用于过压保护和浪涌电流吸收。一般来说，应在电路中适当设置保护电路，以吸收电路中的瞬时高压和浪涌电压，并保护关键元件，这是一个压敏电阻，一般在低电压时具有高电阻，但超过一定电压后会变成低电阻状态，当栅极电压变化时，沟道中感应的电荷量也发生变化，导电沟道的宽度也发生变化，因此漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
可以满足高速高电压的要求。v是一种很常见的压敏电阻，用于减小MOS管导通瞬间可能产生的浪涌电流，利用开关管漏源极的电容，抑制MOS管门电路可能感应的空间电磁干扰误导MOS管。它具有抗辐射性。MOS管的栅极和漏极之间的间接电容由于其两端的电压而不能突然变化，这将导致MOS管被驱动时的缓慢导通过程。
因为MOS晶体管放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以很小。效应管的耐压和电流应留有一定的余地，以保证正常使用，以上电路比较适合。m等等，功能:可用于放大电路。损坏可能有几个原因:缺少保护电路，数量:TO-ST，DIP/MOS，N-field，，，最大耐压，以及具有不同MOS集成电路结构的MOSIC，例如浮栅雪崩注入MOS（FAMOS）结构。
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