也可以从电压高低来判断。如果D高于S低于S，这意味着D的端电压高于S的端电压，晶体管导通时为NMOS，然而，高端驱动的MOS晶体管的源极电压和漏极电压（Vcc）在导通时是相同的，因此这意味着栅极电压大于Vcc，其次，应该注意的是，高端驱动通常使用的NMOS的栅极电压需要大于其导通时的源极电压，NMOS衬底的电位必须是最低的三针NMOS，并且S电极和衬底相连。因此，有必要确保S电极的电势在任何时候都是最低的，并且不能通过AC的四引脚NMOS可以通过AC，并且在G电极和基板之间施加控制电压。
UGS固定，UDS，从南极到右侧。回答另一个问题——为什么在NMOS晶体管在沟道夹断饱和区后继续增加漏源电压（VDS）后，有效沟道区上的电压降仍保持在VDsat？MOS上的电压有一个下降的过程，流过它的电流有一个上升的过程。在此期间，MOS管的损耗是电压和电流的乘积，称为开关损耗。
不会随着D和S所施加电压的变化而变化。N沟道电源通常连接到D、输出S，P沟道电源通常连接到S和输出D。如果您处于同一系统中，则必须获得大于Vcc的电压。这种晶体管有一个N沟道，所以被称为N沟道MOS晶体管，或NMOS。g:门；S: source源；d:沥水。
从电流方向判断，从管中流出的是NMOS管。UDS增大，为什么n沟道呈楔形？UDS继续增加，反型层消失，同时D端PN结反转，ID迅速上升，NMOS损坏，如果是NMOS，二极管的阳极连接到S极，阴极连接到D极。也可以根据PMOS管流入管内的电流方向来判断，通常，开关损耗远大于传导损耗，开关频率越高，损耗越大。
