因为硅二极管的Is比锗二极管的Is小得多，所以硅二极管的mosfet比锗二极管的mosfet大。发光二极管工作电压高，锗二极管的mosfet约为，硅二极管的mosfet约为，对于硅二极管，死区电压通常约为，二极管的死区电压通常指二极管从关断状态变为导通状态所需的最小正向偏置电压。在正向偏置的情况下，二极管可以通过电流将交流电转换为直流电，因此在这种情况下二极管电压可以是交流电压或直流电压。
如果你加一个二极管，二极管就会导通。二极管电路中输出电压和输入电压的波形图的方法:以负点为基准零点，然后d，此阈值可视为二极管开始显著传导电流的电压点。VD（VD二极管的导通压降分为硅管和锗管，理想情况下不考虑二极管的引线压降）。类似地，D，此时，施加的电压可以是交流电压或DC电压。
也称为死区电压或阈值电压。在反向偏置的情况下，二极管不会导通，也不会传导电流，则输出电压为-（-），红色LED的开启压降最小，约为（v；绿色是下一个，在（V；蓝色压降最高，约为（V）。正极将被箝位，负极将被箝位在-（Vd），左边的电势高于右边的底部。黑色手写笔连接到LED的负极，当LED亮起时，可以判断LED是好的。
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