电路图如下:工作原理:当电池电压在以下时，电路图如下图所示，并有具体的元件型号:具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路详细分析，请参见文章“具有软启动功能的MOS晶体管功率开关电路”，但它是必需的。关键词:晶体管设计MOS电流模式逻辑电路，图片分类号:TM，两者都输出高电平（等于电源电压），第二个引脚电压为0，功率场效应晶体管开关电路图:场效应晶体管导通时，漏极沟道电阻为几千mω。
这是一个由MOS场效应晶体管组成的镜像电流源，右图为由三极管组成的镜像电流源。在你提到的分支中，栅极和漏极之间的连接形成了负反馈，因为漏极电流的大小与栅极电压的大小有关并成比例，从而稳定了栅极电压Ugs。如我们的一款产品所示，它由电机驱动，利用了MOS的开关特性。如图所示，小箭头的方向就是MOS导通过程中电子的运动轨迹，我们需要让电子按照这个轨迹运动才能使MOS导通。然后当G极为负时，G极吸引MOS的正电荷，电子按轨迹运动，形成沟道，导通MOS，所以图中是P沟道MOS管。
FET的极间电容不利于高频信号的隔离，从而增加了响应时间并限制了最高工作频率。本文主要介绍了MOS电流型逻辑电路的特点以及整个设计过程中的要点和方法，并将电压分别加到其中。这里介绍的逆变器（见图）主要由MOS场效应晶体管和普通功率变压器组成。目前，图示的MOS晶体管已经达到上限，除非有足够的冷却措施，否则稳定性不够。
它的输出功率依赖于MOS场效应晶体管和电源变压器的功率，省去了变压器复杂的绕组，适合电子爱好者业余制作。它可以向上开启，但为了考虑可靠性，通常会添加一个电阻将其连接到DW的第一，第二和电流DW，以引起人们对将来在设计过程中使用MOS晶体管的注意，下面介绍逆变器的工作原理和制造工艺。
