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电阻160对应多少温度,电阻与温度的换算是怎么换算的 公式和算法比如22摄氏度时0

来源:整理 时间:2025-02-15 00:44:24 编辑:亚灵电子网 手机版

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1,电阻与温度的换算是怎么换算的 公式和算法比如22摄氏度时0

TCR=dR/(R.dT)

电阻与温度的换算是怎么换算的 公式和算法比如22摄氏度时0

2,电阻与温度关系公式

1、电阻温度换算公式:R2=R1*(T+t2)/(T+t1)t1-----绕组温度T------电阻温度常数(铜线取235,铝线取225)t2-----换算温度(75°C或15°C)R1----测量电阻值R2----换算电阻值2、在温度变化范围不大时,纯金属的电阻率随温度线性地增大,即ρ=ρ0(1+αt),式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率,α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。由于α比金属的线膨胀显著得多(温度升高1℃,金属长度只膨胀约0.001%),在考虑金属电阻随温度变化时,其长度l和截面积S的变化可略,故R=R0(1+αt),式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。3、电阻温度系数当温度每升高1℃时,导体电阻的增加值与原来电阻的比值,叫做电阻温度系数,它的单位是1代,其计算公式为α=(R2-R1)/R1(t2--t1)式中R1--温度为t1时的电阻值,Ω;R2--温度为t2时的电阻值,Ω。

电阻与温度关系公式

3,常见物体电阻大小与温度的关系

一般地说,导体温度越高,电阻越大而绝缘体的温度越高,则电阻越小请点击采纳

常见物体电阻大小与温度的关系

4,电阻和温度的关系

金属导体温度越高,电阻越大,温度越低,电阻越小。超导现象:当温度降低到一定程度时,某些材料电阻消失。电阻温度换算公式: R2=R1*(T+t2)/(T+t1) R2 = 0.26 x (235 +(-40))/(235 + 20)=0.1988Ω 计算值 80 A t1-----绕组温度 T------电阻温度常数(铜线取235,铝线取225) t2-----换算温度(75 °C或15 °C) R1----测量电阻值 R2----换算电阻值。在温度变化范围不大时,纯金属的电阻率随温度线性地增大,即ρ=ρ0(1+αt),式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ,α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。 由于α比金属的线膨胀显著得多( 温度升高 1℃ , 金属长度只膨胀约0.001%) ,在考虑金属电阻随温度变化时 , 其长度 l和截面积S的变化可略,故R = R0 (1+αt),式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。扩展资料:电阻温度系数表示电阻当温度改变1度时,电阻值的相对变化,单位为ppm/℃。有负温度系数、正温度系数及在某一特定温度下电阻只会发生突变的临界温度系数。当温度每升高1℃时,导体电阻的增加值与原来电阻的比值,叫做电阻温度系数,它的单位是1代,其计算公式为 α=(R2-R1)/R1(t2--t1) 式中R1--温度为t1时的电阻值,Ω; R2--温度为t2时的电阻值,Ω。电阻温度系数并不恒定而是一个随着温度而变化的值。随着温度的增加,电阻温度系数变小。因此,我们所说的电阻温度系数都是针对特定的温度的。对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说,它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射,与温度具有很强的相关性。实际的金属由于工艺的影响,造成它的晶格结构不再完整,例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在,电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。因此,实际的金属电阻率是由相互独立的两部分组成。参考资料:百度百科——电阻温度系数
有的电阻随着温度的身高变小,有的电阻随着温度的身高电阻值超大
温度对不同物质的电阻值均有不同的影晌。导电体在接近室温的温度,良导体的电阻值,通常与温度成正比:R=R0+aT上式中的a称为电阻的温度系数。半导体未经掺杂的半导体的电阻随温度而下降,两者成几何关系:R=R0×e^(a/T)有掺杂的半导体变化较为复杂。当温度从绝对零度上升,半导体的电阻先是减少,到了绝大部份的带电粒子 (电子或电洞/空穴) 离开了它们的载体后,电阻会因带电粒子的活动力下降而随温度稍为上升。当温度升得更高,半导体会产生新的载体 (和未经掺杂的半导体一样) ,原有的载体 (因渗杂而产生者) 重要性下降,于是电阻会再度下降。
金属导体温度越高,电阻越大,温度越低,电阻越小。超导现象:当温度降低到一定程度时,某些材料电阻消失。
在长度、粗细、材料一定的情况下,温度越高电阻越大,但是一般温度的影响忽略不计
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