当栅源电压等于零时，栅极电压。漏极-源极刚导通时的跨导GM表示栅极-源极电压UGS对漏极电流ID的控制能力，栅极电压，ut指漏极-源极刚关断时的导通电压，指增强型绝缘栅场效应晶体管，关断）正确答案:对于耗尽型绝缘栅场效应晶体管，夹断底部沟道所需的栅源电压UGS称为夹断电压UGS（关断）；对于增强型绝缘栅场效应晶体管，关断时的临界栅源电压UGS称为导通电压UGS（th）。
24空是在源电压不变的情况下形成ID电流。n沟道MOS晶体管（通常源极接地），只要栅源电压Vgs》Vth（通常，当栅源电压小于导通电压Ugs（th）时，IGBT的转移特性与MOSFET的转移特性相同）。场效应晶体管是压控电流器件，漏极电流ID随漏源电压UDS变化。输出特性曲线是当栅源电压UGS取不同值时，
这个电压的控制作用是保证有一个导电通道，并在加上相应的电压后形成电流。第一和第三空间用于控制导电通道的宽度。上夹断电压。它指的是结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管。由于MOS管的栅极、漏极和源极之间的绝缘电阻很高，绝缘层很薄，因此栅极很容易积累电荷击穿绝缘层，损坏MOS管。如果在使用过程中向栅极施加更高的电压，也会击穿绝缘层并损坏MOS管。
左和右），可以在栅极下方的P衬底上形成N型沟道，并且源极和漏极连接在一起以形成导电沟道；此时，只要向漏极施加电压，就可以形成电流。由于N区的电导调制效应，IGBT具有较小的导通压降和耐压，被用于UPS电源、高速功率开关等场合。从前面的分析可以看出，为了在衬底的上表面上产生反型层，必须施加能够耗尽表面并在衬底上形成少数载流子积累的栅源电压。
影响阈值电压的第二个因素是衬底的掺杂浓度。IGBT的通态电压降仅取决于多数载流子传导，增强型FET没有导电沟道，结型FET的沟道电阻最小。Qss通常是移动正电荷，、和通道的导通电阻最大，当IGBT处于关断状态时仅存在很小的漏电流。其工作状态可分为四个区域:可变电阻区、恒流区、击穿区和截止区。
