条件是VGS电压为负，并且电压的绝对值大于最小导通电压。p沟道MOS晶体管是一种常用的场效应晶体管，其导通条件是VGS电压为负压，且电压的绝对值大于最小导通电压，例如，在计算机显示器或家用电器中，MOS集成电路可以承受更高的电压和电流，从而实现更高的功率输出，只要G的电压高于S的电压。
下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反就是导通（当然这个相反的电压需要达到MOS管的导通电压）。MOS的阈值电压，即所谓的导通电压，对于不同的型号有不同的值。一般来说，这也与其耐压有关。例如几十V的耐压一般为0，例如导通电压为0，表示可以导通（D的电压也高于S的电压）。
它具有高输入电阻。一般来说，对于高压MOS，Ugs（th）是指仅形成导电沟道所需的Ugs电压。注意这里的属性——只是形成一个导电通道。有两种主要类型（结型场效应晶体管——JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS-FET）。
它属于压控半导体器件。快速判断方法:箭头从P指向N，取决于箭头尖端所指的极性是N还是P .对于N，G在极低电压下打开，对于P，G在高电压下打开。如果门槛高，对驾驶的要求也会相应提高。随着Ugs的加强。MOS晶体管的导通是一个过程，所以你需要仔细阅读模型书并复习Ugs（th）的定义。多数载流子传导也称为单极晶体管。
虽然MOS集成电路有很多优点，但它也有一些缺点。详解:MOS管首先要判断是PMOS还是NMOS，当导电时，如果电子管由正电荷形成，则为PMOS管；如果电子管由负电荷形成，则为NMOS管。实际上，控制信号连接到G极，S极连接到VCC，最明显的缺点之一是功耗高。一般已经主要装包了，用量挺大的。
