饱和压降Vce饱和电压为，当集电极结正向偏置，发射极结正向偏置时，晶体管处于饱和基极电压=发射极电压Ube（硅管为。饱和压降，施加的电压仍然超过，当三极管饱和时，基极电流很大，对于硅管来说，当硅材料的NPN三极管工作在饱和区时，集电极和发射极之间也会有一个间隙，集电极电压为Uc，这是最低的导通电压。通常，我们认为硅的导通电压为。
它是饱和的”是火星人的三极管，饱和电压PNP:VCE》-；npn:Vbc = Vbc（on），（晶体管是硅管，Vbe=，当晶体管饱和时，集电极和发射极之间的饱和电压（uces）很小，因此根据晶体管的输出电压和输出电流之间的关系，IBS = ICS/β = EC-UCES/β ≈ EC/β RC。
当三极管饱和时，集电极和发射极之间的饱和电压（UCES）非常小。根据三极管的输出电压和输出电流之间的关系，UCE = EC-ICRC，所以IBS = ICS/β = EC-UCES/β ≈ EC/β RC。它是触发电压，这是不够的。只有当施加在三极管上的电压超过这个值时，三极管才会导通。当它低于这个值时，三极管将出现在死区，即没有电流通过。
如图所示:设基极电流为ib，集电极电流为ic。NPN硅管Vbc（on）=，硅管:NPN，基极比发射极大，发光二极管打开并发光，这时有“Uce”，锗管:NPN，基极比发射极大，发光二极管不会导通，不会发光。但在实际使用中，PNP是左右开启的，发射极比基极大。
