高压mos多少v，请问当IRF520场效应管MOS管的控制电压在多少伏时内阻最

来源：整理时间：2023-01-20 23:40:51 编辑：亚灵电子网手机版

1，请问当IRF520场效应管MOS管的控制电压在多少伏时内阻最

当IRF520场效应管的GS控制电压在10伏时，内阻最小，可达0.23欧姆。

12Ⅴ

请问当IRF520场效应管MOS管的控制电压在多少伏时内阻最

2，MOS 10N60 开启电压多少

10N60 VMOSFET的漏极电流Id为10A，耐压值为600，这类耐压值高达上百伏的MOS管的开启电压都较大，一般都在3~5V，而现在各种开关电源、充电器里面用的贴片MOS管，其开启电压低的仅有1V，大部分都在3V以下。

一般情况下都可以,要注意其耐压,只能高不能低,但某些地方需要注意其频率,导通电压等。

MOS 10N60 开启电压多少

3，MOSFET现在电压最高是多少

你是指cmos集成电路中的mosfet导通电压么？对于cmos电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，pmos的阈值电压为-0.7v左右，nmos小一些，可能0.6v左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，pmos的阈值电压可能只有-0.4v左右，nmos更小一些，可能0.3v左右。

这个电压等级你用IGBT啊，高压的MOSFET损耗很大的

MOSFET现在电压最高是多少

4，高压mos管650v的好还是600v的好

650v相对的耐压从数据上看就比600v的mos管要好。只要你们公司不考虑成本的因素，就大可选择杰瑞特650v的mos管他们好像是从晶圆到mos管成品都有做，希望可以帮到你。望采纳。

电压指标只可以高的替代低的，等于就是你不可以在你使用2n60的时候再去选择2n50，如果你选2n65来替代就是一个好的选择。还有一个就是选择mos管的时候最好先测试一下你现在的电压实际测试是多少，因为mos管厂家设计的时候一般都会留有一定的余量。你说的这家公司的产品还不错，650v实际测试可以达到700v，之前我们又跟他们谈过，产品是好的，就是有些比国产的稍贵。

5，高压mos管650v是不是可以替代600v的

答：单纯从电压一个指标来说，当然是可以替代的。还要看看电流温度曲线等等。

6，帮我分析下这个mos管电路门极电压是多少

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。

你图上是双极性晶体管，按你说条件算它mos型晶体管。左边栅极电压为v_do_carera/(1+5.1)，右边，当v_do_carera=1v时是12v*(510/100k)，假设你的q92在电路中能完全饱和(c极电流大于12/510)，那么当v_do_carera=1v时，大约是q92饱和压降(或者导通阻抗压降)的(510/100k)。

大约1.2v。。。。。。。。。。

从电路上看，大概11V左右。

7，场效应管参数Vdss是个什么参数

漏源击穿电压　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

漏源击穿电压

场效应管耗散功率最大可承受输出功率理论上和输出功率的关系，在单端甲类时是输出功率的2倍、互补推挽时等于输出功率。实际使用留有余量。vdds是击穿电压，场效应管的电压不能超过vdds，实际使用时工作电压应留有1.5倍以上的余量。设计一个大功率场效应管放大电路可选择多只输出管子并联工作，通过提高输出电流达到提高输出功率的效果。输出高压(超过3000v),没有实际意义，因为不但很难保证电路器件和音箱的安全，对使用安全威胁更大。理论上，可以通过输出变压器或者多个放大电路叠加的方式实现。