负电压只能施加在结型场效应晶体管的栅极上。当栅极不带电时，电子流将稳定地到达屏幕，当向栅极施加正电压时，电子流的速度和功率将会增强；相反，当向栅极施加负电压时，电网就像一个开关，当栅极不带电时，电子流将稳定地穿过栅极并到达屏幕。当向栅极施加正电压时，它将吸引电子并增强电子流的速度和功率，相反，如果在栅极上施加负电压，电子必须绕道才能到达屏幕。
只有正电压可以施加到增强型场效应晶体管的栅极。因为正电压施加在栅极上，带负电的电子将被吸引并通过栅极飞向栅极，从而形成电子流。在栅极上施加负电压后，它对从阴极逃逸的电子数量有影响，这可以抑制电子的逃逸。施加正负电压。负极线连接到Vss或栅极电源这是计算栅极电阻的第一种方法。第二种方法是向三端双向可控硅开关栅极施加负电压。
阳极是最外面的高压电极板。在高压电场的作用下，从阴极逸出的电子将发射到阳极板形成电流。通电燃烧一段时间后，测量阳极电压和阴极负压。看到变化了吗？栅极和源极之间的P-N结反向，栅极电流为iG≈，栅极是被阴极包围并靠近阴极的一层栅网。反向电压！当N沟道结场效应晶体管工作时，负电压（vGS《
GS电极之间的最大电压不应超过，并且应在漏极和源极之间增加一个正电压（vDS》》）。根据国家标准“安全电压”中的信息，mos管的导通起始电压为，因此mos管的最大导通电压为，并在短节上施加等于VDD的正电压，可以看出，双向晶闸管A连接在三端双向可控硅开关元件的栅极和A、GS的电极之间，并且FET呈现高输入电阻。
