不存在高压mos管电压不同的说法，mos导通电压一般在0左右，而低压mos管在0左右。p沟道MOS晶体管是一种常用的场效应晶体管，其导通条件是VGS电压为负，并且该电压的绝对值大于最小导通电压，条件是VGS电压为负，并且电压的绝对值大于最小导通电压，这种耐压高达数百伏的MOS晶体管的导通电压很大。
目前，开关电源和充电器中使用的各种SMD MOS晶体管的导通电压都较低。以下是MOS晶体管的导通条件。只要记住电压方向与中间箭头的方向相反，这意味着导通（当然，这个相反的电压需要达到MOS晶体管的导通电压）。只要G的电压高于S的电压，N沟道MOS晶体管就会增强:当Ugs》Ugs（th）时，它就会导通。例如，接通电压是，
即可以接通（D的电压也高于S的电压）。不同反应速度的MOS管的反应速度比不同反应速度的MOS管慢。Mos管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管或金属绝缘体半导体。是的，G极电压需要，并且增强很明显:P沟道增强:当Ugs打开时。快速判断方法:箭头从P指向N，取决于箭头尖端所指的极性是N还是P .对于N，G在极低电压下打开，对于P，G在高电压下打开。
，耐压值为，MOS管的源极和漏极可以切换，它们都是在P型背栅中形成的N型区。详解:MOS管首先要判断是PMOS还是NMOS，当导电时，如果电子管由正电荷形成，则为PMOS管；如果电子管由负电荷形成，则为NMOS管。VMOSFET的漏极电流Id为，Ugs（th）为正值，这在。
