反激变换器开关频率做到多少，反激变换器数字控制系统设计直流输入电压220V 开关频率50

来源：整理时间：2023-03-09 14:20:51 编辑：亚灵电子网手机版

1，反激变换器数字控制系统设计直流输入电压220V 开关频率50

500W电压超调5% 反激变换器数字控制系统设计放心,我现在就帮你,

反激变换器数字控制系统设计直流输入电压220V 开关频率50

2，PQ3230做150W反激开关电源频率选多少合适

PQ3230 的AE是160。做150W可以，频率用常规的60K/65K就行。变压器匝比用30:7 ：5. 感量取0.2mH。

PQ3230做150W反激开关电源频率选多少合适

3，大家说说反激电源开关频率做150kHZ有没有什么问题能否

100W没事，10000W就不行了。

没有什么问题能稳定使用

你好！开关频率的多少，要看你选用的IC参数吧！若IC本身就是150KHz的，那当然没问题啦！如有疑问，请追问。

大家说说反激电源开关频率做150kHZ有没有什么问题能否

4，反激开关电源想请教开关频率的问题

可以的。首先根据输入、输出电压、匝比计算大致的占空比：D=n*Vo/(1.414*VIn+nVo)再根据1.414*VIn*Iin=Vo*Io,估算平均输入电流。之后可估算原边最大峰值电流Ipk=2*Iin/D(不连续模式或者临界模式）若为连续模式则稍微复杂一些（但一般反激都会设计为不连续模式，这样变压器的磁滞回线利用率较高）好了，晓得Ipk、Uin、L、D就可以根据Ipk = (1.414Uin/L)*D*T,其中T就是周期；根据f=1/T，大致频率就可以估算了。这是我的方法，仅供参考哈！

5，单端反激变换电路一般用于多大功率

单端反激变换电路一般用于输出功率不大于200w、并且是没有空载的应用场合。

单端反激式电路功率在200w以下较容易实现，想做到500w较难，主要是开关变压器很难设计，磁芯、开关管也不好选，工作频率、散热等也不好解决。200w—400w可用单端正激式，400w以上用推挽式、半桥式或全桥式电路。

6，反激变换器工作频率

资料技术资讯反激变换器的典型应用2016年08月10日阅读 1471 1 前言反激变换器一个典型的应用场合是在逆变器中给IGBT的驱动提供辅助电源。此时反激变换器的开关管需要有比较高的击穿电压和快的开关速度。为了降低开关损耗，开通和关段的能量也要小。BIMOSFET的一个主要的优点就是它的开通损耗小，另外它的导通损耗也比较小。把MOSFET和BIMOSFET对比来看，BIMOSFET的损耗大概要小35%左右。 2 反激工作反激变换器是最简单的变换器之一。其电路中只包括一个开关管，一个变压器，一个二极管和两个电容，如图一所示。变换器的能量储存在铁心的气隙中。开关管导通时，原边电流斜线上升，磁芯储能，关断时通过二极管传送到负载端。反激变换器的最大功率可以做到300W。这个电路的优点是具有非常宽的输入输出电压比，并且可以增加辅助的线圈实现多路输出。另外，它能很好的实现原边和副边的电气隔离。它的缺点是开关管的电压应力比较高，变压器气隙产生的RFI辐射比较高。反激变换器不允许空载或者开环工作，否则输出电压将会超过允许的限度。图1 反激变换器 3 反激变换器的应用反激变换器一个主要的应用场合是在逆变器中给IGBT的驱动提供辅助电源。这种场合下的所有需要都可以通过反激变换器来实现。图2中阴影部分所示的是逆变器的驱动电路，这里还包括一个启动电路。其辅助电源可以由非常少的器件构成，成本廉价。图2　逆变器由于变换器的输入电压就是直流母线电压，因此电压的变化范围比较宽。在母线电容充电的过程中，辅助电源必须在直流母线电压非常低的条件下工作，例如还有电机的制动状态。当直流母线电压上升到750V时，输出电压可以通过变化开关管的占空比很容易的调节。所有的隔离直流输出都可以通过增加独立的辅助线圈来实现。比如5V给微处理器供电，正负15V给电流传感器，正15V给下面三个IGBT驱动，另外三个独立的正15V给上面的IGBT作驱动。反激变换器作为逆变器驱动时重要的一点是需要高的电压应力。在反激变换器中，开关管的最高电压应力是输入电压的两倍。因此，开关管的最小耐压应该2×Vin。作为电机控制的标准逆变器其电源为400V，电动机在制动状态时直流母线电压高达750V。因此只要需要耐压值为1600V的开关管。反激变换器开关频率通常取50k到100KHz。为减小开关损耗，开关时所需要的能量要尽量低。为了做到这一点，必须要求开关管的开关速度快。避免开通损耗一个比较常用的窍门是直到输出二极管电流降到零后(断续模式)再开通晶体管。这就需要在下一个周期开始之前，留出一定的死区时间。这种方法可以减小开关管和二极管的换向损耗，从而可以提高开关频率，减小变压器体积。 4 BIMOSFET芯片技术标准高压IGBT对于反激变换器来说速度太慢。这种新型的高压BIMOSFET完全可以满足需要。无论是MOSFETS说是IGBTS，其传统的结构通常是DMOS(双扩散金属氧化硅)，就是在一层薄且低阻抗的硅衬底上生成一个硅外延层，如图3.a所示。但是，当电压超过1200V时，承受阻断电压的N-硅层更倾向于图3.b所示无外延层的结构。这种结构也被称为“均匀基区结构”或是NPT。参照图3.b，保留了IGBT中的PNPn结构，但是需要注意的是这里引入了一个N+集电极-短路模式，目的是减小PNP晶体管的电流增益，改善其关断性能。但是，在发射极和集电极之间有一个“自由”的寄生二极管，这也就是BIMOSFET首字母缩略词的由来。BIMOSFET的关断由集电极来控制。为了优化二极管的反向导通，不至于产生换向时带来的dv/dt问题，少数载流子的寿命应该通过辐照的方法降低下来。有两种类型的BIMOSFET，一种称为标准型，类似于IGBT，其控制电压为VGE=15/0V;另一种“G”型，其门极电压和MOSFET一样，下节我们将来介绍它。此外，两者的静态和动态特性都是一样的。

7，请问反激变换器有好用的工作在连续模式下的的同步整流驱动IC吗

330K工作频率可不低啊，不知道你是如何设计的噢。再就是160w输出对于反击来说确实已经够大了。这个适合正激，或者半桥了。效果更好。给你个同步整流的芯片资料吧。NCP4302你搜索下。其实你把频率提上去了，热量有可能也上去了。主要是开关管的损耗增加了，吸收电路也增加了功耗。你这么高的工作频率变压器的铁损耗也增加了，你测试下吧。多数都工作在不超过白K赫兹。如果是我，我直接告诉他我做不到，你给我一个世界最先进的玩意让我开发，我开发出来你给我多少钱，还是能给我学历。你想想不是厂家的芯片频率到不了，实际上用不到那么高的频率。只有低电压的采用那么高的频率，高压的，你自己做吧，我建议你放弃，就是你不放弃，你的下一个任务你自己享受吧，更艰辛更不讨好有选择的放弃项目，让你老板也知道，有些是他瞎想的。做不到的。不要选择费力不讨好的事情做

NCP4302反激式次级同步整流控制器,看看是否满足您的要求?有疑问可加我Q联系了解更详细参数.再看看别人怎么说的。

8，Pwm和Pfm做反激变压器计算公式

首先说你的概念有点混淆，反激变换器是没有PFM的。所谓P，W，M就是“脉冲”，“宽度”，“调制”。P，F，M就是“脉冲”，“频率”，“调制”。而反激变换器是靠改变开关管导通时间和开关周期来控制能量传输的多少。这是典型的PWM模式。如果你只改变开关周期也就是频率，而不改变占空比，是无法控制能量传输的多少的。所以说反激变换器没有PFM模式。但反激变换器确是有固定频率PWM（如UC3842等）和可变频率PWM（如L6562等）的。不论频率是否变化，我们最终关心和需要计算的还是占空比，也就是脉冲宽度。明白了这个道理就知道在做可变频率PWM变换器时该怎样计算了。只要确定了各个极端条件下的工作频率，但后带入普通的反激计算公式就可以。需要注意的是，不同的芯片控制方法不同，频率的变化规则也不同。比如有固定开通时间的，有固定关断时间的，有滞回型的，还有最大或最小频率限制的。总之一定要先搞清楚你选用的控制器工作方式在各个极端条件下的工作频率。然后再去计算。否则计算出的结果没有意义。

你这个问题我帮你在大比特论坛发过帖子了，就等待那边的高手提供更详细的解答。如果有回答，第一时间通知你，你可以留个邮箱。如果问题比较急，你可以登录论坛然后搜索你的标题看别人的回答也行。再看看别人怎么说的。