FET是单极晶体管(因为载流子参与传导,要么是电子(N沟道),要么是空穴(P沟道));BJT是电流控制器件(基极电流控制集电极电流),FET是电压控制器件(栅源电压控制漏极电流)。它属于压控半导体器件,又称单极晶体管,属于压控半导体器件,特点:高输入电阻。
又称单极晶体管,属于压控半导体器件。特点:高输入电阻(ω~),主要有两种类型(结型场效应晶体管—JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(简称MOS-FET)。有两种主要类型:结型场效应晶体管——JFET和金属氧化物半导体场效应晶体管(简称MOS-FET)。
概念:场效应晶体管(FET)缩写为场效应晶体管。它由多数运营商进行,【编辑本段】概念:场效应晶体管(FET)是场效应晶体管的缩写。它由多数载流子传导,具有高输入电阻,因为过渡层中没有电子。