在这个电路中，P沟道MOS FET和N沟道MOS FET总是工作在相反的状态，它们的相位输入和输出是相反的。，通常在栅极电压小于，根据相关公开资料，CMOS集成电路的输入是由保护二极管和串联电阻组成的保护网络，输入阻抗较大，fet 1是场效应晶体管，阻抗很低，场效应晶体管是在三极管的基础上发展起来的，两者的区别在于以下几点:三极管是双极管，即管工作时，空穴和自由电子两个载流子参与其中；场效应管是一种单极管，即当管子工作时，只有空穴或只有自由电子参与传导。
与fet相比，cmos具有高阻抗。场效应是改变垂直于半导体表面施加的电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型，同时，由于漏电流的影响，栅极电压尚未达到，电子管处于关断状态。添加正确的VGS后，大多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”该区域的载流子并形成导电沟道。
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