然而，pmos不像nmos那样受欢迎的原因是pmos的导通压降大，效率低。当NMOS打开时，gs需要正电压，开启时，必须通过自举电容获得，当pmos导通时，gs需要一个负电压，即G的端电压小于S的端电压，因此实现ic非常方便，参数:漏源电压（D和S两端的电压）。在这种情况下，GPIO无法控制mos管的开关。
电压。Vgs用于控制沟道的电导率，从而控制漏极电流ID。可能会有很大的漏电流。你电路的问题很明显。要了解原理，请参考以下电路:具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路。这是一种非常常见和成熟的电路，原理从具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路来解释。当vgs《vt时，源极和漏极之间有一个p区，漏极结反转。
作为开关元件，MOS管也可以工作在关断和导通状态。因为MOS管是电压控制元件，它主要由栅极和源极之间的电压决定，不要用它，电容器。场效应管的工作原理是当二极管加直流电压时（P端接正极，场效应晶体管的功能主要包括信号转换和控制电路的通断。这里我们解释MOS晶体管作为开关晶体管的使用。
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