导致电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。发射极结和集电极结的区别在于反向击穿电压，称为反向击穿电压，无论是npn还是pnp，引起这种效应的电压都称为“击穿”电压或“齐纳”电压，击穿PN结，BC结的反向击穿电压低至几十伏，载流子不断倍增，最终导致pn结击穿。
即NPN管BE结的反向击穿电压是二极管开路的结果:断点两端的电压为电源电压，一般对电路无害。隧道击穿，也称为齐纳击穿，可以用量子力学中的隧道效应来解释。随着反向偏压的增加。当二极管被电死时，它就失去了单向导电性。当施加的反向电压超过一定值时，反向电流会突然增加，这就是所谓的电击穿。用于稳压管。补充:所有硅管（PNP和NPN）的BE结应具有反向击穿电压。
两者的结果是不同的:二极管击穿的结果:二极管被击穿后，一般会失效而不能恢复其原有性能。指的是反向电压过大时，如果二极管没有因电击穿而过热，则单边导电性可能不会被永久破坏。在击穿状态下，不会对二极管造成永久损坏的电流称为齐纳电流。此时可分为雪崩击穿和齐纳击穿。当电流增加时，释放出更多的热量。当二极管发出的热量烧坏PN结时，二极管就不能再使用了。
当掺杂浓度较高时，由于势垒区宽度较小，反向电压较大，导致势垒区共价键结构被破坏，使价电子脱离共价键而产生电子-空穴对。这两个二极管的直流电压相同，如果齐纳二极管的反向电压增加到某个特定值，偏置电压的微小变化将导致电流大幅增加。由于表面电池，它们与势垒区中的晶格原子碰撞，电离它们的价电子并获得新的自由电子和空穴，因此。
