基准电压源包括双极型和 CMOS 带隙基准源 。掩埋齐纳二极管基准电压源和 XFET 基准电压源都具有精度高、稳定性好的特点,但是二者的制造过程不能与标准 CMOS 工艺兼容,并且掩埋齐纳二极管基准源的电源电压高、工作电流大、功耗大。基准电压源设计的关键点在于精度高、温漂小,带隙基准电压源利用硅的能带隙作为基准电压,可以实现高精度,采取一些温度补偿的办法,可得到几乎不受温度影响的基准电压。参考资料来源:百度百科-基准电压
基准电压源是当代模拟集成电路极为重要的组成部分,它为串联型稳压电路、A/D和D/A转化器提供基准电压,也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。另外,基准电压源也可作为标准电池、仪器表头的刻度标准和精密电流源。  几乎在所有先进的电子产品中都可以找到电压基准源,它们可能是独立的、也可能集成在具有更多功能的器件中。例如:在数据转换器中,基准源提供了一个绝对电压,与输入电压进行比较以确定适当的数字输出。在电压调节器中,基准源提供了一个已知的电压值,用它与输出作比较,得到一个用于调节输出电压的反馈。在电压检测器中,基准源被当作一个设置触发点的门限。  理想基准电压源  理想的电压基准源应该具有完美的初始精度,并且在负载电流、温度和时间变化时电压保持稳定不变。实际应用中,设计人员必须在初始电压精度、电压温漂、迟滞以及供出/吸入电流的能力、静态电流(即功率消耗)、长期稳定性、噪声和成本等指标中进行权衡与折衷。  基准源的类型  两种常见的基准源是齐纳和带隙基准源。齐纳基准源通常采用两端并联拓扑;带隙基准源通常采用三端串连拓  实现方式  1.电阻分压:  只能作为放大器的偏置电压或提供放大器的工作电流。这主要是由于其自身没有稳压作用,故输出电压的稳定性完全依赖于电源电压的稳定性。  2.普通正向二极管  不依赖于电源电压的恒定基准电压,但其电压的稳定性并不高,且温度系数是负的,约为-2mV/℃  3.齐纳二极管  可克服正向二极管作为基准电压的一些缺点,但其温度系数是正的,约为+2mV/℃  4.温度补偿性齐纳二极管  体积小、重量轻、结构简单便于集成;但存在噪声大、负荷能力弱、稳定性差以及基准电压较高、可调性较差等缺点。这种基准电压源不适用于便携式和电池供电的场合。  5.带隙基准源(采用CMOS,TTL等技术实现)  运用半导体集成电路技术制成的基准电压源种类较多,如深埋层稳压管集成基准源、双极型晶体管集成带隙基准源、CMOS集成带隙基准源等。“带隙基准源”是七十年代初出现的一种新型器件,它的问世使基准器件的指标得到了新的飞跃。  由于带隙基准源具有高精度、低噪声、优点,因而广泛应用于电压调整器、数据转换器(A/D,D/A)、集成传感器、大器等,以及单独作为精密的电压基准件,低温漂等许多微功耗运算放。
IC引脚标“基准电压 ”,有3种情况:1.给该IC输入一个已知的,精确的电压,供该IC内部电路作为标准源。2.该IC输出一个已知的,精确的电压,供该IC外部电路作为标准源。3.该IC输出一个已知的,精确的电压,经外部电路分压得到另一个已知的,精确的电压,再送到该IC另一引脚,供该IC内部电路作为标准源。具体情况到底是什么,要查该IC的资料。
基准电压是电子电路中的电压标准,是测量、标定电路中其他电压的依据。如模数转换器(a/d)、直流稳压电源必须有基准电压,才能精确测量未知电压、输出标准电压。。基准电压一般采用专用的集成电路,ic 内部有抑制温漂的措施,高精度基准电压发生器必须置于恒温槽内。交流电也有基准电压,如用于交流测量仪表的校准。传感器也有基准电压,与上述含义不同。表示在标准状态下,传感器的静态输出值。图中用稳压管做基准电压,t2发射极电位是定值,rp对输出电压取样,控制t2的基极电流,从而控制t1的输出电流,稳定输出电压。用稳压管做基准源稳压精度不高,用集成块 tl431 做基准源很简单,精度是稳压管无法比拟的。
顾名思义,就是提供IC内部电压基准的参考电压,通常需要外接一个电容到GND,它是在IC内部已经产生了,可以通过简单的分压来实现,或者通过bandgap结构来实现。
在许多基准中驱动基准元件(齐纳管或带隙基准)的电流是从稳定输出中分流出来的。这种正反馈增加了直流稳定性,但却产生一个阻制启动稳定的“断”状态 。芯片内部电路为了解决这个问题并且便于启动,通常设计成吸收接近最小的电流,所以许多基准要稍微慢一点才能达到指标(一般需要1~10 ms)。有些基准确实给出了比较快的启动特性,但也有一些还是比较慢的。 假如设计师需要在电源接通后要求基准电压能非常迅速地应用于电路中,就要挑选具有足够快的导通特性的基准,并且应使降噪电容(noise reduction caPACitance)最小。为了使系统省电,基准导通延迟可能会限制数据转换 系统选通供电的机会,即使基准位于转换器芯片内部,这个问题仍然应该考虑。另外考虑转换器的电源起动特性在这种系统中也是同样重要的。 高精度的基准在电源接通后,芯片达到热稳定之前可能需要一个额外的热稳定周期并且使得受热所引起的失调达到它们的最终稳定值,这种影响在产品说明中将会给出,一般不超过几秒钟的时间。
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